DE19500513C1 - Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung - Google Patents

Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Kollimation der Strahlung einer Laserdiodenanordnung in zwei senkrecht zueinander sowie senkrecht zu einer optischen Achse liegenden Koordinatenrichtungen und zur nachfolgenden Fokussierung mit hoher Strahlendichte, und dabei speziell auf eine Anordnung entsprechend Oberbegriff Patentanspruch 1.
Es ist bekannt, daß die Strahlung eines Halbleiterdiodenlasers durch einen stark divergierenden Strahl gekennzeichnet ist, und zwar im Gegensatz zu anderen konventionellen Laserstrahlquellen, deren Laserstrahl einen Durchmesser von wenigen Millimetern mit einer geringen Strahldivergenz im Bereich von wenigen mrad aufweist, während die Divergenz bei einem Halbleiterdiodenlaser größer als 1000 mrad ist.
Um die Strahlung eines Halbleiterdiodenlasers nutzen zu können sind kollimierende und fokussierende Mikrooptiken oder optische Anordnungen notwendig. Hierbei ist auch zu berücksichtigen, daß eine Halbleiterlaserdiode in üblicher Weise mehrere Emitter oder Emittergruppen in einer Reihe aufweist, und zwar in einem Abstand von einigen 100 Mikrometern. Bei der Auslegung einer optischen Anordnung oder einer Mikrooptik ist daher zu berücksichtigen, daß die verwendeten Linsen so dicht an dem jeweiligen Halbleiterdiodenlaser bzw. an der entsprechenden Laseranordnung oder an dem Chip vorgesehen werden müssen, daß die Laserstrahlung der einzelnen Emitter oder Emittergruppen sich nicht bereits vor dem Eintritt in die optische Anordnung überlagert, da andernfalls aufgrund von unzulässigen oder unzutreffenden Auftreffwinkeln durch Streustrahlung erhebliche Strahlungsverluste auftreten.
Da weiterhin bei Halbleiterlaserdioden der Divergenzwinkel in der Ebene senkrecht zur aktiven Schicht (Fast-Axis) größer ist als in der Ebene der aktiven Schicht (Slow-Axis) ist auch dies bei der Auslegung der optischen Anordnung zu berücksichtigen.
Bekannt ist es, die divergierende Laser-Strahlung von Emittern oder Emittergruppen mit Hilfe zweier in einer optischen Achse hintereinander angeordneter Zylinderlinsen zu kollimieren, wobei durch eine erste Zylinderlinse eine Kollimation in der Fast-Axis, d. h. in der Achse senkrecht zur Ebene der aktiven Schicht und mittels einer zweiten, von der Laserdiodenanordnung weiter entfernten Zylinderlinse eine Kollimation in der Slow-Axis erfolgt.
Bekannt ist hierbei insbesondere auch eine optische Anordnung (US 3 396 344), bei der mehrere Laserdioden oder Emitter bzw. Emittergruppen in wenigstens zwei Reihen übereinander vorgesehen sind, wobei jede Reihe in einer ersten Koordinatenrichtung in der Ebene der aktiven Schicht mehrere Emitter oder Emittergruppen aufweist und die beiden Reihen in einer zweiten Koordinatenrichtung senkrecht zur aktiven Schicht gegeneinander versetzt sind. Zur Kollimation der einzelnen Strahlen ist dann für jede Reihe eine erste Zylinderlinse vorgesehen, und zwar für eine Kollimation in der zweiten Koordinatenrichtung (Fast-Axis). Für die Kollimation in der ersten Koordinatenrichtung (Slow-Axis) weist eine zweite Zylinderlinsenanordnung mehrere Zylinderlinsenelemente auf, die so vorgesehen sind, daß jedes dieser Zylinderlinsenelemente für die Laserstrahlen zweier übereinander angeordneter Emitter wirksam ist, die in den beiden benachbarten Reihen einander zugeordnet und unmittelbar benachbart sind.
Da die einander benachbarten Zylinderlinsenelemente in der ersten Zylinderlinseneinrichtung, insbesondere aber in der zweiten Zylinderlinseneinrichtung für die angestrebte Kollimation eine bestimmte Linsenhöhe sowie einen bestimmten Krümmungsradius und damit auch bestimmte räumliche Abmessungen erfordern, ist ein relativ großer Abstand der einzelnen Emitter oder Emittergruppen in jeder Reihe notwendig. Dies bedeutet eine relativ geringe Belegungsdichte des die Laserdiodenanordnung bildenden Chips, obwohl von der Chiptechnologie her sowie auch unter Berücksichtigung der Entwicklung von leistungsstarken Kühlern eine weitaus höhere Belegungsdichte und damit eine weitaus höhere Ausgangsleistung möglich wären. Nachteilig ist weiterhin auch, daß sich bei der bekannten optischen Anordnung und insbesondere bei einer Vielzahl von Emittern oder Emittergruppen in jeder Zeile eine Abbildung bzw. eine Fokussierung der Laserstrahlen im Fokus-Punkt ergibt, bei der der Fokusdurchmesser in der ersten Koordinatenrichtung größer ist als in der zweiten Koordinatenrichtung.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Anordnung aufzuzeigen, die bei relativ einfachem Aufbau die vorgenannten Nachteile vermeidet und insbesondere wesentlich kleinere Abstände zwischen den Emittern oder Emittergruppen einer Reihe solcher Emitter oder Emittergruppen und damit eine wesentlich höhere Belegungsdichte eines die Laserdiodenanordnung bildenden Chips sowie eine Erhöhung der Ausgangsleistung ermöglicht.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine optische Anordnung nach dem Patentanspruch 1 ausgebildet.
Die Besonderheit der Erfindung besteht darin, daß die Laserstrahlung benachbarter Emitter oder Emittergruppen einer Reihe so umgelenkt werden, daß diese Strahlen in unterschiedlichen, in der zweiten Koordinatenrichtung, d. h. beispielsweise in in der Achse senkrecht zur Ebene der aktiven Schicht gegeneinander versetzten Strahlebenen in der ersten Koordinatenrichtung, d. h. in der Slow-Achse kollimiert werden, so daß auch die hierfür verwendeten Zylinderlinsenelemente der zweiten Zylinderlinseneinrichtung für die Kollimation in der Slow-Axis in diesen Strahlebenen angeordnet sind und sich somit in unterschiedlichen Strahlebenen angeordnete Zylinderlinsenelemente überlappen können. Hierdurch können kleine Abstände zwischen den einzelnen Emitter oder Emittergruppen und damit eine hohe Belegungsdichte realisiert werden. Beträgt die Anzahl der verwendeten Strahlebenen n und ist a der Abstand, den benachbarte Emitter oder Emittergruppen voneinander aufweisen, so ergibt sich an der zweiten Zylinderlinseneinrichtung ein Abstand der Zylinderlinsenelemente in jeder Strahlebene von n × a, d. h. selbst bei kleinem Abstand a und bei hoher Belegungsdichte ist der aus baulichen Gründen erforderliche Abstand der Zylinderlinsenelemente in jeder Strahlebene realisierbar.
Der besondere Vorteil der Erfindung besteht somit u. a. darin, daß unter Beibehaltung einer relativ einfachen Bauform die Verwendung einer Laserdiodenanordnung mit hoher Belegungsdichte und damit mit hoher Laserleistung möglich ist, ohne daß es durch Streustrahlung zu Verlusten kommt. Es sind daher auch unter Verwendung der zur Verfügung stehenden Hochleistungskühlertechnologie Halbleiterdiodenlaser für höchste Leistungen realisierbar.
Die Erfindung bietet weiterhin den Vorteil, daß bei einer vorgegebenen Anzahl von Emittern oder Emittergruppen in einer Reihe durch entsprechende Wahl der Anzahl der Strahlebenen die Form des Fokuspunkts in einer angestrebten Weise gestaltet werden kann, daß beispielsweise ein runder oder nahezu runder Fokuspunkt möglich ist.
Bei einer einfachen Ausführungsform der Erfindung sind die Emitter oder Emittergruppen nur in einer Reihe angeordnet. Bei der Erfindung ist es aber auch möglich, mehrere Reihen solcher Emitter oder Emittergruppen in einer Koordinatenrichtung senkrecht zur Ebene der aktiven Schicht vorzusehen.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird in Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 in vereinfachter Darstellung und in Seitenansicht eine Laserdiodenanordnung mit mehreren, in einer Koordinatenrichtung senkrecht zur Zeichenebene dieser Figur (X- Achse) hintereinander angeordneten Emittern oder Emittergruppen und mit einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Anordnung zur Fokussierung der Strahlung der einzelnen Emitter in einem gemeinsamen Fokus;
Fig. 2 die Laserdiodenanordnung sowie die zugehörige optische Anordnung der Fig. 1 in Draufsicht, d. h. in einer gegenüber der Fig. 1 um 90° gedrehten Ansicht bei einer Ausführungsform, bei der in der X-Achse senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1 drei Emitter bzw. Emittergruppen aufeinanderfolgend vorgesehen sind;
Fig. 3 eine Darstellung ähnlich Fig. 2, jedoch bei einer Ausführungsform, bei der parallel zur aktiven Schicht der Laserdiodenanordnung, d. h. in der X-Achse insgesamt sechs Emitter oder Emittergruppen vorgesehen sind;
Fig. 4 und 5 in Darstellungen ähnlich Fig. 1 weitere, mögliche Ausführungsformen der Erfindung;
Fig. 6 in einer Darstellung ähnlich Fig. 1 eine weitere Ausführungsform, bei der in einer Ebene senkrecht zur aktiven Schicht übereinander mehrere Reihen von Emittern oder Emittergruppen vorgesehen sind, die in jeder Reihe senkrecht zur Zeichenebene der Figur hintereinander angeordnet sind, sowie eine optische Anordnung zur Fokussierung der Strahlung sämtlicher Emitter oder Emittergruppen in einem gemeinsamen Fokus.
Die Fig. 1 und 2 zeigen eine Laserdiodenanordnung 1 in Form eines Laserdiodenchips, der der einfacheren Darstellung und Erläuterung wegen nur insgesamt drei Emitter oder Emittergruppen 2 besitzt, die in Richtung der aktiven Schicht dieser Emitter in der X-Achse in einer Reihe aufeinanderfolgend und mit einem vorgegebenen Abstand a angeordnet sind.
Die einzelnen Emitter bzw. Emittergruppen 2 liefern, wie oben ausgeführt wurde, eine Strahlung, die in der Ebene senkrecht zur aktiven Schicht (Zeichenebene der Fig. 1) wesentlich stärker divergiert als in der Ebene der aktiven Schicht (Zeichenebene der Fig. 2). Zum besseren Verständnis sind die Randlinien der Strahlen der drei Emittergruppen 2 in den Fig. 1 und 2 jeweils mit S1, S2 und S3 bezeichnet.
Um die Strahlung der Emittergruppen 2 voll nutzen zu können, ist es notwendig, diese Strahlung in einem gemeinsamen Punkt 3 zu fokussieren, und zwar derart, daß sich in beiden Ebenen, d. h. in der Ebene senkrecht zur aktiven Schicht der Emittergruppen 2 und in der Ebene parallel zu dieser aktiven Schicht, ein möglichst gleich großer Fokusdurchmesser ergibt d. h. ein möglichst runder Fokuspunkt erzielt wird, wie dies beispielsweise für die Einspeisung der Strahlung am Punkt 3 in eine nicht dargestellte Faseroptik notwendig oder zumindest zweckmäßig ist.
Diese Fokussierung erfolgt mittels der in den Fig. 1 und 2 ebenfalls dargestellten optischen Anordnung. Diese besteht aus den nachfolgend angegebenen Elementen, die sich in der Reihenfolge der nachfolgenden Auflistung ausgehend von der Laserdiodenanordnung 1 in Richtung der optischen Achse der optischen Anordnung bzw. in Richtung der Z-Achse aneinanderanschließen, wobei bei der dargestellten Ausführungsform diese durch den Fokuspunkt 3 hindurchführende optische Achse in der Ebene der aktiven Schicht der Emittergruppen liegt und senkrecht zu der X-Achse erfolgt:
  • - Zylindrisches Linsenelement oder Zylinderlinse 4 mit asphärischer Zylinderoberfläche;
  • - erster Prismenblock 6 mit mehreren in Richtung senkrecht zur optischen Achse sowie in der aktiven Ebene der Emittergruppen 2, d. h. in der X-Achse hintereinander angeordneten Prismenelementen 6′, deren Anzahl und Abstand der Anzahl der Emittergruppen 2 und deren Abstand a entspricht;
  • - zweiter Prismenblock 7 mit insgesamt drei in einer Koordinatenrichtung senkrecht zur optischen Achse und senkrecht zur aktiven Ebene der Emittergruppen 2 d. h. in der Y-Achse aufeinander folgend vorgesehenen unterschiedlichen Prismenelementen 7′;
  • - Zylinderlinsenanordnung 8, die mehrere Zylinderlinsenelemente 8′ aufweist, die mit ihren Zylinderachsen in der Koordinatenrichtung der Y-Achse angeordnet sind, und zwar bezogen auf diese Y-Achse in drei Ebenen übereinander und in der X-Achse von Ebene, zu Ebene jeweils versetzt, und zwar um einen Betrag, der gleich dem Abstand a der Emittergruppen 2 ist;
  • - Sammellinse 9, die rotationssymmetrisch zur optischen Achse bzw. Z-Achse ausgebildet ist und bei der dargestellten Ausführungsform eine bikonvexe Linse ist.
Anstelle der Sammellinse 9 kann auch eine andere optische Fokussiereinrichtung, beispielsweise eine mehrlinsige Fokussiereinrichtung vorgesehen sein.
Die Wirkungsweise dieser optischen Anordnung läßt sich, wie folgt, beschreiben:
Der Laserstrahl S1-S3 jeder Emittergruppe 2, der sowohl in der jeweiligen Ebene parallel zur aktiven Schicht, als auch in der jeweiligen Ebene senkrecht zur aktiven Schicht einen großen Divergenzwinkel aufweist, wird zunächst in der Ebene (Y-Z-Ebene) senkrecht zur aktiven Schicht durch die Zylinderlinsenanordnung 4, die mit ihrer Zylinderachse in der X-Achse angeordnet ist, bis auf wenige mrad Divergenz kollimiert. Das Zylinderlinsenelement 4 verfügt hierfür, wie oben ausgeführt, über ein asphärische Zylinderoberfläche. Die Abmessung des jeweiligen Laserstrahles beträgt nach der Kollumation beispielsweise 0,5 bis 1,5 mm. Der so in der jeweiligen Y-Z-Ebene senkrecht zur aktiven Schicht kollimierte Laserstrahl jeder Emittergruppe tritt in das für diese Emittergruppe vorgesehenen Prismenelement 6′ des ersten Prismenblockes 6 ein.
Die einzelnen Prismenelemente 6′ sind so ausgebildet, daß sie in der Ebene senkrecht zur aktiven Schicht jeweils in unterschiedlicher Form eine Ablenkung des Laserstrahles bewirken, und zwar wird der Laserstrahl S1 der einen, außenliegenden Emittergruppe 2 durch das zugehörige Prismenelement 6′ um einen spitzen Winkel, beispielsweise um einen Winkel von 10° bei der für die Fig. 1 gewählten Darstellung nach oben abgelenkt, der Laserstrahl S2 der mittleren Emittergruppe 2 erfährt durch das zugehörige Prismenelement 6′ keine Ablenkung und der Laserstrahl S3 der anderen außenliegenden Emittergruppe 2 wird bei der für die Fig. 1 gewählten Darstellung um einen Winkel, d. h. bei dieser Ausführungsform um den gleichen Winkel wie der Stahl S1, beispielsweise um den Winkel von 10°, allerdings nach unten abgelenkt. Die Breite der Prismenelemente 6′ in Richtung der X-Achse entspricht dabei genau dem Abstand a der Emittergruppen 2.
Die abgelenkten, in der Y-Z-Ebene kollimierten und in der X-Z-Ebene noch divergierenden Strahlen S1-S3 treffen auf den größeren, zweiten Prismenblock 7 bzw. jeweils auf ein dortiges für jeden Stahl S1-S3 und damit für jede Emittergruppe 2 gesondert vorgesehenes Prismenelement 7′. Die dem Prismenblock 6 zugewandten, senkrecht zur Y-Z-Ebene liegenden Flächen dieser Prismenelemente 7′ sind so gegenüber der optischen Achse bzw. Z-Achse geneigt bzw. schließen einen solchen Winkel mit dieser Achse ein, daß sich im Prismenblock 7 in drei Stahlungsebenen übereinander parallele Laserstrahlen S1-S3 ergeben.
An der dem Prismenblock 6 abgewandten Seite des Prismenblock 7 ist die Zylinderlinsenanordnung 8 vorgesehen, und zwar beispielsweise dadurch, daß auf dieser in einer Ebene senkrecht zur optischen Achse (Z-Achse) liegenden Planseite des Prismenblockes 7 die einzelnen Halbzylinderlinsenelemente 8′ in der oben beschriebenen Anordnung in drei Reihen übereinander aufgekittet sind. Jedes Zylinderlinsenelement 8′ ist wiederum einem Strahl S1-S3 zugeordnet und bewirkt eine Kollimation dieses Stahles S1, S2 bzw. S3 in der X-Z- Ebene, so daß dann nach der Zylinderlinsenanordnung 8 jeder Strahl sowohl in der X-Achse als auch in der Y-Achse kollimiert ist und die so kollimierten Strahlen S1-53 mit der herkömmlichen Sammellinse 9 auf den gemeinsamen Fokus-Punkt 3 abgebildet werden können. Die plankonvexen Zylinderelemente 8 können sphärisch oder asphärisch sein.
Es versteht sich, daß die beschriebene optische Anordnung auch für Emitteranordnungen verwendet werden kann, die mehr als drei Emittergruppen aufweisen. In diesem Fall erhöht sich beispielsweise lediglich die Anzahl der Prismenelemente 6′ und damit die Anzahl der in die drei Strahlebenen abgelenkten Strahlen S1-Sn, wobei dann im größerem Prismenblock 7 in jeder Strahlebene zwei oder mehr als zwei Strahlen nebeneinander vorgesehen sind und die Zylinderlinsenanordnung 8 in jeder Ebene wenigstens zwei Zylinderlinsenelemente 8′ aufweist, die in jeder Ebene einen Abstand voneinander besitzen, der gleich dem Abstand a der Emittergruppen an der Laserdiodenanordnung 1 multipliziert mit der Anzahl der Strahlebenen im Prismenblock 7 ist. Es versteht sich, daß weiterhin eine entsprechende Ausbildung der Prismenblöcke 6 und 7 auch mehr als drei Strahlebenen in der Y-Achse übereinander vorgesehen sein können, beispielsweise fünf Strahlebenen übereinander.
Fig. 3 zeigt in ähnlicher Darstellung wie Fig. 2 eine Ausführung, bei der die Laserdiodenanordnung 1a insgesamt sechs Emittergruppen 2 aufweist, deren Laserstrahlen durch den Prismenblock 6a so abgelenkt werden, daß sich innerhalb des Prismenblockes 7a wiederum drei Strahlebenen ergeben, die in der Y-Achse übereinander angeordnet sind, und zwar in jeder Strahlebene in Richtung der X-Achse nebeneinander zwei unabhängige Strahlen, nämlich in der oberen Ebene die Strahlen S1 und S1′, in der mittleren Ebene die Strahlen S2 und S2′ und in der unteren Ebene die Strahlen S3 und S3′. Die Anzahl der Prismenelemente 6′ ist gleich der Anzahl der Emittergruppen. Die Anzahl der Prismenelemente 7′ ist gleich der Anzahl der Strahlebenen. Darüber hinaus sind die Prismenelemente 6′ so ausgebildet, daß der Strahl einer Emittergruppe 2 zusammen mit demjenigen Strahl in eine Strahlebene abgelenkt wird, der der in der Reihe der Emittergruppe folgenden n-ten Emittergruppe entspricht, wobei n die Anzahl der in der Y-Achse übereinander angeordneten Strahlebenen ist. Anstelle der Zylinderlinsenanordnung 8 ist in der Fig. 3 die Zylinderlinsenanordnung 8a verwendet, die in jeder Strahlebene zwei Zylinderlinsenelemente 8′ aufweist, die von Strahlebene zu Strahlebene wiederum um den Abstand a in der X-Achse versetzt sind und in dieser Achse in jeder Strahlebene einen Abstand von n × a aufweisen.
Mit der erfindungsgemäßen Ausbildung wird bereits bei Aufteilung der Laserstrahlen der Emittergruppen auf zwei Strahlebenen eine wesentliche Verbesserung, insbesondere auch hinsichtlich der Fokussierung gegenüber bekannten optischen Anordnungen erreicht, die die Aufteilung der Laserstrahlen in verschiedenen Strahlebenen nicht vorsehen. Hierzu wird auf die nachfolgende Tabelle verwiesen. In dieser ist ein Vergleich des Abbildungsverhaltens einer Laserdiodenanordnung mit einer Länge von 10 mm in der X-Achse und mit einem Emitterabstand von 800 Mikrometer sowie einer Emitterbreite von 400 Mikrometer für drei unterschiedliche optische Anordnungen wiedergegeben, und zwar für eine Anordnung mit nur einer Strahlebene, d. h. ohne Ablenkung (1-Ebene), für die im Zusammenhang mit den Fig. 1-3 beschriebene Anordnung mit drei Strahlebenen (3-Ebene) sowie für eine optische Anordnung, bei der die Ablenkung in fünf in der Y-Achse übereinander angeordneten Strahlebenen erfolgt (5-Ebene).
Auf dem Laserdioden-Chip oder -Barren sind dreizehn Emittergruppen angeordnet. Um den Einfluß der ersten Kollimationsoptik, d. h. der Zylinderlinsenanordnung 4 abzuschätzen, wird eine voller Divergenzwinkel von 20 mrad in der Y-Achse nach Transmission der Laserstrahlen durch diese Linsenanordnung angenommen. Der Divergenzwinkel einer einzelnen Emittergruppe 2 bestimmt den Abstand der Zylinderlinsenanordnung 8 bzw. der Zylinderlinsenelemente 8′ von der Laserdiodenanordnung bzw. von dem Laserdiodenchip, da der ideale Abstand durch die Entfernung des Ortes der Überlagerung der Strahlung zweier Emittergruppen vom Laserdiodenchip vorgegeben ist. Der Divergenzwinkel in der X-Z-Ebene wird für die Berechnung mit 10° angenommen. Für die Fokussierung mit der Sammellinse 9 wird eine numerische Apertur von 0,2 zugrundegelegt, was der üblichen numerischen Apertur für eine Faserkopplung in eine Quarzfaser entspricht. Der Öffnungswinkel beträgt dann 23°.
Tabelle
Die vorliegende Tabelle bestätigt, daß bei einer optischen Anordnung mit nur einer Ebene aufgrund der sehr geringen Brennweite der "Slow-Achsen-Optic", d. h. der die Kollimation in der X-Achse bewirkenden Optik, die größte Ausdehnung des Fokus in dieser Achse liegt. Wird hingegen die Strahlung der Emittergruppen auf mehrere Strahl-Ebenen aufgeteilt, wie dies die Erfindung vorsieht, so kann ein erheblich geringer Fokusdurchmesser erreicht werden, insbesondere auch in der X-Achse, wobei es bei einer entsprechenden Anzahl von Strahlebenen auch möglich ist, eine nahezu runden Fokuspunkt 3, d. h. gleiche Fokus-Durchmesser in der X- und Y-Achse zu erzielen.
Wesentlich ist bei der Erfindung auch, daß die Aufspaltung der Strahlen in die verschiedenen Strahlebenen auf jeden Fall bis zum Eintritt in die Zylinderlinsenanordnung 8 bzw. 8a abgeschlossen ist, so daß dann für diese Anordnung je nach Ausbildung (zwei oder mehr als zwei Ebenen) 10-20 mm als Brennweite zur Verfügung stehen. Bei einer Linsenhöhe von 1 mm, einem Abstand von 5 mm zwischen der Austrittsseite des jeweiligen Prismenelementes 6′ und der Eintrittsfläche des jeweiligen Prismenelementes 7′ und einem Brechungsindex von 1 ,5 dieser Elemente ergibt sich dann bei einer Verwendung von drei Strahlebenen ein Neigungswinkel der positiv und negativ abgeschrägten Flächen der Prismenelemente 6′ von etwa 20°. Vermindert kann dieser Winkel werden z. B. durch einen höheren Brechungsindex der Prismenelemente 6′ und 7′, durch eine geringere Linsenhöhe der Linsenelemente 8′ sowie durch einen größeren Abstand zwischen den Prismenblöcken 6 und 7.
Fig. 4 zeigt eine weitere, mögliche Ausführungsform, die sich von der Ausführungsform der Fig. 1 dadurch unterscheidet, daß anstelle von separaten Prismenblöcken 6 und 7 ein kombinierter Prismenblock 10 vorgesehen ist, der an seiner dem Zylinderlinsenelement 4 zugewandten Seite die Prismenelemente 6′ und an seiner einer Zylinderlinsenanordnung 8b zugewandten Ausgangsseite die Prismenelemente 7′ bzw. die entsprechenden Prismenflächen bildet. Die Zylinderlinsenanordnung 8b entspricht der Zylinderlinsenanordnung 8 oder 8a, ist aber getrennt von dem Prismenblock 10 vorgesehen und besteht aus diesem Grunde aus einer optisch neutralen Scheibe 11, auf die die Zylinderlinsenelemente 8′ aufgekittet sind.
Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform, die sich von der Ausführung der Fig. 1 dadurch unterscheidet, daß anstelle des Prismenblockes 6 bzw. eines transparenten Elementes ein reflektierendes Element 12 vorgesehen, welches für jede Emittergruppe 2 unterschiedliche Reflexionsflächen 12′ bildet, um wiederum die beschriebene Ablenkung der Strahlen S1-S3 bzw. S1-S3′ in die unterschiedlichen Strahlebenen zu erreichen.
Fig. 6 zeigt schließlich eine Ausführungsform, bei der mehrere Laserdiodenanordnungen 1 oder 1a in der Y-Achse übereinander angeordnet sind, wobei jede Laserdiodenanordnung 1 oder 1a in der X-Achse wiederum eine Vielzahl von Emittern oder Emittergruppen 2 besitzt.
Jeder Laserdiodenanordnung 1 oder 1a sind die Prismenblöcke 6 und 7 mit der Zylinderlinsenanordnung 8 zugeordnet, um die einzelnen Strahlen der Emittergruppen in unterschiedliche Strahlebenen, d. h. bei der für die Fig. 6 gewählten Darstellung wiederum für jede Laserdiodenanordnung in drei Strahlebenen aufzuteilen und dort sowohl in der X-Achse als auch in der Y-Achse zu kollimieren. Anstelle der Sammellinse 9 ist bei dieser Ausführungsform eine für sämtliche Laserdiodenanordnungen 1 bzw. 1a gemeinsame Sammellinse 13 vorgesehen, mit der die Laserstrahlen dann in dem gemeinsamen Fokuspunkt 14 zusammengeführt bzw. abgebildet werden.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, daß weitere Abwandlungen und Änderungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird. So ist es möglich, anstelle von mehreren, jeweils eine Gruppe bildenden Emittern auch einzelne Emitter oder mehrere jeweils Untergruppen gebildete Gruppen in der gleichen Weise zu behandeln, wobei jede Untergruppe ihrerseits eine Vielzahl von Emittern aufweist.
Bezugszeichenliste
 1, 1a Laserdiodenanordnung
 2 Emittergruppe
 3 Fokuspunkt
 4 Zylinderlinsenanordnung
 6, 7, 6a, 7a Prismenblock
 6′, 7′ Prismenelement
 8, 8a, 8b Zylinderlinsenanordnung
 8′ Zylinderlinsenelement
 9 Sammellinse
10 Prismenblock
11 Scheibe
12 Reflexionselement
12′ Reflexionsfläche
13 Sammellinse
14 Fokuspunkt

Claims (18)

1. Optische Anordnung zur Abbildung mehrerer in einer oder mehreren Reihen angeordneter Emitter oder Emittergruppen (2) einer Laserdiodenanordnung (1, 1a) in einen gemeinsamen Raumbereich oder Fokus-Punkt (3, 14),
  • - wobei die Emitter oder Emittergruppen (2) einer Reihe mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen Ebene (X-Z-Ebene) angeordnet sind und zwar mit einem vorgegebenen Abstand (a) in einer ersten Koordinatenrichtung (X-Achse), und
  • - wobei die optische Anordnung umfaßt
  • - eine erste von wenigstens einer Zylinderlinse gebildete Zylinderlinsenanordnung (4), die mit ihrer Zylinderachse in der ersten Koordinatenrichtung (X-Achse) angeordnet ist und die eine Kollimation der Laserstrahlen (S1-S3, S1′-S3′) der Emitter oder Emittergruppen (2) in jeweils einer ersten Ebene (Y-Z-Ebenen) senkrecht zur ersten Koordinatenrichtung (X- Achse) bewirkt, und
  • - eine zweite Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) zur Kollimation der Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) in jeweils einer zweiten Ebene (X-Z-Ebene) senkrecht zur ersten Ebene (Y-Z- Ebene),
dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die optische Anordnung noch Mittel (6, 6a, 7, 7a, 7b, 12) umfaßt, die die Laserstrahlen (S1-S3, S1′-S3′) benachbarter Emitter oder Emittergruppen (2) in der ersten Ebene (Y-Z- Ebene) derart umlenken, daß die kollimierten Laserstrahlen (S1-S3, S1′-S3′) benachbarter Emitter oder Emittergruppen (2) nach dem Durchtritt durch die zweite Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) in unterschiedlichen, in der zweiten Koordinatenrichtung (Y-Achse) gegeneinander versetzten Strahlenebenen parallel zueinander vorliegen, und
  • - daß alle Laserstrahlen (S1-S3, S1′-S3′) durch eine Fokussieroptik (9, 13) in den gemeinsamen Raumbereich oder Fokuspunkt (3, 14) abgebildet werden.
2. Optische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umlenkmittel (6, 6a; 7, 7a, 7b, 12) im Strahlverlauf zwischen der ersten Zylinderlinsenanordnung (4) und der zweiten Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) vorgesehen sind, und zwar derart, daß die Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) bereits vor dem Eintritt in die zweite Zylinderlinsenanordnung oder in dort vorgesehene Zylinderlinsenelemente (8′) parallel zueinander in den unterschiedlichen Strahlungsebenen angeordnet sind.
3. Optische Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Mittel zum Umlenken (6, 6a; 7, 7a, 7b; 12) der Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) wenigstens zwei, vorzugsweise wenigstens drei Strahlebenen gebildet sind.
4. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zylinderlinsenanordnung (4) von wenigstens einer bikonvexen oder plankonvexen Zylinderlinse mit asphärischer Krümmung gebildet ist.
5. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) in den Strahlebenen jeweils wenigstens ein Zylinderlinsenelement (8′) aufweist, welches mit seiner Zylinderachse in der zweiten Koordinatenrichtung (Y-Achse) bzw. senkrecht zur zweiten Ebene (X-Z-Ebene) orientiert ist, und daß die Zylinderlinsenelemente (8′) der zweiten Zylinderlinseneinrichtung (8, 8a, 8b) von Strahlebene zu Strahlebene jeweils um einen Betrag in der ersten Koordinatenrichtung (X-Achse) versetzt sind, der dem Abstand (a) der Emitter oder Emittergruppen (2) einer Reihe entspricht oder zu diesem Abstand (a) proportional ist.
6. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zylinderlinseneinrichtung (8, 8a, 8b) bzw. deren Zylinderlinsenelemente (8′) plankonvex ausgebildet sind.
7. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Umlenken der Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) eine erste Prismenanordnung oder einen ersten Prismenblock (6, 6a) aufweist, der in der ersten Koordinatenrichtung (X- Achse) aufeinander folgend mehrere Prismenelemente (6′) aufweist, von denen jedes einem Emitter oder einer Emittergruppe (2) zugeordnet ist und deren Mittelabstand in der ersten Koordinatenrichtung (X-Achse) gleich dem Abstand (a) der Emitter oder Emittergruppen (2) einer Reihe ist, und daß die Prismenelemente (6′) durch unterschiedliche Neigung von Prismen-Flächen, d. h. durch unterschiedliche Neigung von Lichteintritts- und/oder -austrittsflächen gegenüber der zweiten Ebene (X-Z-Ebene) oder der Ebene der aktiven Schicht eine unterschiedliche Ablenkung in der jeweiligen ersten Ebene (Y-Z-Ebene) bewirken.
8. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Umlenken der Laserstrahlen eine lichtreflektierende Anordnung oder ein lichtreflektierendes Element (12) aufweisen, welches in der ersten Koordinatenrichtung (X- Achse) aufeinanderfolgend mehrere reflektierende Flächen oder Bereiche (12) aufweist, deren Mittelabstand gleich dem Abstand (a) der Emitter oder Emittergruppen (2) ist und die für eine unterschiedliche Ablenkung der Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) in der ersten Ebene (Y-Z-Ebene) eine unterschiedliche Neigung gegenüber der zweiten Ebene (X-Z-Ebene) oder der Ebene der aktiven Schicht aufweisen.
9. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Umlenken der Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) einen zweiten Prismenblock oder eine zweite Prismenanordnung (7, 7a, 7b) aufweisen, die im Strahlverlauf bzw. in Richtung einer die optische Achse der Anordnung bildenden dritten Koordinatenrichtung (Z-Achse) auf die erste Prismenanordnung (6, 6a) und/oder auf das Umlenkelement (12) folgt und welche für jede Strahlebene wenigstens ein Prismenelement (7′) derart bildet, daß die abgelenkten Laserstrahlen (S1-S3; S1′-S3′) in solche in den parallelen Strahlebenen umgelenkt werden.
10. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Fokussier-Optik eine solche ist, die wenigstens eine rotationssymmetrisch zur dritten Koordinatenrichtung (Z-Achse) oder zur optischen Achse der Anordnung ausgebildete Sammellinse, beispielsweise wenigstens eine bikonvexe oder plankonvexe Sammellinse (9, 13) aufweist.
11. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Reihen von Emittern oder Emittergruppen (2) vorgesehen sind, daß für jede Reihe eine optische Anordnung bestehend zumindest aus der ersten Zylinderlinseneinrichtung (4), aus der zweiten Zylinderlinseneinrichtung (8, 8a, 8b) sowie aus den Mitteln zum Umlenken der Laserstrahlen benachbarter Emitter oder Emittergruppen (2) in die verschiedenen Strahlebenen vorgesehen sind, und daß für sämtliche Reihen eine gemeinsame Fokussier- Optik (13) vorhanden ist.
12. Optische Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Reihen von Emittern oder Emittergruppen (2) vorzugsweise in der ersten Koordinatenrichtung (X-Achse) nebeneinander vorgesehen sind.
13. Optische Anordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Reihen von Emittern oder Emittergruppen (2) vorzugsweise in der zweiten Koordinatenrichtung (Y-Achse) übereinander vorgesehen sind.
14. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Zylinderlinsenanordnungen (8, 8a, 8b) sowie auch die zweiten Prismenanordnungen oder Prismenblöcke (7, 7a,) für sämtliche Reihen oder eine Gruppe von Reihen gestapelt zu einer optischen Baugruppe zusammengefaßt sind.
15. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die für sämtliche Reihen oder für eine Gruppe von Reihen gemeinsame Fokussier-Optik von wenigstens einer rotationssymmetrisch zu der optischen Achse der Anordnung oder zu der dritten Koordinatenrichtung (Z-Achse) ausgebildeten Sammellinse, vorzugsweise von einer bikonvexen Linse (13) gebildet ist.
16. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) bzw. deren Zylinderelemente (8′) sphärisch ausgebildet sind.
17. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zylinderlinsenanordnung (8, 8a, 8b) bzw. deren Zylinderelemente (8′) asphärisch ausgebildet sind.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19645150A1 (de) * 1996-10-28 1998-05-14 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von Laserdioden
DE19734641A1 (de) * 1997-08-11 1999-02-18 Rofin Sinar Laser Gmbh Bandleiterlaser mit einem optischen Abbildungssystem zur Strahlformung
WO2001084077A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Leica Geosystems Ag Optischer entfernungsmesser
DE10015245C2 (de) * 1999-03-31 2002-01-03 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von zweidimensionalen Arrays von Laserdioden
WO2003033997A1 (de) * 2001-10-17 2003-04-24 Leica Geosystems Ag Optischer entfernungsmesser
DE102004006932B3 (de) * 2004-01-30 2005-10-20 Dilas Diodenlaser Gmbh Hochleistungs-Diodenlaser mit einer Einrichtung zur Strahlformung
DE10220378B4 (de) * 2001-05-07 2009-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Laserlichtquellenvorrichtung mit optischen Elementen zur Strahlkorrektur
DE102007061655A1 (de) 2007-12-18 2009-08-06 Schott Ag Faseroptische Vorrichtung zur Aufnahme emittierter Strahlung eines Diodenlasers und Verfahren zur Herstellung einer solchen faseroptischen Vorrichtung
US7724437B2 (en) 2003-12-19 2010-05-25 Uab Mgf ‘Sviesos Konversija’ Brightness preserving laser beam shaper
WO2010097198A1 (de) * 2009-02-26 2010-09-02 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur homogenisierung von laserstrahlung
US8062753B2 (en) 2004-12-31 2011-11-22 Schott Ag Method for producing an optical component, optical component produced according to the method and devices comprising such components
DE102012002703B3 (de) * 2012-03-07 2013-07-04 Roland Berger Laserdiode mit innerer Luftkühlung
US8553330B1 (en) 2003-11-21 2013-10-08 Schott Ag Cylindrical lens with refractive optical element and diffractive optical element
DE102017107303A1 (de) * 2017-04-05 2018-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung zur darstellung eines bildes

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1062540B1 (de) 1998-03-10 2003-05-28 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs GmbH & Co.KG Vorrichtung und verfahren zur optischen strahltransformation
DE10062454B4 (de) * 2000-12-14 2007-10-11 My Optical Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE10118788A1 (de) * 2001-04-18 2002-10-24 Lissotschenko Vitalij Anordnung zur Kollimierung des von einer Laserlichtquelle ausgehenden Lichts sowie Strahltransformationsvorrichtung für eine derartige Anordnung
JP4794770B2 (ja) * 2001-08-10 2011-10-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザバー積層体用整形光学系及びレーザ光源
EP2219064B1 (de) 2009-02-13 2020-09-16 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
DE102009008918A1 (de) 2009-02-13 2010-08-19 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
DE102009031046B4 (de) 2009-06-30 2013-12-05 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
DE102011016253B4 (de) 2011-04-06 2014-02-27 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Diodenlaser
DE102019213827A1 (de) * 2019-09-11 2021-03-11 Robert Bosch Gmbh Senderoptik, LiDAR-System und Arbeitsvorrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3396344A (en) * 1964-02-24 1968-08-06 Nat Res Dev Semiconductor laser array

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3396344A (en) * 1964-02-24 1968-08-06 Nat Res Dev Semiconductor laser array

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19645150A1 (de) * 1996-10-28 1998-05-14 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von Laserdioden
DE19645150C2 (de) * 1996-10-28 2002-10-24 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von Laserdioden
DE19734641A1 (de) * 1997-08-11 1999-02-18 Rofin Sinar Laser Gmbh Bandleiterlaser mit einem optischen Abbildungssystem zur Strahlformung
DE10015245C2 (de) * 1999-03-31 2002-01-03 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von zweidimensionalen Arrays von Laserdioden
WO2001084077A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Leica Geosystems Ag Optischer entfernungsmesser
DE10220378B4 (de) * 2001-05-07 2009-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Laserlichtquellenvorrichtung mit optischen Elementen zur Strahlkorrektur
WO2003033997A1 (de) * 2001-10-17 2003-04-24 Leica Geosystems Ag Optischer entfernungsmesser
US8553330B1 (en) 2003-11-21 2013-10-08 Schott Ag Cylindrical lens with refractive optical element and diffractive optical element
US7724437B2 (en) 2003-12-19 2010-05-25 Uab Mgf ‘Sviesos Konversija’ Brightness preserving laser beam shaper
DE102004006932B3 (de) * 2004-01-30 2005-10-20 Dilas Diodenlaser Gmbh Hochleistungs-Diodenlaser mit einer Einrichtung zur Strahlformung
US8062753B2 (en) 2004-12-31 2011-11-22 Schott Ag Method for producing an optical component, optical component produced according to the method and devices comprising such components
US7783148B2 (en) 2007-12-18 2010-08-24 Schott Ag Fiber-optic apparatus for receiving emitted radiation of a diode laser, and method for producing a fiber-optic apparatus of the type
DE102007061655A1 (de) 2007-12-18 2009-08-06 Schott Ag Faseroptische Vorrichtung zur Aufnahme emittierter Strahlung eines Diodenlasers und Verfahren zur Herstellung einer solchen faseroptischen Vorrichtung
WO2010097198A1 (de) * 2009-02-26 2010-09-02 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur homogenisierung von laserstrahlung
DE102012002703B3 (de) * 2012-03-07 2013-07-04 Roland Berger Laserdiode mit innerer Luftkühlung
WO2013131504A1 (de) 2012-03-07 2013-09-12 Roland Berger Laserdiode mit innerer luftkühlung
DE102017107303A1 (de) * 2017-04-05 2018-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung zur darstellung eines bildes

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