DE19841285C1 - Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser - Google Patents

Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser

Info

Publication number
DE19841285C1
DE19841285C1 DE19841285A DE19841285A DE19841285C1 DE 19841285 C1 DE19841285 C1 DE 19841285C1 DE 19841285 A DE19841285 A DE 19841285A DE 19841285 A DE19841285 A DE 19841285A DE 19841285 C1 DE19841285 C1 DE 19841285C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
axis
emitters
diode laser
plane
collimator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19841285A
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Krause
Christoph Ullmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern GmbH
Original Assignee
Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern GmbH filed Critical Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern GmbH
Priority to DE19841285A priority Critical patent/DE19841285C1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19841285C1 publication Critical patent/DE19841285C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0052Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode
    • G02B19/0057Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode in the form of a laser diode array, e.g. laser diode bar
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0652Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0009Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only
    • G02B19/0014Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only at least one surface having optical power
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0972Prisms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/12Beam splitting or combining systems operating by refraction only
    • G02B27/126The splitting element being a prism or prismatic array, including systems based on total internal reflection
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4043Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405Two-dimensional arrays

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine neuartige optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine optische Anordnung gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1 sowie auf einen Diodenlaser gemäß Oberbegriff Patentanspruch 24.
Die Strahlung eines Halbleiter-Diodenlasers (hier vereinfacht auch Diodenlaser) ist durch einen stark divergierenden Strahl gekennzeichnet, und zwar im Gegensatz zu anderen konventionellen Laserstrahlquellen, deren Laserstrahl einen Durchmesser von wenigen Millimetern mit einer geringen Strahldivergenz im Bereich von wenigen mrad aufweist, während die Divergenz bei einem Diodenlaser größer als 1000 mrad ist.
Weiterhin ist bekannt, daß bei Diodenlasern der Divergenzwinkel in der Ebene senkrecht zur aktiven Schicht, d. h. in der sogenannten "Fast-Axis" größer ist als in der Ebene der aktiven Schicht bzw. in der sogenannten "Slow-Axis".
Um die Strahlung eines Diodenlasers, der wenigstens einen Diodenlaserbarren mit mehreren in einer ersten Koordinatenrichtung aufeinander folgenden, Laserlicht aussendenden Emittern aufweist, voll nutzen zu können, ist es bekannt, kollimierende und fokussierende optische Anordnungen zu verwenden. Diese optischen Anordnungen umfassen insbesondere einen als Mikrooptik ausgeführten Fast-Axis- Kollimator, der von einer Zylinderlinse gebildet ist, welche mit ihrer Achse ebenfalls in der ersten Koordinatenrichtung liegt. Für sämtliche Emitter eines Diodenlaserbarrens ist dabei jeweils eine eigene durchgehende Zylinderlinse vorgesehen, und zwar mit kleiner Brennweite in unmittelbarer Nähe der Facette des Diodenlaserbarrens, d. h. in einem Abstand von einigen hundert µm von den Emittern bzw. von dieser Facette.
Zur Erzeugung einer Laserstrahlung höherer Leistung (z. B. für Materialbearbeitung, für die Medizintechnik, für das Pumpen von FK-Lasern usw.) ist es weiterhin auch bekannt, mehrere Diodenlaserbarren in einem Diodenlaserstapel in mehreren Stapellagen übereinander vorzusehen, wobei dann dem Diodenlaserbarren jeder Stapellage ein eigener Fast-Axis-Kollimator zugeordnet ist.
Die als Laser-Licht-Quellen verwendeten und eine Vielzahl von Emittern aufweisenden Laserbarren besitzen in der in der Ebene der aktiven Schicht bzw. in der gemeinsamen Ebene der Emitter liegenden "ersten" Koordinatenrichtung eine nicht unerhebliche Abmessung, beispielsweise in der Größenordnung von 10 mm. Bei Abbildung der Emitter in einem gemeinsamen Brennfleck weist dieser daher in der ersten Koordinatenrichtung oder bei Drehen der Strahlen im Strahlengang der optischen Anordnung in einer der ersten Koordinatenachse entsprechenden (gedrehten) Achsrichtung erhebliche Abmessungen auf, so daß langgestreckte Fokusgeometrien mit unterschiedlichen Ausdehnungen in den beiden senkrecht zur Strahlrichtung orientierten Achsrichtungen beispielsweise von 0,5-1,5 × 2,5-10 mm entstehen. Vielfach sind aber Fokus- bzw. Brennpunktgeometrien mit möglichst kleinen und/oder gleichen Ausdehnungen in den beiden senkrecht zur Strahlrichtung verlaufenden Achsrichtungen oder aber zumindest Brennfleckgeometrien erwünscht, in denen die Ausdehnung in der größeren Achsrichtung nicht der vollständigen Länge der verwendeten Diodenlaserbarren enspricht.
Um dies zu erreichen ist eine optische Anordnung (DE-OS 197 05 574) zur Abbildung mehrerer, in wenigstens einer Reihe angeordneter Emitter einer Laserdiodenanordnung in einem gemeinsamen Brennfleck bekannt. Die optische Anordnung besitzt hierfür für die Emitter jeder Reihe einen gemeinsamen, von einer Zylinderlinse gebildeten Fast-Axis-Kollimator und zwischen dem Fast-Axis-Kollimator und einem Slow-Axis-Kollimator im Strahlengang aufeinanderfolgend zwei Umformelemente, die jeweils aus mehreren einen Stapel bildenden und fächerartig gegeneinander verdrehten Platten aus einem optischen Material (Glas) bestehen, welche an einer planen, senkrecht zur Plattenebene bildende Umfangsseite einen Licht­ eintritt und an einer gegenüberliegenden, parallelen Umfangsseite einen Lichtaustritt bilden. Mit einem dieser Umformelemente wird das Strahlenbündel der wenigstens einen Emitterreihe in mehrere, in der Fast-Axis gegeneinander versetzte Teilstrahlenbündel umgeformt, die dann mit dem nachfolgenden Umformelement in Richtung der Slow-Axis so verschoben werden, daß die Teilstrahlbündel einander unmittelbar benachbart sind. Die bekannte optische Anordung benötigt hierfür wenigstens zwei, jeweils von einer Vielzahl von Platten gebildete Umformelemente.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Anordnung der eingangs erwähnten Art aufzuzeigen, die bei vereinfachter Ausbildung kleine Brennfleckgeometrien ermöglicht. Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine optische Anordnung entsprechend dem Patentanspruch 1 ausgebildet. Ein Diodenlaser ist entsprechend dem Patentanspruch 24 ausgebildet.
Bei der Erfindung erfolgt eine getrennte Abbildung jeweils einer Gruppe von Emittern der wenigstens einen Reihe von Emittern bzw. des wenigstens einen Diodenlaserbarren auf einem gemeinsamen Brennfleck oder Fokuspunkt. Dies wird durch eine Ablenkung der Teilstrahlen mittels der segmentierten Kollimationsoptik in unterschiedlichen Richtungen erreicht. Mittels der im Strahlengang angeordneten Mehrfach-Prismenanordnung werden die Teilstrahlen im weiteren Strahlenverlauf so umgelenkt, daß diese Teilstrahlen nach dem Austritt aus der Mehrfach- Prismenanordnung in prallelen Strahlenebenen liegen und zugleich auch parallel zu diesen Strahlenebenen so übereinander geschoben sind, daß die Teilstrahlen sich in Blickrichtung auf diese Strahlenebene zumindest teilweise decken.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche. Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter Darstellung und in Seitenansicht eine Laser-Diodenanordnung mit einem Diodenlaserbarren, der in einer ersten Koordinatenrichtung senkrecht zur Zeichenebene dieser Figur (Y-Achse) aufeinanderfolgende Emitter aufweist, sowie mit einer optischen Anordnung zur Fokussierung der Strahlen der einzelnen Emitter in einem gemeinsamen Brennfleck;
Fig. 2 in vereinfachter Darstellung eine Draufsicht auf die Diodenlaseranordnung der Fig. 1;
Fig. 3 in einer Darstellung ähnlich Fig. 1 eine weitere Ausführungsform einer Laser- Diodenanordnung, die mehrere in der Zeichenebene (X-Z-Ebene) der Fig. 1 in einer zweiten Koordinatenrichtung (X-Achse) übereinander angeordnete Diodenlaserbarren aufweist, die jeweils in der ersten Koordinatenrichtung (Y- Achse) aufeinanderfolgend die Emitter besitzen, sowie mit der optischen Anordnung zur Fokussierung der Strahlen der einzelnen Emitter in einem gemeinsamen Brennfleck;
Fig. 4 und 5 Darstellungen wie Fig. 1 und 2 bei einer weiteren möglichen Ausführungsform;
Fig. 6 eine Darstellung wie Fig. 3 bei einer weiteren möglichen Ausführungsform.
In den Figuren sind zur einfacheren Orientierung der Beschreibung jeweils mit X, Y und Z die drei senkrecht zueinander verlaufenden Raumachsen oder Koordinatenrichtungen, nämlich die X-Achse, Y-Achse und Z-Achse bezeichnet.
Die in den Fig. 1 und 2 allgemein mit 1 bezeichnete Diodenlaseranordnung umfaßt bei der dargestellten Ausführungsform einen Diodenlaser 2, der im wesentlichen aus einem als Wärmesenke ausgebildetes Substrat 3 und aus einem an einer Schmalseite des quaderförmigen Substrates vorgesehenen Diodenlaserbarren 4 besteht. Der Barren 4 besitzt eine Vielzahl von Laserlicht aussendenden Emittern 5 und ist monolithisch von einem Halbleiter-Chip gebildet. Der Diodenlaserbarren 4 erstreckt sich in Richtung der Y-Achse, d. h. senkrecht zu der Zeichenebene der Fig. 1 (X-Z- Ebene). In Richtung der Y-Achse folgen auch die einzelnen Emitter 5 in dem Barren 4 aufeinander. Die aktive Schicht der Emitter liegt in der Y-Z-Ebene.
Die einzelnen Emitter liefern einen Laserstrahl, der sowohl in der Fast-Axis, d. h. in der X-Achse bzw. in der X-Z-Ebene, als auch in der Slow-Axis, d. h. in der Y-Achse bzw. in der Y-Z-Ebene eine Divergenz aufweisen. Zur Behebung dieser Strahlendivergenz werden optische Korrekturelemente verwendet, und zwar insbesondere unmittelbar an dem Laserbarren 4 ein Fast-Axis-Kollimator 6 und im weiteren Strahlengang, d. h. bei der für die Fig. 1 und 2 gewählten Darstellung in Richtung der Z-Achse auf den Diodenlaser 2 folgend ein weiteres optisches Element bzw. Slow-Axis-Kollimator. Die beiden Kollimatoren 6 und 7 sind jeweils optische Elemente mit Zylinderlinseneigenschaften, wobei die Zylinderlinsenachse des Kollimators 6 in Richtung der Y-Achse und die Zylinderlinsenachse des Kollimators 7 in Richtung der X- Achse orientiert sind. Vorgesehen ist weiterhin eine Fokussieroptik 8, mit der die einzelnen Emitter 5 des Diodenlasers 2 in einem gemeinsamen Brennfleck 9 abgebildet werden.
Um trotz der relativ großen Länge (z. B. 10 mm), die der Barren 4 in der Y-Achse aufweist, für den Brennfleck 9 in dieser Achse bzw. in einer der Y-Achse entsprechenden Achse kleine Abmessungen zu erreichen, ist der Fast-Axis-Kollimator 6 segmentiert, d. h. er besteht bei der dargestellten Ausführungsform aus zwei Segmenten, die jeweils Zylinderlinseneigenschaften mit einer Zylinderachse in der Y- Achse besitzen und die bei der dargestellten Ausführunsform tatsächlich von zwei Zylinderlinsen 6' gebildet sind. Die beiden Zylinderlinsen 6' sind getrennte Elemente und individuell so justiert, daß sämtliche Emitter 5 jeweils auf nutzbare Flächen der Zylinderlinsen 6' strahlen. Die Strahlachsen der beiden durch die Zylinderlinsen 6' kollimierten Teilstrahlen 10 der beiden Gruppen bzw. Hälften von Emittern 5 schließen mit mit der Y-Z-Ebene jeweils einen spitzen Winkel ein, der sich in Strahlungsrichtung öffnet, und zwar bei der Darstellung der Fig. 1 die Strahlachse der Strahlen 10 der einen Gruppe von Emittern 5 ausgehend von der Y-Z-Ebene einen positiven Winkel und die Strahlachse der Strahlen 10 der anderen Gruppe einen negativen Winkel.
Im Strahlengang befindet sich weiterhin ein optisches Element, welches bei der dargestellten Ausführung ein durchstrahltes Mehrfach-Prismas 11 ist, und zwar mit einer der Anzahl der Segmente des Kollimators 6 entsprechenden Anzahl von Einzel- Prismen (Platten 12), die so ausgebildet sind, daß die beiden kollimierten, aber mit ihren Strahlachsen einen Winkel miteinander einschließenden Teilstrahlen oder Strahlenbündel 10 und 10 in jeweils ein Strahlenbündel 10' umgewandelt werden, die parallel zueinander und parallel zu der X-Z-Ebene liegen. Weiterhin ist das Mehrfach- Prismas 11 so ausgebildet, daß die Strahlenbündel 10' in Blickrichtung auf die Y-Z- Ebene (Fig. 2) deckungsgleich übereinander geschoben sind. Durch diese Ausbildung des Fast-Axis-Kollimatos 6 und dem optischen Element 11 wird erreicht, daß beide Gruppen von Emittern 5 in dem gemeinsamen Brennfleck 9 unmittelbar übereinander als verkürzte Linien oder als gemeinsame verkürzte Linie abgebildet werden (Fig. 2), d. h. die Ausdehnung des Brennflecks 9 also in Richtung der Y-Achse nur der halben Länge des Barrens 4 entspricht.
Das Mehrfach-Prismas 11 besteht bei der dargestellten Ausführungsform aus zwei Platten 12 mit zwei parallelen Längsseiten 13 und 14. Die aus Glas oder einem anderen optischen Material hergestellten Platten 12 sind mit ihren Plattenebenen in der Y-Z-Ebene angeordnet. Die Längsseite 13 jeder Platte 12 bildet die Eintrittsseite für die Strahlenbündel 10 und die Längsseiten 14 der Ausstrittsseite für die umgelenkten Strahlenbündel 10'. Die Längsseiten 14 sind plan ausgeführt und liegen bei der dargestellten Ausführungsform jeweils in Ebenen senkrecht zur Y-Z-Ebene. Die ebenfalls planen Längsseiten 13 sind prismenartig bzw. als Schrägflächen ausgeführt, und zwar derart, daß die mit ihrer Strahlachse divergierenden Strahlenbündel 10 in die parallelen Strahlenbündel 10' umgeformt werden. Die Längsseiten 13 liegen hierfür jeweils in einer Ebene, die mit den Oberflächenseiten der Platten 12 einen spitzen Winkel einschließt, der sich in Strahlrichtung öffnet. Die Mittelebene des Mehrfach- Prismas 11 ist die Y-Z-Ebene und liegt bei der dargestellten Ausführungsform in der Ebene der aktiven Schicht der Emitter 5. Um die beiden Strahlenbündel 10' auch deckungsgleich übereinander zu schieben, sind die beiden Platten 12 des Mehrfach- Prismas 11 um die X-Achse relativ zueinander verdreht, und zwar derart, daß die Längsseiten 13 in ihrer Projektion auf die Y-Z-Ebene (Fig. 2) einen gemeinsamen Schnittpunkt 15 bilden, der auf der sich in Richtung der Z-Achse erstreckenden Längs- oder Mittelachse liegt, die auch durch den Spalt 16 zwischen den beiden Zylinderlinsen 6' verläuft, und an dem die Ränder der Längsseiten 13 einen Winkel kleiner als 180° miteinander einschließen, der sich zu dem Diodenlaser 2 hin öffnet.
Der Spalt 16 zwischen den Zylinderlinsen 6' ist so positioniert, daß er mittig zwischen zwei Emittern 5 liegt, so daß sämtliche Emitter 5 tatsächlich auf nutzbare Flächen der Zylinderlinsen 6' strahlen.
Die Fig. 3 zeigt als weitere mögliche Ausführungsform eine Diodenlaseranordnung 1a, die sich von der Diodenlaseranordnung 1 der Fig. 1 und 2 im wesentlichen nur dadurch unterscheidet, daß die Diodenlaseranordnung 1 in mehreren, in Richtung der X-Achse aufeinanderfolgenden Stapelebenen übereinander vorgesehen ist. Die Diodenlaser 2 bilden einen Diodenlaserstapel 17, in welchem mehrere Substrate 3 stapelartig aneinander anschließen, die an einer gemeinsamen Seite des Stapels 17 jeweils einen Barren 4 und einen Fast-Axis-Kollimator 6 aufweisen, der bei der Diodenlaseranordnung 1a wiederum von zwei Segmenten bzw. von zwei Zylinderlinsen 6' gebildet ist.
Weiterhin ist für jede Stapellage ein Mehrfach-Prismas 11 vorgesehen, wobei diese Prismen 11 ein Stapelelement oder Stapelprisma 18 bilden, in welchem die Prismen 11 in Richtung der X-Achse stapelartig aneinander anschließen. Von den Segmenten 6' der Kollimatoren 6 jeder Stapellage werden somit jeweils zwei Strahlenbündel 10 gebildet, die dann in jeweils zwei parallele und in Draufsicht auf die Y-Z-Ebene deckungsgleiche Strahlenbündel 10' umgeformt werden. Weiterhin ist die Anordnung so getroffen, daß sämtliche Strahlenbündel 10' aller Stapelebenen in Blickrichtung auf die Y-Z-Ebene deckungsgleich übereinander liegen. Für die Slow-Axis-Kollimation ist der gemeinsame Kollimator 7 vorgesehen. Weiterhin ist für die Fokussierung in dem gemeinsamen Brennpunkt 9 eine gemeinsame Fokussieroptik 8 vorgesehen.
Die Fig. 4 und 5 zeigen als weitere mögliche Ausführungsform eine Diodenlaseranordnung 1b, die sich von der Diodenlaseranordnung 1 lediglich dadurch unterscheidet, daß anstelle des zweifach segmentierten Kollimators 6 ein dreifach segmentierter Kollimator 6b vorgesehen ist, der aus drei in Richtung der Y-Achse aufeinanderfolgenden Zylinderlinsen 6b' besteht, die mit ihrer Zylinderachse jeweils in der Y-Achse angeordnet sind.
Die Zylinderlinsen 6b' sind so justiert, daß das von dem Barren 4 ausgesandte Laserlicht drei Strahlenbündel 10b bildet, von denen das in der Fig. 4 mittlere Strahlenbündel 10b in der Y-Z-Ebene liegt und die beiden äußeren Strahlenbündel 10b gegenüber dieser Ebene leicht geneigt sind, wie dies vorstehend für die Strahlenbündel 10 beschrieben wurde. Mit dem Mehrfach-Prisma 11b, welches von seiner optischen Funktion einem Dreifach-Prisma entspricht, werden die Strahlenbündel 10b in drei Strahlenbündel 10b' umgeformt, die parallel zueinander und parallel zu der Y-Z-Ebene liegen und in Richtung der X-Achse übereinander angeordnet sind. Weiterhin liegen sämtliche Strahlenbündel 10b' in Draufsicht auf die Y-Z-Ebene deckungsgleich übereinander, so daß die drei Gruppen von Emittern 5, die den Strahlungsbündeln 10b bzw. 10b' entsprechen, in dem Brennfleck 9 als benschbarte verkürzte Linien oder als eine verkürzte Linie abgebildet werden, die bei dieser dreifachen Segmentierung des Kollimators 6 und bei der entsprechenden Ausbildung des Prismas 11b einem Drittel der Gesamtlänge des Barrens 4 entspricht.
Das Prisma 11 besteht aus drei mit ihren Oberflächenseiten jeweils in der Y-Z-Ebene angeordneten Platten, und zwar aus den beiden äußeren Platten 12, deren Ausbildung und Orientierung der Ausbildung und Orientierung der Platten 12 der Diodenlaseranordnung 1 entspricht, sowie aus der mittleren Platte 12b, die zwischen den Platten 12 angeordnet ist und anstelle der prismenartig geneigten vorderen Längsseite 13 eine plane Längsseite 13b aufweist, die parallel zu der rückwärtigen Längsseite 14b liegt, und zwar in der X-Y-Ebene. Die Platten 12 und 12b sind wiederum relativ zueinander um eine gedachte X-Achse verdreht, und zwar derart, daß die Projektion der Ränder der Längsseiten 13 der Platten 12 auf die Y-Z-Ebene wiederum den Schnittpunkt 15 bilden und mit der Mittelachse M jeweils einen Winkel kleiner als 90° einschließen, der sich zu dem Diodenlaser 2b hin öffnet.
Mit 2b ist der Diodenlaser bezeichnet, der wiederum aus dem Substrat 3, dem Barren 4 und dem dreifach segmentierten Kollimator 6b besteht.
Die Fig. 5 zeigt als weitere Ausführungsform eine Diodenlaseranordnung 1c, die dadurch erhalten ist, daß mehrere Diodenlaseranordnungen 1b in mehreren in Richtung der X-Achse aufeinanderfolgenden Stapelebenen stapelartig übereinander vorgesehen sind. Die die Diodenlaser 2b bilden hierfür einen Diodenlaserstapel 17c, in gleicher Weise wie dies vorstehend für die Diodenlaser 2 bei dem Stapel 17 der Diodenlaseranordnung 1a beschrieben wurde. Weiterhin bilden die Mehrfach-Prismen 11b einen Stapel bzw. ein Stapel-Prisma 18c, so daß die Strahlen der drei Emittergruppen jedes Barrens 4 in drei parallele, deckungsgleich übereinander angeordnete Strahlenbündel 10b' umgewandelt werden. Für sämtliche Emitter 5 ist ein gemeinsamer Fast-Axis-Kollimator 7 sowie eine gemeinsame Fokussieroptik 8 vorgesehen, um die Emitter in einen gemeinsamen Brennpunkt abzubilden.
Mit den beschriebenen Ausführungsformen läßt sich somit durch die Bildung wenigstens zweier Strahlenbündel für jeden Barren 4 und durch das Übereinanderschieben dieser Strahlenbündel eine wesentliche Verkleinerung der Breite des Brennfleckes 9 in der Y-Achse erreichen, und zwar bei den Diodenlaseranordnungen 1 und 1a um den Faktor 1/2 und bei den Diodenlaseranordnungen 1b und 1c um den Faktor 1/3.
Durch eine entsprechende hohe Segmentierung oder Aufteilung läßt sich weiterhin selbst bei einfachen Diodenlaseranordnungen mit nur einer Ebene erreichen, daß der Fokus-Punkt 9 sowohl in der X-Achse als auch in der Y-Achse gleiche Abmessung aufweist, und zwar trotz der Längenausdehnung des Barrens 4 in der Y-Achse.
Bei der gestapelten Ausbildung, d. h. bei den Diodenlaseranordnungen 1a und 1c ist darauf zu achten, daß es am Eintritt, d. h. an den Längsseiten 13 bzw. 13b nicht zu einer Überlappung der Teilstrahlen bzw. Strahlenbündel 10 bzw. 10b kommt. Der erforderliche Abstand entspricht bei der Diodenlaseranordnung 1a näherungsweise dem Zweifachen des Durchmessers des jeweiligen Strahlenbündels in Richtung der X- Achse an der Position des Stapelelementes 17 bzw. 18. Bei der Laserdiodenanordnung lc beträgt der notwendige Abstand der Barren 4 in X-Richtung etwa dem Dreifachen des Strahlendurchmessers.
Die Größe der Segmentierung (Teilungszahl) des Fast-Axis-Kollimators, die schließlich bei entsprechender Ausbildung des prismenartigen Umformelementes zu einem Brennpunkt 9 mit gleichen Abmessungen in der X-Y-Ebene führt, hängt im wesentlichen von den Strahlqualitäten in der X-Z-Ebene und der Y-Z-Ebene ab.

Claims (46)

1. Optische Anordnung zur Abbildung mehrerer, in wenigstens einer Reihe (4) angeordneter Emitter (5) einer Laserdiodenanordnung (1, 1a, 1b, 1c) in einem gemeinsamen Raumbereich oder Brennfleck (9), wobei die Emitter (5) der wenigstens einen Reihe (4) mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen Ebene (Y-Z-Ebene) angeordnet sind, und zwar in dieser Ebene in einer ersten Koordinatenrichtung (Y-Achse) aufeinander folgend, wobei die optische Anordnung für die Emitter (5) der wenigstens einen Reihe (4) zur Kollimation der Laserstrahlung in einer zweiten, senkrecht zur gemeinsamen Ebene (X-Z-Ebene) verlaufenden Koordinatenrichtung (X-Achse) einen Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) für jede Reihe (4) von Emittern (5) segmentiert ist und aus wenigstens zwei in der ersten Koordinatenrichtung (Y-Achse) aufeinander folgenden Einzelkollimatoren oder Kollimatorsegmenten (6', 6b') besteht, daß die Einzelkollimatoren (6', 6b') derart justiert sind, daß sie in der Fast-Axis (X-Achse) kollimierte Teilstrahlen (10, 10b) mit divergierenden Strahlachsen bilden, die am Eintritt in eine Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) in der zweiten Koordinatenrichtung oder in einer dieser Koordinatenrichtung entsprechenden Achsrichtung gegeneinander versetzt sind, und daß die Mehrfach-Prismenanrodnung (11, 18, 18c) aus mehreren Einzelprismen (12, 12b) besteht, die die Teilstrahlen (10, 10b) mit divergierenden Strahlachsen in Teilstrahlen (10', 10b') umformt, die mit ihren Strahlachsen parallel oder in etwa parallel zueinander liegen.
2. Optische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) die Teilstrahlen in ihrer Strahlebene (Y-Z-Ebene) derart verschiebt, daß sie sich in einer Blickrichtung senkrecht zur Strahlebene zumindest teilweise überlappen.
3. Optische Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) die Teilstrahlen so umformt, daß diese mit ihren Strahlachsen in einer gemeinsamen Ebene (X-Z-Ebene) oder in etwa einer gemeinsamen Ebene liegen.
4. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente (6', 6b') des Fast-Axis-Kollimators (6, 6b) jeder Reihe von Emittern (5) unabhängig justierte und fixierte Einzelelemente sind.
5. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Reihe (4) von Emittern (5) eine Mehrfach- Prismenanordnung (11) vorgesehen ist.
6. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Einzelprismen (12, 12b) der Mehrfach- Prismenanordnung für jede Reihe (4) von Emittern (5) gleich der Anzahl der Kollimatorsegmente (6', 6b') dieser Reihe (4) von Emittern ist.
7. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Einzelprismen (12, 12b) der Mehrfach- Prismenanordnung für jede Reihe (4) von Emittern (5) gleich einem ganzzahligen Vielfachen der Anzahl der Kollimatorsegmente (6', 6b') dieser Reihe (4) von Emittern ist.
8. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) der wenigstens einen Reihe von Emittern (5) zwei oder drei Segmente aufweist.
9. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschlußbereich oder Spalt (16) zwischen zwei aufeinander folgenden Kollimatorsegmenten zwischen zwei Emittern (5), vorzugsweise in der Mitte oder aber etwa in der Mitte zwischen zwei Emittern (5) vorgesehen ist.
10. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente (6', 6b') jeweils optische Elemente mit der Eigenschaft einer Zylinderlinse sind.
11. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente Zylinderlinsen (6', 6b') sind.
12. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, daß die wenigstens eine Reihe von Emittern (5) von einem Diodenlaserbarren (4) gebildet ist.
13. Optische Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Diodenlaserbarren (4) ein Halbleiterlaserchip mit mehreren Emittern (5) ist.
14. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Reihen (4) von Emittern (5) in der zweiten Koordinatenrichtung (X-Achse) aufeinanderfolgend in einem Diodenlaserstapel (17, 17c) vorgesehen sind, und daß jeder Reihe (4) von Emittern (5) ein eigener, segmentierter Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) zugeordnet ist.
15. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Reihe von Emittern (5) ein eigenes Mehrfach-Prisma (11) zugeordnet ist.
16. Optische Anordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach-Prismen (11) einen Stapel (18, 18c) bilden.
17. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelprismen jeweils von Platten (12, 12b) gebildet sind, die von den Teilstrahlen parallel zu ihren Oberflächenseiten durchdrungen werden, und daß jede Platte an zwei einander gegenüberliegenden Plattenseiten (13, 14; 13b, 14b) einen Lichteintritt und einen Lichtaustritt für die Teilstrahlen bilden.
18. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) stapelartig zu dem jeweiligen Mehrfach- Prisma miteinander verbunden sind.
19. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) mit ihren Oberflächenseiten jeweils in einer Ebene senkrecht zur Fast-Axis angeordnet sind.
20. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) relativ zu einander um eine Achse (X- Achse) senkrecht zu ihrer Plattenebene verdreht sind.
21. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12) zumindest teilweise an der Lichteintrittsseite (13, 13b) und/oder an der Lichtaustrittsseite (14, 14b) mit einer gegenüber der Ebene der Platten (12, 12b) geneigte Fläche ausgebildet sind.
22. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine weitere, in Richtung der Strahlachse (Z-Achse) auf den Fast-Axis- Kollimator (6, 6b) folgende optische Einrichtung (7) zur Strahl-Formung, insbesondere zur Slow-Axis-Kollimation.
23. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Fokussieroptik (8) zum Abbilden der Reihen (4) von Emittern (5) in einem gemeinsamen Brennfleck (9).
24. Diodenlaser mit einer Laserdiodenanordnung (1, 1a, 1b, 1c), die wenigstens einen Laserdiodenbarren (4) mit mehreren Emittern (5) aufweist, die in einer ersten Koordinatenrichtung (Y-Achse) aufeinander folgend mit ihrer aktiven Schicht in einer gemeinsamen Ebene (Y-Z-Ebene) angeordnet sind, sowie mit einer optischen Anordnung zur Abbildung der Emitter (5) in einem gemeinsamen Raumbereich oder Brennfleck (9), wobei die optische Anordnung für die Emitter (5) der wenigstens einen Reihe (4) zur Kollimation der Laserstrahlung in einer zweiten, senkrecht zur gemeinsamen Ebene (X-Z-Ebene) verlaufenden Koordinatenrichtung (Fast-Axis, X- Achse) einen Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) für jede Reihe (4) von Emittern (5) segmentiert ist und aus wenigstens zwei in der ersten Koordinatenrichtung (Y-Achse) aufeinander folgenden Einzelkollimatoren oder Kollimatorsegmenten (6', 6b') besteht, daß die Einzelkollimatoren (6', 6b') derart justiert sind, daß sie in der Fast-Axis (X-Achse) kollimierte Teilstrahlen (10, 10b) mit divergierenden Strahlachsen bilden, die am Eintritt in eine Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) in der zweiten Koordinatenrichtung oder in einer dieser Koordinatenrichtung entsprechenden Achsrichtung gegeneinander versetzt sind, und daß die Mehrfach-Prismenanrodnung (11, 18, 18c) aus mehreren Einzelprismen (12, 12b) besteht, die die Teilstrahlen (10, 10b) mit divergierenden Strahlachsen in Teilstrahlen (10', 10b') umformt, die mit ihren Strahlachsen parallel oder in etwa parallel zueinander liegen.
25. Diodenlaser nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) die Teilstrahlen in ihrer Strahlebene (Y-Z-Ebene) derart verschiebt, daß sie sich in einer Blickrichtung senkrecht zur Strahlebene zumindest teilweise überlappen.
26. Diodenlaser nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach- Prismenanordnung (11, 18, 18c) die Teilstrahlen so umformt, daß diese mit ihren Strahlachsen in einer gemeinsamen Ebene (X-Z-Ebene) oder in etwa einer gemeinsamen Ebene liegen.
27. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente (6', 6b') des Fast-Axis-Kollimators (6, 6b) jeder Reihe von Emittern (5) unabhängig justierte und fixierte Einzelelemente sind.
28. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Reihe (4) von Emittern (5) eine Mehrfach-Prismenanordnung (11) vorgesehen ist.
29. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Einzelprismen (12, 12b) der Mehrfach-Prismenanordnung für jede Reihe (4) von Emittern (5) gleich der Anzahl der Kollimatorsegmente (6', 6b') dieser Reihe (4) von Emittern ist.
30. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Einzelprismen (12, 12b) der Mehrfach-Prismenanordnung für jede Reihe (4) von Emittern (5) gleich einem ganzzahligen Vielfachen der Anzahl der Kollimatorsegmente (6', 6b') dieser Reihe (4) von Emittern ist.
31. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) der wenigstens einen Reihe von Emittern (5) zwei oder drei Segmente aufweist.
32. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschlußbereich oder Spalt (16) zwischen zwei aufeinander folgenden Kollimatorsegmenten zwischen zwei Emittern (5), vorzugsweise in der Mitte oder aber etwa in der Mitte zwischen zwei Emittern (5) vorgesehen ist.
33. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente (6', 6b') jeweils optische Elemente mit der Eigenschaft einer Zylinderlinse sind.
34. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollimatorsegmente Zylinderlinsen (6', 6b') sind.
35. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, daß die wenigstens eine Reihe von Emittern (5) von einem Diodenlaserbarren (4) gebildet ist.
36. Diodenlaser nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß der Diodenlaserbarren (4) ein Halbleiterlaserchip mit mehreren Emittern (5) ist.
37. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Reihen (4) von Emittern (5) in der zweiten Koordinatenrichtung (X- Achse) aufeinanderfolgend in einem Diodenlaserstapel (17, 17c) vorgesehen sind, und daß jeder Reihe (4) von Emittern (5) ein eigener, segmentierter Fast-Axis- Kollimator (6, 6b) zugeordnet ist.
38. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Reihe von Emittern (5) ein eigenes Mehrfach-Prisma (11) zugeordnet ist.
39. Diodenlaser nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfach- Prismen (11) einen Stapel (18, 18c) bilden.
40. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelprismen jeweils von Platten (12, 12b) gebildet sind, die von den Teilstrahlen parallel zu ihren Oberflächenseiten durchdrungen werden, und daß jede Platte an zwei einander gegenüberliegenden Plattenseiten (13, 14; 13b, 14b) einen Lichteintritt und einen Lichtaustritt für die Teilstrahlen bilden.
41. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) stapelartig zu dem jeweiligen Mehrfach-Prisma miteinander verbunden sind.
42. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) mit ihren Oberflächenseiten jeweils in einer Ebene senkrecht zur Fast-Axis angeordnet sind.
43. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12, 12b) relativ zu einander um eine Achse (X-Achse) senkrecht zu ihrer Plattenebene verdreht sind.
44. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (12) zumindest teilweise an der Lichteintrittsseite (13, 13b) und/oder an der Lichtaustrittsseite (14, 14b) mit einer gegenüber der Ebene der Platten (12, 12b) geneigte Fläche ausgebildet sind.
45. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine weitere, in Richtung der Strahlachse (Z-Achse) auf den Fast-Axis-Kollimator (6, 6b) folgende optische Einrichtung (7) zur Strahl-Formung, insbesondere zur Slow- Axis-Kollimation.
46. Diodenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Fokussieroptik (8) zum Abbilden der Reihen (4) von Emittern (5) in einem gemeinsamen Brennfleck (9).
DE19841285A 1998-09-09 1998-09-09 Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser Expired - Lifetime DE19841285C1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19841285A DE19841285C1 (de) 1998-09-09 1998-09-09 Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19841285A DE19841285C1 (de) 1998-09-09 1998-09-09 Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19841285C1 true DE19841285C1 (de) 2000-06-08

Family

ID=7880423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19841285A Expired - Lifetime DE19841285C1 (de) 1998-09-09 1998-09-09 Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19841285C1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10118788A1 (de) * 2001-04-18 2002-10-24 Lissotschenko Vitalij Anordnung zur Kollimierung des von einer Laserlichtquelle ausgehenden Lichts sowie Strahltransformationsvorrichtung für eine derartige Anordnung
US6533703B2 (en) 2000-02-04 2003-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for controlling a motor vehicle drive and a motor vehicle drive that is controlled using the method
EP2219064A1 (de) 2009-02-13 2010-08-18 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
DE102009031046A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19705574A1 (de) * 1997-02-01 1998-08-06 Laserline Ges Fuer Entwicklung Laseroptik sowie Diodenlaser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19705574A1 (de) * 1997-02-01 1998-08-06 Laserline Ges Fuer Entwicklung Laseroptik sowie Diodenlaser

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6533703B2 (en) 2000-02-04 2003-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for controlling a motor vehicle drive and a motor vehicle drive that is controlled using the method
DE10118788A1 (de) * 2001-04-18 2002-10-24 Lissotschenko Vitalij Anordnung zur Kollimierung des von einer Laserlichtquelle ausgehenden Lichts sowie Strahltransformationsvorrichtung für eine derartige Anordnung
EP2219064A1 (de) 2009-02-13 2010-08-18 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
US8520311B2 (en) 2009-02-13 2013-08-27 Laserline Gesellschaft Fur Entwicklung Und Vertrieb Von Diodenlasern Mbh Laser optics and diode laser
DE102009031046A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser
DE102009031046B4 (de) * 2009-06-30 2013-12-05 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Laseroptik sowie Diodenlaser

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19939750C2 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung
DE19537265C1 (de) Anordnung zur Zusammenführung und Formung der Strahlung mehrerer Laserdiodenzeilen
EP0803075B1 (de) Optische anordnung zur verwendung bei einer laserdiodenanordnung
EP0863588B1 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
DE19500513C1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung
DE19645150C2 (de) Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von Laserdioden
DE19839902C1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser
DE19800590B4 (de) Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung eines oder mehrerer übereinander angeordneter Hochleistungsdiodenlaser
EP2219064B1 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
DE19813127A1 (de) Laservorrichtung
EP1062540A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur optischen strahltransformation
DE19705574C2 (de) Laseroptik zum Umformen wenigstens eines Laserstrahls und Diodenlaser mit einer solchen Laseroptik
DE102011016253B4 (de) Diodenlaser
DE19918444C2 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
DE19841285C1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser
DE10012480C2 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
DE10062453B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
EP1176450A2 (de) Anordnung und Vorrichtung zur optischen Strahltransformation
DE10007123A1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen Anordnung
DE10062454B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE102009031046A1 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
EP3111267B1 (de) Lichtleitvorrichtung und vorrichtung umfassend eine lichtleitvorrichtung und mittel zur ausstrahlung linear angeordneter, paralleler lichtstrahlen
DE10014940A1 (de) Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter Strahlung
DE102009008918A1 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser

Legal Events

Date Code Title Description
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right