DE102012002703B3 - Laserdiode mit innerer Luftkühlung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Laserdiode (2) mit einer Vielzahl von Einzelemittern (EE) vorgeschlagen, die auf einem Substrat (8) aufgebaut sind, wobei die Laserdiode (2) ein Gehäuse bestehend aus einem ersten Kontaktteil (13), einem zweiten Kontaktteil (15), einem optischen Element (19b), einer Rückplatte (12) und zwei Seitenteilen (11) aufweist, wobei zwischen dem Substrat (8) und dem ersten Kontaktteil (13) mehrere erster Abstandshalter (9o) angeordnet sind, und zwischen den Einzelemittern (EE) und dem zweiten Kontaktteil (15) mehrere zweite Abstandshalter (9u) angeordnet sind. Zwischen den jeweiligen Einzelemittern (EE) sind Einschnitte (17a) gebildet, die von einem Kühlmedium durchströmt sind. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung mit mindestens einer derartigen Laserdiode (2).
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit innerer Luftkühlung.
- Stand der Technik
- Laserdioden sind im Stand der Technik hinlänglich bekannt. Eine Laserdiode ist ein Halbleiterbauteil, das Laserstrahlung erzeugt.
- Es gibt Anordnungen, bei der eine Vielzahl von Laserdioden so angeordnet werden, dass deren optische Ausgangsachsen parallel zueinander sind und in einer Ebene liegen. Diese benachbarte Anordnung von Laserdioden ergibt einen so genannten Laser-Barren oder Laser Bar. Stapelt man mehrere Laser Bars übereinander, ergibt das ein Laser Stack. Selbstverständlich sind Laserdioden nicht immer zu Barren oder Stacks kombiniert; es gibt sie auch in Form von Einzelstrahlern.
- Hochleistungs-Faserlaser besitzen manchmal zusätzlich einen Faserlaser oder eine Laserdiode, die als Seed-Laser bezeichnet werden und zur Erzeugung der Eingangsleistung für einen nachgeschalteten Faserverstärker dienen (optisch gepumpte aktive Faser). Die Trennung des Lasers in Seed-Laser und Nachverstärkung hat den Vorteil, dass sich die Lasertätigkeit besser steuern lässt. Das betrifft die Wellenlängenstabilität, die Strahlqualität und die Leistungsstabilität bzw. Pulsbarkeit. Zwischen Seed-Laser und Verstärkerfaser befindet sich meist ein optischer Isolator.
-
US 2007/0291803 A1 14 mit Einzelemittern26 (siehe9 mit Abs. [0024]); auch erwähnt ist die Kühlung mittels eines gasförmigen Kühlmediums (Abs. [0010]). Hier werden die Laser Bars14 indirekt gekühlt über eine räumliche Anordnung übereinander gestapelter Kühlkörper mit komplizierter innerer Kühlkanalführung (1 bis6 mit10 ). Eine direkte Kühlung der Laser Bars14 in dem Sinne, durch den Körper der Laser Bars selbst ein Kühlmedium hindurchzuschicken, ist in dieser Druckschrift nicht erwähnt. -
JP 2008-021 899 A 31 , deren Ausgangsenergie gebündelt in eine Lichtleitfaser eingekoppelt wird (2 und3 ). Es sind Miniventilatoren20 sowie Luftleitelemente40 ,41 ,42 vorgesehen, die die Kühlluft einerseits auf einen Kühlkörper30 des Halbleiterlasers31 lenken und andererseits in einen Kühlkörper50 führen, der zur Kühlung der darüber befindlichen Lichtleitfaser dient. Eine innere Kühlung des Halbleiterlasers ist dieser Schrift nicht zu entnehmen. -
US 4,627,062 A beschreibt in2 ein Laser Stack aus einer Vielzahl von gruppenweise, in einer sandwichartigen Konstruktion angeordneten Laserdioden5 (Sp. 5, Z. 6 ff.). Die Laserdioden5 sind jeweils von einer Elektrodenplatte19 kontaktiert, die auch als Wärmeleitkörper fungiert. Über die Elektrodenplatte19 wird die von der Laserdiode abgezogene Wärme in eine Kühlplatte23 transportiert. -
WO 00/69034 A2 2 einen Nd-YAG-Laser, der durch mindestens zwei Hochtemperatur-Laserdioden24 gepumpt wird. Für die beiden Laserdioden24 ist je ein Kühlkörper26 vorgesehen, der im Betrieb für eine Betriebstemperatur der Laserdioden von 70 bis 80°C sorgen soll (Brückenabsatz S. 6/7). Auch hier bekommt der Fachmann keinerlei Anregung für eine innere Kühlung der Laserdioden. -
US 6,480,515 B1 zeigt eine Laserdiode102 mit einem darüber angeordneten Gehäuse104 , in dem sich ein Kühlfluid108 befindet. Der Ausgangsstrahl110 aus der Laserdiode läuft durch das Fluid108 und durch ein Ausgangsfenster118 des Gehäuses. Hierdurch soll eine Wärmeabfuhrmöglichkeit an der „heißen” Seite der Laserdiode, sprich an der Lichtauslassseite geschaffen werden. -
US 2002/0018499 A1 101 in vielen Schichten102 bis111 aufgebaut sind (23 mit Abs. [0192]). Das dort gezeigte Halbleiterlaserelement weist ein Gehäuse auf, bestehend aus einem ersten Kontaktteil119 und einem zweiten Kontaktteil122 . Über dem Substrat101 und teilweise im Substrat101 (18 ) befinden sich Kühlkanäle, die von einem Kühlmittel durchströmt sind. Die Einzelemitter befinden sich unterhalb dieser Kanäle aber nicht in direktem Kontakt mit dem Kühlmittel. -
US 6,396,854 B1 zeigt eine mittels Fluidkühlung gekühlte Halbleiterlaseranordnung, die in einem Gehäuse31 (2 , Pos.31 ) untergebracht ist. Dieses Gehäuse erhält eine einmalige Füllung mit einem Kühlfluid57 (2 , Pos.57 ). Das Kühlfluid befindet sich auch zwischen Einschnitten61 der Halbleiterlaseranordnung. Eine Strömungskühlung ist in dieser Vorrichtung nicht vorgesehen. -
JP8116138 A 2 eine Laserdiode mit einem Gehäuse15 und einer Vielzahl von Einzelemittern11 ,12 . Zwischen den Einzelemittern befinden sich Zwischenräume, und in1 sind Strömungspfeile7 ,7' gezeigt, die offenbar die Strömung eines Kühlmittels darstellen sollen. - In der
DE 195 00 513 C1 ist eine optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung beschrieben, die eine Prismenanordnung (z. B.1 , Pos.6 /7 ) vor einer Emittergruppe umfasst. Die Prismenanordnung besteht aus einem ersten Prismenblock6 und einem zweiten Prismenblock7 , die jeweils aus mehreren Prismenelementen6' bzw.7' bestehen. Eine Blendenwirkung der beiden Prismenblöcke ist nicht nachgewiesen. - Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine Laserdiode so zu verbessern, dass eine innere Kühlung der Laserdiode mittels eines gasförmigen Kühlmediums erreicht wird. Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Laserdiode mit einer Vielzahl von Einzelemittern, die auf einem Substrat aufgebaut sind und jeweils einen Auskoppelspiegel und einen Rückspiegel aufweisen, wobei die Laserdiode ein Gehäuse bestehend aus einem ersten Kontaktteil, einem zweiten Kontaktteil, einem optischen Element, einer Rückplatte und zwei Seitenteilen aufweist, wobei zwischen dem Substrat und dem ersten Kontaktteil mehrere erste Abstandshalter angeordnet sind, und zwischen den Einzelemittern und dem zweiten Kontaktteil mehrere zweite Abstandshalter angeordnet sind, wobei zwischen den jeweiligen Einzelemittern Einschnitte gebildet sind, die von einem Kühlmedium durchströmt sind, und im Bereich der Auskoppelspiegel der Einzelemitter ein Prismenblendenteil angeordnet ist.
- Weitere vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den davon abhängigen Unteransprüchen.
- Die Erfindung wird nun in der nachfolgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen erläutert.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 zeigt eine Schnittansicht senkrecht zur optischen Achse einer erfindungsgemäßen Laserdiode; -
2 zeigt einen Querschnitt entlang Linie A-A von1 ; -
3 zeigt einen Teilquerschnitt durch die erfindungsgemäße Laserdiode, um die Luftführung schematisch darzustellen; und -
4 zeigt ein Prismenblendenteil der erfindungsgemäßen Laserdiode. - Ausführliche Beschreibung der Erfindung
-
1 zeigt eine Schnittansicht durch eine erfindungsgemäße Laserdiode2 , die in dem gezeigten Fall acht Einzelemitter EE aufweist. Diese acht Einzelemitter setzen sich im Wesentlichen jeweils zusammen aus einem n-Cladding7a , zwei Lagen eines Wellenleiters5 , einem Strahlerzeuger QW und einem p-Cladding7b . Die Wellenleiter5 haben die Aufgabe, an der Grenzfläche zum Strahlerzeuger QW den Laserstrahl durch Totalreflexion im Strahlerzeuger QW zu halten. Der Strahlerzeuger QW ist das eigentliche aktive Medium, in dem der Laserstrahl entsteht. Die Einzelemitter EE befinden sich an einem gemeinsamen Substrat8 . Die Elemente8 ,7a ,5 , QW,5 und7b bilden einen herkömmlichen Einzelemitter EE, die zusammen einen Laser Bar bilden; es sind der Einfachheit halber nur acht Einzelemitter gezeigt – in der Praxis werden Laser Bars mit bis zu 50 oder mehr Einzelemittern gebaut. - Im Betrieb würde aus den acht Einzelemittern jeweils ein Laserstrahl in dem mit QW bezeichneten Bereich austreten, und zwar mit Bezug auf
1 senkrecht zur Papierebene in Richtung zum Betrachter hin. - An der Oberseite des Substrats
8 liegen erste Abstandshalter9o an, die vorzugsweise aus Gold hergestellt sind. An der Unterseite des p-Claddings7b befinden sich zweite Abstandshalter9u , die vorzugsweise auch aus Gold bestehen. Die ganze Anordnung ist in ein Gehäuse eingebracht, von dem in dieser Ansicht ein erstes Kontaktteil13 , ein zweites Kontaktteil15 und zwei Seitenteile11 zu sehen sind. Wie in1 schematisch gezeigt ist, dient das erste Kontaktteil13 als Minuselektrode und das zweite Kontaktteil15 als Pluselektrode. Die beiden Seitenteile11 sind aus elektrisch isolierendem Material. Die ersten und zweiten Abstandshalter9o bzw.9u haben also eine Dreifachfunktion: Sie dienen auch als stromführende Elemente und liegen im Stromfluss von der Pluselektrode zur Minuselektrode. Zweitens dienen sie als Halteelemente, wobei sie vorzugsweise durch reine Klemmkräfte im Gehäuse fixiert sind, so dass keine Lötschichten zu deren Befestigung erforderlich sind. Schließlich dienen die Abstandshalter9o und9u als Kühlkörper. - Die Bezugszahlen
17 und17a bezeichnen Hohlräume bzw. Einschnitte, durch die gemäß der Erfindung ein Kühlmedium strömt, bei dem es sich um ein Gas oder ein Gasgemisch, vorzugsweise um Luft handelt. Die Hohlräume17 befinden sich zwischen den oberen Abstandshaltern9o und im Bereich der beiden Seitenteile11 . Die Einschnitte17a sind im Wesentlichen durch Mikroeinschnitte oder Mikroeinfräsungen zwischen den Einzelemittern EE gebildet, die bei der Herstellung des Laser Bars aus einem vollflächigen Material eingebracht werden. Wie weit diese Einschnitte EE in das Substrat8 hinein reichen, ist vor dem Hintergrund der Kühlwirkung der Einschnitte17a und der Stabilität des Substrats8 zu bestimmen. - Diese Einschnitte
17a bilden wie die Hohlräume17 Kanäle aus, durch die die Kühlluft geleitet wird. Die Strömungsrichtung der Kühlluft ist gemäß1 senkrecht zur Zeichenebene vom Betrachter weg. In1 befinden sich angrenzend an die Seitenteile11 jeweils ein Hohlraum17 , der auch von Kühlmedium durchströmt ist. Diese Hohlräume können theoretisch auch weggelassen werden, indem man die Seitenteile11 direkt an die Stirnseite des Substrats ansetzt. Aus Gründen der Kühlwirkung erscheint es aber ratsam, auch hier zu kühlen. Die oberen und unteren Abstandshalter9o bzw.9u sind unmittelbar vom Kühlmedium umströmt. Da diese Abstandshalter9o ,9u vorzugsweise aus Gold bestehen, wird aus dem Substrat8 und aus den Einzelemittern EE abgezogene Wärme über das Kühlmedium optimal abgeführt. - Nachfolgend wird die Art der Luftströmung zur intensiven, inneren Kühlung der Laserdiode
2 mit Bezug auf2 und3 erläutert. -
2 zeigt einen Querschnitt entlang Linie A-A von1 . Die einzelnen Elemente der erfindungsgemäßen Anordnung werden von oben nach unten beschrieben. Man sieht das erste Kontaktteil13 mit einem darunter liegenden Hohlraum17 . Dann sieht man das Substrat8 , und darunter die Elemente7a ,5 , QW,5 und7b . Im Bereich der Strahlaustrittsseite des Strahlerzeugers QW, d. h. auf der rechten Gehäuseseite von2 , ist ein Prismenblendenteil22 vorgesehen. Des Weiteren ist auch ein optisches Element19b vorgesehen, das eine planparallele Platte oder eine Linse sein kann. Bei dem hier gezeigten optischen Element19b kann es sich aber auch um ein oder mehrere diffraktive Elemente, um ein Linsenduplet etc. handeln. Zwischen dem Prismenblendenteil22 und dem optischen Element19b ist ein Druckaufbauraum19 angeordnet. Darüber hinaus ist eine Rückplatte12 vorgesehen, die aus elektrisch isolierendem Material besteht. Das Gehäuse, bestehend aus dem ersten Kontaktteil13 , dem zweiten Kontaktteil15 , dem optischen Element19b , der Rückplatte12 und den zwei Seitenteilen11 , ist luftdicht und staubdicht abgeschlossen. - An den Ecken des in
2 dargestellten Gehäuses sind Bezugszahlen3a ,3b ,3c und3d gezeigt, die schematisch Halterungen der erfindungsgemäßen Laserdiode2 darstellen. Die Halterungen3a ,3b ,3c und3d dienen dazu, die Laserdiode2 sicher zu haltern und dabei elektrisch zu isolieren. Die spezifische Realisierung dieser Halterungen3a –d ist für die Erfindung nicht relevant und wird von daher nicht im Einzelnen erläutert. Diese Halterungen3a –d können auch dazu dienen, mehrere der in2 gezeigten Laser Bars übereinander zu stapeln, was dann einen Laser Stack ergeben würde. - Die vorliegende Erfindung umfasst auch eine Anordnung, bei der mehrere des in
1 gezeigten Laser-Barrens in einem Gehäuse übereinander gestapelt sind. In diesem Fall würde man jeweils zwei Laserbarren ”Rücken an Rücken” aneinandersetzen, d. h. so, dass die Substratseiten einander zugewandt sind. Von dieser paarweisen Anordnung aus zwei Laserbarren können dann auch mehrere in einem Gehäuse vorgesehen werden. - In Zusammenschau von
2 mit3 erkennt man ein Anschlussstück19a , an dem ein Druckluftschlauch21 angeschlossen ist. Vorzugsweise sind zwei Anschlussstücke19a vorgesehen, die wie in3 gezeigt diametral gegenüberliegend angeordnet sind. Ein Kühlmedium, das über die beiden an die Anschlussstücke aufgesteckten Druckluftschläuche zugeführt wird, gelangt in Form zweier Luftstrahlen in den Druckaufbauraum19 , s. die Strömungspfeile L an der rechten Seite der3 . Es strömt weiter durch die Hohlräume17 und Einschnitte17a , fließt wie durch die linken Strömungspfeile L schematisch angedeutet an der linke Seite des Gehäuses wieder ab und sorgt für eine intensive, innere Kühlung der Laserdiode2 . - In
2 ist an der Laserdiode2 schematisch ein Auskoppelspiegel5a und ein Rückspiegel5b gezeigt. Der aus dem Auskoppelspiegel5a austretende Laserstrahl gelangt durch das optische Element19b nach außen. Dort kann dieser Strahl zum Beispiel durch eine Linse6 geschickt und beispielsweise zum Pumpen eines Lasers verwendet werden. Die Linse6 kann auch eine beliebige Linsenanordnung wie z. B. ein Linsenduplet sein. Mit dieser erfindungsgemäßen Laserdiode2 pumpbare Laser sind zum Beispiel Faserlaser, Scheibenlaser, Stablaser etc. Auch eine direkte Anwendung der Laserdiode2 ist möglich, d. h. eine direkte Verwendung ihres Ausgangsstrahls. - Aus
1 und2 wird ersichtlich, dass die Luft innere Oberflächen der Laserdiode2 selbst kühlt, anstatt einen Wärmeableitkörper zu kühlen, der die Wärme einer Diode aufnimmt und abführt. -
4 zeigt das Prismenblendenteil22 aus2 in Einzeldarstellung. Das Prismenblendenteil22 hat eine Aussparung22a , durch die das in den Druckaufbauraum eingeleitete Kühlmedium hindurchströmen kann, um in die Hohlräume17 und Einschnitte17a zu gelangen. Das Prismenblendenteil22 weist auch eine der Anzahl der Einzelemitter EE entsprechende Anzahl von Blendenlöchern22b auf, die ebenfalls von Kühlmedium durchströmt werden. Diese Blendenlöcher22b wirken als Laserstrahlbegrenzung; Laserstrahlung, die von außen kommt, d. h. zum Beispiel vom Werkstück zurück reflektiert wurde, wird von dem die Blendenlöcher22b umgebenden Material des Prismenblendenteils22 zu einem Großteil abfangen und abgeführt. Das Prismenblendenteil22 ist ein prismatisches Element und hat den Zweck, die Einzelemitter EE und vor allem die Wellenleiter5 vor Rückreflexionen vom Werkstück zu schützen. - Ein zu erwartender, wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Laserdiode
2 besteht darin, dass sich insbesondere am Auskoppelspiegel5a ein starker Selbstreinigungseffekt durch die Strömungen des Kühlmediums ergibt. Ein Teil der Strömung strömt durch die Blendenlöcher22b hindurch und trifft direkt im Bereich der Strahlerzeugers QW auf, wo die Laserdiode am heißesten ist. - Die Zeichnungen in den Figuren geben in keiner Weise die wirklichen relativen Größenverhältnisse einer Laserdiode wieder und sind der deutlicheren Darstellung halber teilweise mit stark übertriebenen Abmessungen dargestellt. Bezugszeichenliste
2 Laserdiode 3a –dHalterung 5 Wellenleiter 5a Auskoppelspiegel 5b Rückspiegel 6 Linse 7a n-Cladding 7b p-Cladding 8 Substrat 9o erste Abstandshalter 9u zweite Abstandshalter 11 Seitenteil 12 Rückplatte 13 erstes Kontaktteil 15 zweites Kontaktteil 17 Hohlraum 17a Einschnitt 19 Druckaufbauraum 19a Anschlussstück 19b optisches Element 21 Druckluftschlauch 22 Prismenblendenteil 22a Aussparung 22b Blendenloch EE Einzelemitter L Strömungspfeil QW Strahlerzeuger
Claims (12)
- Laserdiode (
2 ) mit einer Vielzahl von Einzelemittern (EE), die auf einem Substrat (8 ) aufgebaut sind und jeweils einen Auskoppelspiegel (5a ) und einen Rückspiegel (5b ) aufweisen, wobei die Laserdiode (2 ) ein Gehäuse bestehend aus einem ersten Kontaktteil (13 ), einem zweiten Kontaktteil (15 ), einem optischen Element (19b ), einer Rückplatte (12 ) und zwei Seitenteilen (11 ) aufweist, wobei zwischen dem Substrat (8 ) und dem ersten Kontaktteil (13 ) mehrere erste Abstandshalter (9o ) angeordnet sind, und zwischen den Einzelemittern (EE) und dem zweiten Kontaktteil (15 ) mehrere zweite Abstandshalter (9u ) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass – zwischen den jeweiligen Einzelemittern (EE) Einschnitte (17a ) gebildet sind, die von einem Kühlmedium durchströmt sind, und – im Bereich der Auskoppelspiegel (5a ) der Einzelemitter (EE) ein Prismenblendenteil (22 ) angeordnet ist. - Laserdiode (
2 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Abstandshalter (9o ) aus einem elektrisch leitfähigen Material bestehen. - Laserdiode (
2 ) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass benachbarte erste Abstandshalter (9o ) jeweils einen Hohlraum (17 ) bilden. - Laserdiode (
2 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelemitter (EE) ein n-Cladding (7a ) umfassen, das in Kontakt mit dem Substrat (8 ) ist. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelemitter (EE) ein p-Cladding (7b ) umfassen, das in Kontakt mit den zweiten Abstandshaltern (9u ) ist. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Abstandshalter (9u ) aus einem elektrisch leitfähigen Material bestehen. - Laserdiode (
2 ) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlräume (17 ) von einem Kühlmedium durchströmt sind. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Kontaktteil (13 ) und dem zweiten Kontaktteil (15 ) zwei Seitenteile (11 ) angeordnet sind, die aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Kontaktteil (13 ) und dem zweiten Kontaktteil (15 ) eine isolierende Rückplatte (12 ) und ein optisches Element (19b ) angeordnet sind. - Laserdiode (
2 ) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Prismenblendenteil (22 ) und dem optischen Element (19b ) ein Druckaufbauraum (19 ) vorhanden ist. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Abstandshalter (9o ) und/oder die zweiten Abstandshalter (9u ) ohne Lotschicht und nur mittels Klemmkraft im Gehäuse gehalten sind. - Laserdiode (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens im Bereich des Auskoppelspiegels (5a ) eine hohe Strömungsgeschwindigkeit des Kühlmediums vorliegt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012002703A DE102012002703B3 (de) | 2012-03-07 | 2012-03-07 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
US14/382,607 US9118161B2 (en) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Laser diode with internal air cooling |
DE112013001336.3T DE112013001336A5 (de) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
PCT/DE2013/000100 WO2013131504A1 (de) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Laserdiode mit innerer luftkühlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012002703A DE102012002703B3 (de) | 2012-03-07 | 2012-03-07 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012002703B3 true DE102012002703B3 (de) | 2013-07-04 |
Family
ID=48082798
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012002703A Expired - Fee Related DE102012002703B3 (de) | 2012-03-07 | 2012-03-07 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
DE112013001336.3T Withdrawn DE112013001336A5 (de) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112013001336.3T Withdrawn DE112013001336A5 (de) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Laserdiode mit innerer Luftkühlung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9118161B2 (de) |
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R086 | Non-binding declaration of licensing interest | ||
R012 | Request for examination validly filed | ||
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