DE19780124B4 - Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser - Google Patents

Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser Download PDF

Info

Publication number
DE19780124B4
DE19780124B4 DE19780124T DE19780124T DE19780124B4 DE 19780124 B4 DE19780124 B4 DE 19780124B4 DE 19780124 T DE19780124 T DE 19780124T DE 19780124 T DE19780124 T DE 19780124T DE 19780124 B4 DE19780124 B4 DE 19780124B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser
radiation
offset
arrangement according
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19780124T
Other languages
English (en)
Other versions
DE19780124D2 (de
Inventor
Keming Du
Peter Loosen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE19780124T priority Critical patent/DE19780124B4/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19780124D2 publication Critical patent/DE19780124D2/de
Publication of DE19780124B4 publication Critical patent/DE19780124B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Abstract

Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfelds mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser mit mehreren Lasern und/oder Laserfeldanordnungen, deren jeweilige Strahlaustrittsöffnungen in einer in der x-y-Ebene liegenden Richtung verlaufen und deren Strahlenbündel jeweils in der z-Richtung abgestrahlt werden, wobei die x-, y- und z-Richtungen ein rechtwinkliges Koordinatensystem festlegen, mit einem optischen Aufbau zur Erzeugung eines definierten Querschnitts eines Strahlungsfelds, wobei der optische Aufbau reflektive, zueinander versetzte Elemente aufweist und wobei jedem Laser oder jeder Laserfeldanordnung mindestens ein reflektives Element zugeordnet ist, auf das die Strahlung des jeweiligen Lasers oder der jeweiligen Laserfeldanordnungen geführt wird und an dem die Strahlung reflektiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Laser oder jede Laserfeldanordnung (2) in Bezug auf den benachbarten Laser oder die benachbarte Laserfeldanordnung (2) sowohl in x-Richtung als auch in y-Richtung versetzt ist und daß die Reflexionsflächen (13) der reflektiven Elemente (12; 18) in Ebenen angeordnet sind, die einen Versatz und/oder eine Verkippung derart...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfelds mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Eine solche Anordnung ist aus der US-PS 4,978,197 bekannt, bei der mehrere Laser in einer Reihe in der x-Richtung und eine zweite Reihe Laser, ebenfalls in x-Richtung, hintereinander angeordnet sind. Die einzelnen Laserstrahlen, betrachtet man eine lineare Anordnung der Strahlquellen, die sich in x-Richtung hintereinander er strecken, fallen auf jeweilige, diesen Strahlen zugeordnete Spiegel, die zueinander versetzt sind, und zwar in der z-Richtung. Die einzelnen Strahlen werden an den Spiegeln umgelenkt und auf einen Polarisationsstrahlteiler geführt und nochmals umgelenkt. Das Strahlungsfeld der zweiten linearen Anordnung wird entsprechend der ersten Anordnung wiederum an Prismenspiegeln reflektiert und auf einen Umlenkspiegel geführt, um die Strahlen dann in dem Polarisationsstrahlteiler an dessen halbdurchlässiger Spiegelfläche mit den einzelnen Strahlungsanteilen der ersten linearen Feldanordnung zu vereinigen, so daß sich aus den Strahlungsanteilen kombinierte Strahlen ergeben.
  • Diodenlaser sind aufgrund ihres hohen Wirkungsgrads und deren geringen Abmessungen von großem Interesse. Allerdings ist die Ausgangsleistung jedes einzelnen Diodenlaseremitters auf einige hundert mW begrenzt. Zur Steigerung der Leistungsfähigkeit werden Diodenlaseremitter in der pn-Übergangsebene als eine Emittergruppe zusammengefaßt. Eine solche Gruppe, die beispielsweise aus 20 Emittern aufgebaut ist, kann eine Leistung von einigen Watt abgeben. Zur weiteren Erhöhung der Ausgangsleistung werden darüberhinaus mehrere Emittergruppen in der pn-Übergangsebene nebeneinander angeordnet. Dadurch entsteht ein sogenannter Diodenlaserbarren, dessen Breite typischerweise 10 mm beträgt. Mit solchen Diodenlaserbarren können einige 10 Watt erzielt werden.
  • Für Anwendungen, wie beispielsweise auf dem Gebiet der Materialbearbeitung, werden allerdings Leistungen oberhalb einiger 100 Watt benötigt. Um zu diesen Leistungen zu gelangen, werden mehrere Diodenlaserbarren in der Fast-Richtung übereinander gestapelt. Es entsteht ein Diodenlaserstack bzw. eine Diodenlaserfeldanordnung, auch als Diodenlaserarray bezeichnet, wie dies in 2 der beigefügten Zeichnungen schematisch dargestellt ist. Eine detailliertere Beschreibung der 2 ist in der nachfolgenden Beschreibung der einzelnen Figuren vorgenommen, auf die an dieser Stelle verwiesen wird.
  • Ein wesentliches Problem, insbesondere bei der Skalierung der Leistungen von Diodenlasern zu höheren Leistungen hin, ergibt sich durch die starken, thermischen Belastungen. Um ausreichend Wärme abzuführen, müssen entsprechende Wärmesenken für die Diodenemitter vorgesehen werden. Große Wärmesenken, d.h. entsprechend dimensionierte Kühlkörper, sind konträr zu dem Ziel, die Diodenlaseremitter bzw. die Strahlungsaustrittsflächen der Emitter möglichst dicht zueinander zu stapeln, um die erwünschten, hohen Leistungsdichten zu erhalten. Aus diesem Grund ist es herkömmliche Praxis, die Wärmesenken als dünne Platten aufzubauen, die typischerweise eine Dicke von 1 mm bis 1,5 mm aufweisen. Derartig dünne Wärmesenken leisten aber zum einen keine ausreichende Wärmeabfuhr, zum anderen sind sie thermisch und mechanisch nicht stabil genug, so daß erhebliche Fehljustierungen in Bezug auf die Emitterflächen zu beobachten sind und damit die definierte Strahlführung nicht gewährleistet ist.
  • Eine weitere Folge solcher dünnen Wärmesenken ist, daß enge Fertigungstoleranzen eingehalten werden müssen. Geringe Abweichungen von diesen Fertigungstoleranzen führen zu Fehlern in Bezug auf die Abstrahlrichtung, was durch nachgeschaltete optische Einrichtungen praktisch nicht korrigiert werden kann.
  • Weiterhin ist es problematisch, die einzelnen übereinander gestapelten Diodenlaserbarren zusammen mit den dünnen Wärmesenken gegen Wasser, das als aktives Kühlfluid dient, abzudichten und gleichzeitig den elektrischen Kontakt für die Stromversorgung herzustellen, ohne daß hierbei die Abstrahlrichtung der einzelnen Diodenlaseremitter negativ beeinflußt wird.
  • Schließlich ist anzuführen, daß dann, wenn ein einzelner Diodenlaserbarren ausgefallen ist, der ganze Stapel, der aus einer Vielzahl von Diodenlaserbarren aufgebaut ist, zerlegt werden muß, da ansonsten die innenliegenden Barren nicht zugänglich sind. Bei dem erneuten Zusammenbau muß dann die gesamte nachgeschaltete Optik neu justiert werden.
  • Aufgrund der vorstehenden Nachteile und der mit einer herkömmlichen Stapelung von Diodenlaserbarren verbundenen Problematik sind die herkömmlichen Diodenlaserfeldanordnungen nicht für bestimmte Anwendungen, wie die Fasereinkopplung, usw., wo eine Kollimation der Divergenz in Fast-Richtung erforderlich ist, geeignet. Weitere Verfahren, wie sie nach dem Stand der Technik bekannt sind, die aufwendige optische Einrichtungen verwenden, um die Strahlung einzelner Diodenlaseremitter oder Diodenlaserbarren zusammenführen, ergeben Strahlungsfelder, die in der Intensitätsverteilung senkrecht zur Ausbreitungsrichtung nicht definiert eingestellt werden können.
  • Ausgehend von der vorstehend geschilderten Problematik liegt der vorliegenden Erfindung nun die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfelds der Art, wie sie eingangs angegeben ist, so weiter zu bilden, daß die von einer Vielzahl von Diodenlaserfeldanordnungen bzw. Diodenlaserarrays abgegebene Strahlung, oder die Strahlung, die von einzelnen Diodenlaserbarren abgegeben wird, mit einfachen und kostengünstigen Maßnahmen zu Strahlungsfeldern einer gewünschten Anordnung und Verteilung der Leistungsdichte geformt
    und/oder zusammengefügt werden kann, und zwar mit einer hohen Packungsdichte der Laser, und mit denen gleichzeitig die nötige thermische und mechanische Stabilität gewährleistet wird.
  • Die vorstehende Aufgabe wird unter Weiterbildung der eingangs genannten, bekannten Anordnung dadurch gelöst, daß jeder Laser oder jede Laserfeldanordnung in Bezug auf den benachbarten Laser oder die benachbarte Laserfeldanordnung sowohl in x-Richtung als auch in y-Richtung versetzt ist und daß die Reflexionsflächen der reflektiven Elemente in Ebenen angeordnet sind, die einen Versatz
    und/oder eine Verkippung derart zueinander aufweisen, daß die jeweiligen, von den Reflexionsflächen reflektierten Strahlungsanteile senkrecht zur z-Richtung gegenüber dem Versatz der Strahlungsaustrittsflächen zueinander versetzt sind. Durch den jeweiligen Versatz benachbarter Laser oder Laserfeldanordnungen zueinander wird ausreichender Raum gewonnen, um die jeweiligen Diodenlaser, vorzugsweise Diodenlaserbarren, voneinander zu beabstanden, um diesen Freiraum für entsprechende Wärmesenken, auf denen die jeweiligen Diodenlaser oder Diodenlaserbarren angeordnet sind, auszunutzen. Dieser Versatz der einzelnen Laserdioden bzw. Laserdiodenbarren erfolgt in zwei zueinander senkrecht stehenden Richtungen, die nicht mit den Abstrahlrichtungen der Diodenlaser bzw. Diodenlaserbarren zusammenfallen. Um die Strahlen dann zu einem Strahlenfeld zusammenzuführen, werden reflektive Elemente eingesetzt, die einen Versatz derart haben, daß die jeweiligen Strahlenquerschnitte vorzugsweise zu einem Strahlenfeld zusammengeführt werden oder aber auch überlagert werden.
  • Wie noch nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele erläutert wird, werden die Strahlungen der Diodenlaser bzw. Diodenlaserbarren zunächst kollimiert, und zwar in der Fast-Richtung, das bedeutet in der Richtung senkrecht zu dem pn-Übergang der Diodenlaser, bevor die Strahlungen dann auf die Reflexionsflächen der jeweiligen Reflexionselemente fallen.
  • Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung ist derjenige, daß die Abstrahlflächen aller Diodenlaser bzw. Diodenlaserbarren in einer Ebene liegen können, was zu einer einfachen Justierbarkeit und räumlichen Anordnung der Diodenlaser hinsichtlich der elektrischen Kontaktierung und der Kühlwasserführung, falls aktiv gekühlt wird, führt. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung wird demzufolge bereits in Bezug auf die Diodenlaser oder die Diodenlaserbarren ein definierter Versatz erzeugt, beispielsweise unter treppenstufenartiger Anordnung der Strahlenaustrittsflächen, und zwar Betrachtung der Anordnung der Laserdioden oder Laserdiodenbarren in einer Draufsicht auf die Strahlenaustrittsfenster, während die versetzten Strahlenanteile dann mit den reflektiven Elementen wieder zusammengeführt werden. Durch diesen definierten, treppenstufenartigen Versatz ist die Voraussetzung geschaffen, die einzelnen Strahlungsanteile dann definiert zusammenzuschieben oder zu einem definierten Strahlungsfeld in einer in Austrittsebene zusammenzusetzen, wobei hierzu nur ein reflektives Element jedem Strahlenbündel zugeordnet wird, d.h. es ist nur ein minimaler optischer Aufbau erforderlich, mit der Folge, daß die Verluste sehr gering gehalten werden können.
  • Es wird ersichtlich, daß durch den Versatz der jeweiligen Laserdioden oder Laserdiodenbarren die jeweiligen Laser von oben und unten frei zugänglich sind und demzufolge an die Ausdehnung der Kühlkörper keine Grenzen gesetzt sind, da über diesen Raum beliebig verfügt werden kann; gleiches gilt für die Ausdehnung der Kühlkörper in einer Richtung entgegengesetzt zu den Abstrahlrichtungen der jeweiligen den Laser.
  • Weiterhin bietet die erfindungsgemäße Anordnung den Vorteil, daß die Leistung der Anordnung basierend auf einer Grundanordnung dieses treppenstufenartigen Versatzes der einzelnen Diodenlaser durch Hinzufügen von weiteren Diodenlasern zu einer Grundanordnung und durch eine Vergrößerung der Länge der Diodenlaserbarren selbst zu höheren Leistungen skaliert werden, ohne das Grundprinzip zu verlassen. Zum Beispiel kann die Anordnung aus jeweiligen Grundanordnungen aufgebaut werden, beispielsweise Kühlkörper mit zwei, drei oder mehreren einzelnen Treppenstufen, auf denen die Diodenlaser angeordnet werden, um dann mehrere der Grundeinheiten modulartig zusammenzusetzen. Gleiches gilt für die reflektiven Elemente, an denen die jeweiligen Strahlungsanteile reflektiert werden, die auch modulartig durch treppenstufenartige Grundkörper mit verspiegelten Flächen aufgebaut werden können.
  • Mit der erfindungsgemäßen Anordnung wird eine hohe mechanische und thermische Stabilität erzielt, insbesondere dann, wenn der Versatz der Laserdioden bzw. Laserdiodenbarren mittels eines Trägers erfolgt, der mehrere Diodenlaser oder Diodenlaserbarren auf treppenstufenartig versetzten Flächen trägt und gleichzeitig mit einer hohen Wärmekapazität ausgelegt wird, um die erforderliche Kühlung zu erzielen. Diese beiden Effekte wirken nicht gegenläufig, sondern ergänzen sich, da mit der größeren Dimensionierung der Trägerkörper zum einen eine effektivere Kühlung vorgenommen werden kann und zum anderen die mechanische Stabilität ansteigt.
  • Falls die Trägerkörper Fertigungstoleranzen zeigen, die zu groß sind, um die Diodenlaser exakt darauf anzuordnen, können die Diodenlaser durch eine nachträgliche Justierung auf den Trägerkörpern oder durch eine Justierung der dazu gehörigen, nachgeordneten, treppenstufenförmigen Spiegel-Elemente eingestellt werden, zumal die Diodenlaser so angeordnet werden können, daß sie gut zugänglich sind, da jeder Diodenlaserbarren bzw. jede Diodenlasereinheit nebeneinander versetzt angeordnet ist, d.h. problemlos zugänglich ist. In Bezug auf die Justierung können Ausrichtungsfehler durch eine direkte Stapelung der Diodenlaser oder Diodenlaserbarren vermieden werden, wie dies beim Stand der Technik auftritt, bei dem die einzelnen Diodenlaserbarren unmittelbar übereinander angeordnet sind. Beim Stand der Technik ist dann eine Justierung der dazwischenliegenden Diodenlaserbarren nicht möglich, da sie nicht zugänglich sind. Gerade eine solche Justierung ist mit der erfindungsgemäßen Anordnung gegeben, da jeder Diodenlaserbarren einzeln zugänglich ist und somit einer Justierung unterworfen werden kann. Schließlich ist zu erwähnen, daß dann, wenn bestimmte Diodenlaser oder Diodenlaserbarren ausfallen, nur die jeweilige Einheit, da sie gut zugänglich ist, ausgetauscht werden muß, gegebenenfalls mit der jeweiligen Kollimationsoptik und einer Neujustierung des neu eingesetzten Teils, wodurch der Serviceaufwand drastisch im Vergleich zur Anordnung nach dem Stand der Technik reduziert wird.
  • Die Anordnung bzw. der Versatz der jeweiligen Laser soll sequentiell der Reihenfolge der Laser entsprechen, d.h. es liegt ein treppenstufenartiger Versatz vor mit einer stetigen Steigung. Um unterschiedliche Weglängen der jeweiligen Laserstrahlungen bis zu einer definierten Austrittsebene nach den jeweiligen Reflexionsflächen auszugleichen bzw. die einzelnen Weglängen der Strahlen einander anzupassen, kann es von Vorteil sein, die Reflexionsflächen jeweils mit einem unterschiedlichen Abstand zu den ihnen zugeordneten Strahlaustrittsöffnungen der Laser zu positionieren. Durch diesen unterschiedlichen Versatz kann dann eine unterschiedliche Weglänge aufgrund der versetzten Anordnung der einzelnen Laser ausgeglichen bzw. angepaßt werden.
  • Eine weitere bevorzugte Maßnahme, die angewandt wird, um die einzelnen Weglängen der Strahlungsanteile der einzelnen Laser oder der Laserfeldanordnungen auszugleichen und anzupassen, ist dann möglich, wenn jedem Strahlungsanteil neben dem ersten reflektiven Element ein weiteres, zweites reflektives Element zugeordnet wird, wobei diese jeweils benachbarten zweiten reflektiven Elemente einen Versatz zueinander aufweisen derart, daß durch diesen Versatz die jeweiligen gesamten Weglängen, wenn man die einzelnen Strahlungsanteile miteinander vergleicht, angepaßt werden, so daß keine Wegdifferenzen an einer Austrittsebene vorhanden sind. Um einen einfachen Aufbau zu erzielen, der darüberhinaus leicht justierbar ist, sollten die jeweiligen Versätze und die jeweiligen Abstandsänderungen benachbarter Reflexionsflächen, wie dies vorstehend angesprochen ist, von gleicher Größe sein.
  • Ähnlich dem Trägerkörper, der dazu eingesetzt werden kann, die einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen, beispielsweise Diodenlaserfeldanordnungen oder Laserbarren, zu positionieren, können die Reflexionsflächen der Elemente durch einen treppenartig aufgebauten Spiegel gebildet werden, d.h. es wird ein Trägerkörper mit treppenstufenartig angeordneten Flächen verwendet, die verspiegelt werden, so daß die jeweiligen Flächen dieses treppenstufenartig aufgebauten Spiegels die Reflexionsflächen bilden. Hierdurch ist eine fest vorgegebene Zuordnung der jeweils benachbarten, einen Versatz zueinander aufweisenden Spiegelflächen gegeben, mit einer hohen mechanischen Stabilität. Vorzugsweise sind die Reflexionsflächen ebene Flächenbereiche, insbesondere dann, wenn die jeweiligen Strahlungsanteile parallele Strahlenbündel sind, die keine weitere Fokussierung oder Strahlaufweitung erfordern.
  • Zusätzlich können die einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen auch in der z-Richtung, d.h. in der Richtung, die der Abstrahlrichtung entspricht, versetzt werden, um dadurch die bereits vorstehend angesprochenen, unterschiedlichen Weglängen der einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen aneinander anzuordnen. Auch hierbei sollte der Versatz sequentiell der Reihenfolge der Laser entsprechen, um einen einfachen Aufbau zu erzielen, wiederum auch derart, daß der Versatz der Laser oder der Laserfeldanordnungen zu dem Versatz der reflektiven Elemente in der sequentiellen Reihenfolge korreliert ist.
  • Es sollte nochmals herausgestellt werden, daß der Versatz in der x-y-Richtung der einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen zueinander dazu dient, die Laserfeldanordnungen ausreichend voneinander zu beabstanden und einen Versatz der von den einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen abgestrahlten Strahlenbündel zu erreichen (die vorstehend angegebene x-y-Ebene liegt senkrecht zu der Strahlausbreitungsrichtung), dient der Versatz in der z-Richtung, d.h. in Richtung der Abstrahlrichtung, dazu, unterschiedliche Weglängen zu einer vorgegebenen Austrittsebene oder Bearbeitungsebene auszugleichen.
  • In Bezug auf den bereits eingangs erwähnten treppenstufenförmigen Träger, der bevorzugt eingesetzt wird, um die einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen zu positionieren, werden die Laser oder Laserfeldanordnungen, wie bereits aus der vorstehenden Erläuterung ersichtlich sein sollte, parallel zu der Längserstreckung der einzelnen Stufen eines solchen treppenstufenförmigen Trägers derart angeordnet, daß sie parallel zu diesen Stufen mit ihrer Hauptabstrahlrichtung abstrahlen. Ein solcher treppenstufenförmiger Träger ermöglicht, mit entsprechend lang ausgebildeten Treppenstufen, eine anwendungsspezifische Positionierung und Justierung der einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen in der z-Richtung, d.h. in Abstrahlrichtung, so daß mit einer solchen unterschiedlichen Justierung auf die Weglängen Einfluß genommen werden kann.
  • Da die erfindungsgemäße Anordnung, wie sie vorstehend erläutert ist, eine Möglichkeit bietet, mit einem relativ einfachen Aufwand die Strahlungsanteile einer Vielzahl von Laser oder Laserfeldanordnungen zu einem definierten Strahlungsprofil umzuordnen
    und/oder zusammenzuführen, ist es möglich, definiert diese Strahlungsanteile nach dem reflektiven Element in einen Lichtleiter oder ein Lichtwellenleiterarray bzw. -feld einzukoppeln, um dann die zusammengeführten Strahlungsanteile beispielsweise zu einem Bearbeitungsort zu führen, wie dies auch noch nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele erläutert und beschrieben wird.
  • Eine weitere Maßnahme, die bevorzugt in Verbindung mit den vorstehend angegebenen Anordnungen eingesetzt werden kann, ist diejenige, die Leistung mehrerer Laser oder Laserfeldanordnungen durch Polarisation und/oder Wellenlängenkopplung zusammenzuführen. Diese Maßnahme in Verbindung mit der erfindungsgemäßen Anordnung, wie sie vorstehend erläutert ist, d.h. die stufenartige Positionierung der einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen, betrachtet man deren Strahlungsaustrittsfläche in Draufsicht, und die Zusammenführung dieser Strahlungsanteile durch einen entsprechenden Versatz der danach folgenden reflektiven Elemente in Verbindung mit einer Leistungsaddition mittels Polarisation und/oder Wellenlängenkopplung, hat den Vorteil, daß die Leistung, ohne den Strahlquerschnitt zu vergrößern bzw. die Strahlqualität zu verringern, erhöht werden kann.
  • Soweit in der Beschreibung vorstehend speziell auf Diodenlaser Bezug genommen wird, so stellen diese Ausführungen bevorzugte Maßnahmen in Verbindung mit Diodenlaser dar; sie können aber auch analog auf andere Festkörperlaseranordnungen übertragen werden.
  • Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. In der Zeichnung zeigt
  • 1 eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform gemäß der Erfindung,
  • 2 eine schematische Darstellung, die den prinzipiellen Aufbau einer Diodenlaserfeldanordnung bzw. eines Laserdiodenarrays aus mehreren gestapelten Diodenlaserbarren zeigt,
  • 3 eine weitere schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, mit der gegenüber der ersten Ausführungsform die Weglängen der Strahlungsanteile der einzelnen Diodenlaserbarren in Bezug auf eine Austrittsebene angepaßt werden,
  • 4A und 4B eine weitere, dritte Ausführungsform, bei der die Diodenlaserbarren auf einem Träger in Abstrahlrichtung zueinander versetzt sind,
  • 5 eine Anordnung der dritten Ausführungsform der Erfindung, die beispielsweise dazu eingesetzt werden kann, Festkörperlaser zu pumpen, oder, mit einer entsprechenden, nachgeschalteten Optik, Werkstücke zu bearbeiten,
  • 6 eine Anordnung der dritten Ausführungsform, die eine Anwendung zeigt, bei der die Strahlungsanteile aufgeteilt und in ein Faserarray zum flexiblen Führen der Strahlen eingekoppelt werden,
  • 7 eine Anordnung der dritten Ausführungsform, die mit der Ausführungsform der 6 vergleichbar ist, bei der allerdings die Strahlungsanteile in das Ende einer einzelnen Faser eingekoppelt oder direkt auf ein Werkstück fokussiert werden,
  • 8 eine Anordnung der dritten Ausführungsform, die mit den prinzipiellen Anordnungen der 7 vergleichbar ist, bei der allerdings zusätzlich in den Strahlengang eine Prismenanordnung eingefügt ist,
  • 9 eine Anordnung der dritten Ausführungsform, wie sie auch in 6 gezeigt ist, gemäß der einzelne Gruppen der Diodenlaserbarren aktiv adressierbar sind, um das erzeugte Strahlenfeld im On-Line-Verfahren zu beeinflussen,
  • 10A schematisch eine vierte Ausführungsform, bei der anstelle jeweils eines Diodenlaserbarrens auf einer Stufe zwei Diodenlaser in y-Richtung übereinander gestapelt sind und mittels einer Polarisationsanordnung miteinander gekoppelt werden,
  • 10B zwei der Anordnung der 10A entsprechende Anordnungen, die in x-Richtung und in y-Richtung, und zwar auf einem treppenstufenartigen Halter, versetzt sind, wobei die Strahlungsanteile mittels dichroitischem Spiegel zusammengeführt werden, und
  • 10C eine weitere Anordnung ähnlich derjenigen der 10A und 10B.
  • Es ist darauf hinzuweisen, daß die Ausführungsform gemäß den Figuren auf die Formung und Führung der Strahlung von Diodenlaserfeldanordnungen bzw. Diodenlaserarrays, wie sie auch in der Literatur bezeichnet werden, gerichtet ist, allerdings die verschiedenen Ausführungsformen, wie sie nachfolgend anhand der Figuren erläutert werden, gleichermaßen auch bei Festkörperlasern angewandt werden können, wie ersichtlich werden wird.
  • Ein üblicher Aufbau einer Diodenlaserfeldanordnung sowie einer üblichen Maßnahme, um die Strahlung zu kollimieren, ist in 2 dargestellt.
  • Üblicherweise besteht ein Diodenlaserarray, in 2 mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnet, aus einzelnen Diodenlaserbarren 2, die übereinander gestapelt sind. Jeder Diodenlaserbarren 2 besteht aus einer linearen Anordnung emittierender Laserdioden, die mit ihren Strahlaustrittsöffnungen 3 auf einer geraden Linie und in einer gemeinsamen Ebene, die in 2 mit den rechtwinkligen Koordinaten x und y bezeichnet ist, mit einer Erstreckung des Diodenlaserbarrens in der x-Richtung, liegen. Aufgrund der Geometrie des aktiven Mediums solcher Diodenlaser tritt aus den Strahlaustrittsöffnungen 3 ein im Querschnitt typischerweise elliptischer Strahlkegel aus, wobei die große Achse senkrecht zu der Ebene des pn-Übergangs verläuft, d.h. in 2 in der y-Richtung, die auch als "Fast-Richtung" bezeichnet wird. Der typische Divergenzwinkel in dieser Richtung beträgt etwa 90°. Dagegen beträgt der Divergenzwinkel entsprechend der kleinen Achse des elliptischen Strahlkegels etwa 10°. Eine typische Breite solcher einzelnen Diodenlaserbarren, d.h. die Ausdehnung in der x-Richtung, beträgt etwa 10 mm. Die typische Leistung eines solchen Diodenlaserbarrens liegt bei einigen 10 W. Typischerweise werden bis zu 20 einzelne Diodenemitter in der x-Richtung zu einer linearen Anordnung, d.h. zu einem Diodenlaserbarren, zusammengefügt. Wie in 2 zu erkennen ist, ist jedem Diodenlaserbarren eine Wärmesenke in Form eines Kühlkörpers 4 zugeordnet, der, wenn er dünn in seinen Abmessung in der y-Richtung gehalten wird, typischerweise eine Dicke von 1 mm bis 1,5 mm aufweist.
  • Wie in 2 zu gezeigt ist, können zwar hohe Packungsdichten mit solchen Anordnungen erzielt werden, allerdings findet ein solches Diodenlaserarray seine Grenzen in der thermischen Stabilität der Wärmesenken oder Kühlkörper 4, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Um die Strahlung der Diodenlaserbarren 2 in der Fast-Richtung (y-Richtung) zu kollimieren, wird jedem Barren eine Mikrooptik in Form einer Zylinderlinse 5 zugeordnet. In Abstrahlrichtung der Diodenlaserbarren 2 gesehen, in 2 mit der Koordinate z bezeichnet, ist eine Zylinderoptik 6 nachgeschaltet, die die gesamten Strahlungsanteile der Diodenlaserbarren 2 in der Slow-Richtung kollimiert, so daß nach der Zylinderoptik 6 ein nahezu paralleles Strahlenbündel erzielt wird, das dann, mit einer photographischen Linse 7, zu einem Strahlungsfeld 8 kollimiert wird. Das Strahlungsfeld 8 besitzt typische Abmessungen von etwa 0,8 × (3-10) mm2.
  • Um die Kühlleistung und die mechanische Stabilität der Anordnung zu erhöhen, müssen die jeweiligen Kühlkörper 4 mit einer größeren Dicke, d.h. einer größeren Abmessung in der y-Richtung, dimensioniert werden, sieht man einmal von einer aktiven Kühlung mittels eines Kühlmediums ab, was zur Folge hat, daß die einzelnen Diodenlaserbarren 2 in der y-Richtung weiter voneinander beabstandet sind; dadurch wird der Füllfaktor klein und die so erzielbare, maximale Leistungsdichte wird geringer.
  • Um die vorstehend angegebenen Probleme zu beseitigen, wird eine Anordnung gemäß der Erfindung eingesetzt, wie sie in ihrem prinzipiellen Aufbau in einer ersten Ausführungsform in 1 dargestellt ist. Die einzelnen Diodenlaserbarren 2 sind in der x-Richtung (in einer Draufsicht, wie sie in 1 dargestellt ist) nebeneinanderliegend angeordnet und in der y-Richtung, wie die Seitenansicht zeigt, die allgemein mit dem Bezugszeichen 9 bezeichnet sind, zueinander versetzt. Hieraus ergibt sich ein treppenstufenartiger Versatz. Um die einzelnen Diodenlaserbarren 2 mit ihren Kühlkörpern 4 in dieser Stellung anzuordnen, wird ein treppenstufenartiger Träger 10, einteilig oder mehrteilig ausgeführt, eingesetzt. Die einzelnen Aufnahmeflächen 11 dieses Trägers oder Halters 10 verlaufen parallel zueinander. Es ergibt sich ein definierter Versatz, der, in der Ausführungsform der 1, so gewählt ist, daß er von dem linken Diodenlaserbarren 2 zu dem am weitesten rechts liegenden Diodenlaserbarren 2 stetig zunimmt. Es ist weiterhin ersichtlich, daß jeder einzelne Diodenlaserbarren 2 mit seinem zugehörigen Kühlkörper 4 frei zugänglich ist, um ihn zu justieren. Darüberhinaus kann dann, wenn ein Diodenlaserbarren 2 auffällt oder fehlerhaft arbeitet, dieser Diodenlaserbarren 2 gezielt ausgetauscht werden, ohne daß die weiteren Diodenlaserbarren 2 in ihrer Grundjustierung verändert werden oder in sonstiger Weise beeinträchtigt werden.
  • Die einzelnen Strahlungsanteile der einzelnen Diodenlaserbarren 2, die zur Vereinfachung der Darstellung jeweils mit einem Strahlungspfeil 14 dargestellt sind, fallen auf einen ebenfalls treppenförmig ausgebildeten Spiegel 12 mit jeweiligen Reflexionsflächen 13, die durch unterbrochene Linien angedeutet sind, und werden in eine gemeinsame Strahlrichtung, mit dem Ausgangsstrahl 14' angegeben, umgelenkt. Der Umlenkungswinkel beträgt in dieser Ausführungsform 90°, ist jedoch nicht hierauf eingeschränkt. Es ist ersichtlich, daß die Orientierungen der Reflexionsflächen 13 zu den jeweils einfallenden Strahlungspfeilen 14 keiner Einschränkung unterliegen, da sie entsprechend den Anforderungen gewählt werden können. In 1 ist weiterhin zu erkennen, daß die von jedem Diodenlaserbarren 2 ausgehende Strahlung durch eine Linse 5, vergleichbar mit der Linse 5, die in 2 dargestellt ist, kollimiert wird. Die Treppenstufenhöhe, d.h. der Versatz der jeweiligen Auflageflächen der Träger 10 in der y-Richtung jeweils benachbarter Diodenlaserbarren 2, ist so gewählt, daß er der Höhe der kollimierten Strahlung der y-Richtung entspricht. Gleiches gilt für die Stufenhöhe der einzelnen Reflexionsflächen 13 des Treppenstufenspiegels 12, d.h. der jeweilige Versatz der einzelnen Stufen zueinander entspricht der Höhe der kollimierten Strahlung an den Reflexionsflächen. Der Versatz der einzelnen Stufen bzw. der Reflexionsflächen ist in der Draufsicht, die in 1 mit dem Bezugszeichen 15 bezeichnet ist, zu erkennen (die Ansicht 15 zeigt eine Draufsicht auf den treppenstufenförmige Spiegel-Elemente 12 aus Richtung des Sichtpfeils 16 bzw. in x-Richtung). Die Austrittsstrahlen 14' sind anhand der Austrittsebene 17 zu erkennen. Bedingt durch die unterschiedlich langen Ausbreitungswege der Strahlen bis zu der Austrittsebene 17 und durch die nicht aufgehobenen Divergenzen in der Slow-Richtung haben die einzelnen Strahlungsanteile 14' der jeweiligen Diodenlaserbarren 2 eine unterschiedliche Erstreckung in der z-Richtung. Diese unterschiedlichen Ausdehnungen können gegebenenfalls durch Optiken angepaßt werden. Eine solche Anpassung kann unter anderem auch dadurch erfolgen, daß die jeweiligen Reflexionsflächen 13 leicht konkav oder konvex gewölbt werden, um die jeweiligen Strahlungsanteile zusätzlich aufzuweiten oder zu kollimieren.
  • Es sollte nochmals darauf hingewiesen werden, daß die in der Beschreibung und in den Figuren angegebenen x-, y- und z-Richtungen bzw. Koordinaten ein rechtwinkliges Koordinatensystem darstellen.
  • Anstelle der Diodenlaserbarren 2 können auch kleine Felder aus zwei Reihen oder gegebenenfalls drei Reihen einzelner Diodenlaser angeordnet werden, mit jeweils einem sich nach oben und nach unten erstreckenden (y-Richtung) Kühlkörper 4; deren Strahlungen werden vorzugsweise auch so gekoppelt, wie dies in 10 gezeigt ist, die noch nachfolgend beschrieben wird.
  • Um dem Problem der unterschiedlichen Strahlenausbreitungswege zu entgegnen, wie dies vorstehend anhand der 1 angesprochen wurde, werden, in einer zweiten Ausführungsform, wie sie in 3 dargestellt ist, zwei treppenstufenförmige Spiegel-Elemente 18 und 19 eingesetzt, an denen die Strahlungsanteile 14 der jeweiligen Diodenlaserbarren 2 zweifach umgelenkt werden. Die jeweiligen Auftreffpunkte bzw. Auftreffbereiche 20 auf den jeweiligen Reflexionsflächen 13 sind derart gewählt, daß sich die gesamten Weglängen der jeweiligen Strahlungen, die von den jeweiligen Diodenlaserbarren 2 ausgehen, zu einer gleichen Weglänge in einer Austrittsebene 21 hinter den Spiegel-Elementen 19 senkrecht zur optischen Achse jeweils aufaddieren, so daß die Ausgangsstrahlen ausgangsseitig der Reflexionsflächen 13 des zweiten Treppenstufenspiegels 18 gleiche Weglängen haben.
  • Die einzelnen Strahlen 14 bzw. 14' treffen auf die Reflexionsflächen 13 des ersten Treppenstufenspiegels 18 und des zweiten Treppenstufenspiegels 19 jeweils unter einem Winkel von 45° auf, so daß der Strahl jeweils um 90° umgelenkt wird. Zum besseren Verständnis wird darauf hingewiesen, daß die einzelnen Diodenlaserbarren 2 derart angeordnet sind, daß, in y-Richtung gesehen, der in 3 am weitesten links angeordnete Diodenlaserbarren 2 die höchste Position auf dem treppenstufenartigen Träger 10 besitzt, während der am weitesten rechts in 3 liegende Diodenlaserbarren 2 die tiefste Position auf den Treppenstufenflächen des Halters 10 aufweist. Entsprechend sind die einzelnen Reflexionsflächen 13 des ersten Treppenstufenspiegels 18 in x-Richtung gesehen von der linken zur rechten Seite hin abfallend, und zwar in Bezug auf die y-Richtung, während die einzelnen Reflexionsflächen 13 des zweiten Treppenstufenspiegels 19 in y-Richtung gesehen in 3 von oben nach unten steigend sind. Wie anhand der dem zweiten treppenstufenförmige Spiegel-Elemente 19 zugeordneten Strahlungsquerschnitte, mit dem Bezugszeichen 22 bezeichnet, zu entnehmen ist, treffen die jeweiligen Strahlungsanteile 14' auf die reflektiven Flächen 13 des zweiten Treppenstufenspiegels 19 mit einem Versatz zueinander auf, die dann, ausgangsseitig des zweiten Treppenstufenspiegels 19, durch die reflektiven Flächen 13 des zweiten Treppenstufenspiegels 19 aufgrund einer entsprechenden Verkippung der jeweiligen Reflexionsflächen 13 zu der y-Richtung zu einem Strahlungsfeld, wie es anhand der Ebene 21 gezeigt ist, zusammengeschoben werden. Der Abstand der jeweiligen Strahlungsanteile zueinander im Bereich der Austrittsebene 21 kann durch einen gegenüber der Darstellung der 3 geänderten Einfallswinkel der jeweiligen auf die Fläche 13 auftreffenden Strahlen 14' weiter zusammengeschoben oder weiter zueinander beabstandet werden, als dies die Darstellung zeigt. Die jeweiligen Reflexionsflächen der Spiegel-Elemente können individuell bezüglich Winkel und Position eingestellt werden, um die Strahlanteile aus den jeweiligen Diodenlasern 2 parallel und versatzfrei zueinander zusammenzuführen.
  • In der 4 ist eine dritte Ausführungsform der Erfindung dargestellt. In dieser Ausführungsform sind wiederum die einzelnen Diodenlaserbarren auf einem treppenstufenartigen Träger 10 angeordnet, wobei wiederum die einzelnen horizontalen Stufenflächen 25, die in der x-z-Ebene verlaufen, in parallel zueinander versetzten Ebenen liegen, wie deutlicher die Seitenansicht der 4B (entsprechend des Sichtpfeils IVB in 4A) zeigt. Anders ausgedrückt sind die einzelnen Diodenlaserbarren 2 mit ihren Kühlkörpern 4 in unterschiedlichen Höhen in der y-Richtung, aufgrund des jeweiligen Versatzes der einzelnen Stufenflächen 25, angeordnet, darüberhinaus sind sie stufenweise in der z-Richtung zueinander versetzt, so daß die gesamte optische Weglänge der jeweiligen Strahlungsanteile zur Austrittsebene etwa gleich sind. Die Stufenhöhe, d.h. der Abstand in der y-Richtung zweier benachbarter horizontaler Stufenflächen 25, ist wiederum gleich der kollimierten Strahlhöhe.
  • Die einzelnen Strahlen 14 treffen jeweils auf ein treppenstufenförmiges Spiegel-Element auf, dessen senkrechte Treppenstufenflanken die Reflexionsflächen 13 bilden, von denen die Strahlen in der Austrittsstrahlrichtung 14' reflektiert werden. Die einzelnen Treppenstufen-Reflexionsflächen 13 sind fortlaufend zueinander versetzt derart, daß dieser Versatz dem Versatz der einzelnen Diodenlaserbarren 2 entspricht. Darüberhinaus werden die Positionen der Diodenlaserbarren und die Reflexionsflächen der treppenförmigen Spiegel 12 so aufeinander angepaßt, daß alle Teilstrahlen exakt übereinander in der Fast-Richtung liegen, wie dies anhand der Austrittsebene 21 erläutert ist.
  • Das gestapelte Strahlenfeld, wie es anhand der Anordnung der 4A und 4B vorstehend beschrieben ist, kann unmittelbar verwendet werden, zum Beispiel zum Pumpen von Festkörperlasern. Darüberhinaus kann das Strahlungsfeld, wie es anhand der 4 in Form der Austrittsebene 21 dargestellt ist, mit einer nachgeschalteten Optik entsprechend den Anforderungen und Einsatzbedingungen, etwa für eine Fasereinkopplung, abgebildet und geformt werden. Ein Beispiel einer Anordnung hierfür ist in 5 dargestellt, die im Grundaufbau die Anordnung der 4A zugrundelegt. In dieser Anordnung werden die Ausgangsstrahlen entsprechend der Anordnung im Bereich der Austrittsebene 21 mit einer zylindrischen Linse 23 kollimiert. Daran anschließend ist in den Strahlengang eine sphärische Linse 24 angeordnet, um die einzelnen Strahlungsanteile der einzelnen Diodenlaserbarren 2 in einer Linie auf das Werkstück 26 zu fokussieren. Diese Zusammenführung der Strahlungsanteile der einzelnen Laser entsprechend der Anordnung der 5 hat den Vorteil, daß die Diodenlaserstrahlung ohne Strahlqualitätsverlust zusammengefaßt und somit die maximale Leistungsdichte im Fokus erreicht werden kann.
  • Für viele Anwendungen ist eine flexible Führung der Strahlung von Vorteil. Um eine solche flexible Führung zu erzielen, werden optische Fasern 27 eingesetzt, wie dies in 6 gezeigt ist, die zu einem Faserarray 28 zusammengefaßt sind. Die Fasern 27 können rechteckig sein oder einen kreisförmigen Querschnitt haben. Wiederum wird das Strahlungsfeld, das von den Diodenlaserbarren 2 ausgeht, durch eine zylindrische Linse 23 kollimiert und anschließend mit einer sphärischen Linse 24 im Fokus abgebildet. Im Fokusbereich der sphärischen Linse entstehen so einzelne Fokuspunkte, die nebeneinander liegen. und deren Anzahl denen der Emittergruppen entspricht, d.h. der Anzahl der Diodenlaserbarren 2. Das Feld 28 aus optischen Fasern ist so positioniert, daß die Einkoppelflächen 29 im Fokusbereich positioniert sind. Es ist eine Anordnung hierbei zu bevorzugen, wie sie auch in 6 dargestellt ist, bei der die Anzahl der Fasern 27 der Anzahl der Fokuspunkte entspricht, so daß die jeweiligen Strahlungsanteile der einzelnen Diodenlaserbarren 2 jeweils in einer zugeordneten Faser eingekoppelt werden. Hierzu werden die Strahlungen der einzelnen Diodenlaserbarren 2 beispielsweise in vier Gruppen oder Kanäle A, B, C, D aufgeteilt und zusammengeführt. Dies hat den Vorteil, daß die Strahlungsanteile A, B, C, D, die von den jeweiligen Diodenlaserbarren 2 ausgehen, für bestimmte Anwendungsgebiete entkoppelt verbleiben, d.h. sie können individuell zu der gewünschten Bearbeitungsstelle zugeführt werden und unter entsprechender Ansteuerung und Regelung der einzelnen Diodenlaserbarren 2 individuell beeinflußt werden; hierbei ist es dann auch möglich, die einzelnen Strahlen zu Strahlungsgruppen wieder zusammenzufassen.
  • Die erfindungsgemäße Anordnung kann auch dazu verwendet werden, die Strahlungsanteile der einzelnen Austrittsstrahlen 14' in eine einzelne optische Faser 27 einzukoppeln, wie dies anhand der 7 dargestellt ist. Für eine solche Fokussierung ist eine mit dem Bezugszeichen 30 bezeichnete Anordnung zur Formung und Fokussierung der Strahlen, beispielsweise zusätzliche treppenstufenförmige Spiegel-Elemente, vorgesehen.
  • Es ist aus der vorstehenden Beschreibung zu ersehen, daß aus den einzelnen Diodenlaserbarren, die in den Ausführungsbeispielen hier erläutert werden, beliebig große Felder, mit einer entsprechenden Zahl an treppenstufenartigen Versätzen der jeweiligen Laser zueinander, aufgebaut werden können. Um dann allerdings die einzelnen Strahlungsanteile nach mindestens einer Reflexion an einem zugeordneten treppenstufenförmige Spiegel-Elemente abzubilden und zu fokussieren, müssen zylindrische und sphärische Optiken mit entsprechend großen Abmessungen eingesetzt werden, was zusätzliche Kosten zu dem optischen System hinzufügt. Um die Baugrößen und somit die Kosten eines solchen nachgeschalteten optischen Systems zu senken, wird vorzugsweise ein Prisma, wie in 8 dargestellt ist, oder werden mehrere Prismen 31, 32 eingesetzt. Der Strahlquerschnitt eingangsseitig des ersten Prismas 31 wird dadurch ausgangsseitig des zweiten Prismas 32 reduziert. Der Einsatz zweier Prismen in der Anordnung, wie dies in 8 gezeigt ist, hat den zusätzlichen Vorteil, daß der Ausgangsstrahl parallel zum Eingangsstrahl verläuft. Mit dem Einsatz solcher Prismen 31, 32 ist auch die Möglichkeit gegeben, die Dimension der Slow-Richtung von Strahlung, die von einem Diodenlaserbarren 2 ausgeht, zu verändern.
  • Für viele Anwendungen besteht ein Bedarf daran, Diodenlaserbarren mit aktiv adressierbaren Emittergruppen zu verwenden. Aktiv adressierbare Diodenlaserbarren sind Diodenlaserbarren, deren Emitter bzw. Emittergruppen jeweils mit einer eigenen Stromzufuhr bzw. Signalleitung 33 (9) versehen werden, so daß sie individuell gesteuert werden können. Zur Steigerung der Leistungsfähigkeit jeweiliger Emittergruppen können solche Diodenlaserbarren mittels optischer Verfahren gestapelt werden. Die zugeordneten Emitter bzw. Emittergruppen, wiederum mit A, B, C und D bezeichnet, von verschiedenen Diodenlaserbarren 2 können dann mit einem optischen System 30 in einen Lichtwellenleiter 27 jeweils eingekoppelt werden oder auf ein Werkstück fokussiert werden. Werden die zugeordneten Emitter bzw. Emittergruppen von verschiedenen Barren elektrisch miteinander verbunden, wie dies dargestellt ist, so entsteht ein Lichtwellenleiterarray, bei dem die Leistung aus dem jeweiligen Lichtwellenleiter individuell angesteuert werden kann. Dies ist bei der sogenannten Parallelverarbeitung bzw. bei dem Parallelprozeß von großer Bedeutung. Eine solche Anordnung, wie sie vorstehend erläutert ist, ist schematisch in 9 dargestellt, wobei wiederum die Basisanordnung gezeigt ist, die auch in den Ausführungsformen der 4 bis 8 eingesetzt wurde. Die vier auf dem treppenstufenartigen Träger 10 angeordneten Diodenlaserbarren 2, die jeweils aus vier Emittergruppen bestehen, sind so ansteuerbar, daß die einzelnen Strahlen der jeweiligen zugeordneten Gruppen A, B, C und D ausgangsseitig der Fokussieranordnung 30 zuordenbar sind. Die Möglichkeit, die einzelnen Kanäle A, B, C und D der einzelnen Diodenlaserbarren gesondert über die Signalleitungen 33 ansteuern zu können, hat den zusätzlichen Vorteil, eine Redundanz und Leistung des jeweiligen Kanals individuell zu erhöhen und zu erniedrigen. Sollte beispielsweise auf einem Kanal eine Diodenlasergruppe eines Diodenlaserbarrens 2 ausfallen, so kann die Leistung der Diodenlasergruppen der anderen Diodenlaserbarren 2 dieses Kanals erhöht werden, um den Leistungsverlust aufgrund der fehlerhaften Diodenlaser zu kompensieren.
  • Es kann erwünscht sein, auf einer Stufe eines treppenförmigen Halters 10, wie dies anhand der vorstehend erläuterten Figuren dargelegt ist, zwei oder mehr einzelne Diodenlaserbarren zu positionieren. Falls beispielsweise jeweils zwei Diodenlaserbarren auf einer Stufe in y-Richtung übereinander angeordnet werden und jeweils diese paarweise angeordneten Diodenlaserbarren zweier benachbarter Stufen zusammengeführt werden, entstehen nach Reflexion an den Spiegel-Elementen, die einen treppenförmigen Versatz zueinander aufweisen, vier linienförmige Ausgangsstrahlen. Um sowohl die Strahlhöhe als auch die Strahlqualität zu verbessern, kann es von Vorteil sein, die jeweils paarweise angeordneten Diodenlaserbarren über eine Polarisationsanordnung 34 zu einem Strahlquerschnitt zusammenzuführen. Eine solche Anordnung ist in 10A dargestellt. In dieser Anordnung sind schematisch zwei Diodenlaserbarren 2 in y-Richtung mit Abstand zueinander angeordnet (der relativ große Abstand, wie er in 10A in y-Richtung der beiden Diodenlaserbarren 2 dargestellt ist, ist nur zur besseren Darstellung gewählt). Die Polarisationsanordnung 34 besteht aus einem Polarisationsstrahlteiler und einer Lambda-Viertelplatte. Über diese Polarisationsanordnung 34 werden die beiden Strahlungsanteile zu einem gemeinsamen Ausgangsstrahl zusammengeführt. Für diese Zusammenführung kann ein Spiegelelement eingesetzt werden, wie es in den zuvor beschriebenen Figuren mit dem Bezugszeichen 12 bzw. der Reflexionsfläche 13 bezeichnet ist. Der Einsatz einer solchen Anordnung hat den Vorteil, daß die Strahlungsanteile ohne wesentliche Leistungsverluste zusammengeführt werden können.
  • Die 10B zeigt eine weitere Anordnung, die von dem anhand der 10A gezeigten und beschriebenen Prinzip Gebrauch macht. In diesem Fall sind jeweils zwei Gruppen aus jeweils einem Paar von Diodenlaserbarren 2, die alle gleiche Wellenlängen besitzen mit jeweils einer Polarisationsanordnung 34 unter einem Versatz in y-Richtung angeordnet; eine solche Anordnung ist mit der Anordnung der einzelnen Diodenlaserbarren 2 auf dem Halter 10, wie er beispielsweise in 1 dargestellt ist, vergleichbar. Die jeweiligen Strahlungsanteile werden über Umlenkspiegel 35 zu Ausgangsstrahlen zusammengeführt.
  • Üblicherweise werden in Anordnungen, wie sie vorstehend beschrieben sind, Diodenlaser mit gleicher Wellenlänge auf den einzelnen Stufen eingesetzt, so daß der Ausgangsstrahl im wesentlichen aus den Strahlungsanteilen der Diodenlaser mit entsprechender Wellenlänge zusammengesetzt sind.
  • In 10C können die Strahlungsanteile zweier benachbarter Diodenlasergruppen mit unterschiedlichen Längenlängen λ1 und λ2, die wiederum paarweise aufgebaut sind und deren Strahlung durch eine Polarisationsanordnung 34 zusammengeführt sind, auch mittels einer dichroitischen Komponenten 36 koaxial überlagert werden, wenn die Diodenlaser unterschiedliche Wellenlängen haben.

Claims (19)

  1. Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfelds mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser mit mehreren Lasern und/oder Laserfeldanordnungen, deren jeweilige Strahlaustrittsöffnungen in einer in der x-y-Ebene liegenden Richtung verlaufen und deren Strahlenbündel jeweils in der z-Richtung abgestrahlt werden, wobei die x-, y- und z-Richtungen ein rechtwinkliges Koordinatensystem festlegen, mit einem optischen Aufbau zur Erzeugung eines definierten Querschnitts eines Strahlungsfelds, wobei der optische Aufbau reflektive, zueinander versetzte Elemente aufweist und wobei jedem Laser oder jeder Laserfeldanordnung mindestens ein reflektives Element zugeordnet ist, auf das die Strahlung des jeweiligen Lasers oder der jeweiligen Laserfeldanordnungen geführt wird und an dem die Strahlung reflektiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Laser oder jede Laserfeldanordnung (2) in Bezug auf den benachbarten Laser oder die benachbarte Laserfeldanordnung (2) sowohl in x-Richtung als auch in y-Richtung versetzt ist und daß die Reflexionsflächen (13) der reflektiven Elemente (12; 18) in Ebenen angeordnet sind, die einen Versatz und/oder eine Verkippung derart zueinander aufweisen, daß die jeweiligen, von den Reflexionsflächen (13) reflektierten Strahlungsanteile (14') senkrecht zur z-Richtung gegenüber dem Versatz der Strahlungsaustrittsflächen zueinander versetzt sind.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Versatz sequentiell der Reihenfolge der Laser (2) entspricht.
  3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsflächen (13) jeweils einen unterschiedlichen Abstand zu den ihnen zugeordneten Strahlaustrittsöffnungen (3) der Laser (2) aufweisen.
  4. Anordnung nach einem der Anspraüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Strahlungsanteil (14, 14') eines Lasers (2) oder einer Laserfeldanordnung ein zweites, reflektives Element 19) zugeordnet ist, wobei jeweils benachbarte Elemente der zweiten, reflektiven Elemente (19) einen Versatz derart zueinander aufweisen, daß durch diesen Versatz die jeweiligen Gesamtweglängen der Strahlungsanteile (14, 14') aneinander angepaßt werden.
  5. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Versatz und die jeweilige Abstandsänderung benachbarter Reflexionsflächen (13) von gleicher Größe sind.
  6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsflächen (13) der Elemente (12; 18) durch einen treppenartig aufgebauten Spiegel gebildet sind.
  7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsflächen (13) ebene Flächenbereiche sind.
  8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Laser oder Laserfeldanordnungen in der z-Richtung zueinander versetzt sind.
  9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Versatz sequentiell der Reihenfolge der Laser (2) entspricht.
  10. Anordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Versatz der Laser (2) oder der Laserfeldanordnungen zu dem Versatz der reflektiven Elemente (12; 18; 19) in der sequentiellen Reihenfolge korreliert ist.
  11. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Versatz der Laser (2) oder Laserfeldanordnungen zu dem Versatz der reflektiven Elemente (12; 18; 19) derart korreliert ist, daß bis zu einer Ebene (21), die in Strahlausbreitungsrichtung nach den reflektiven Elementen (12; 18; 19); und senkrecht zu der Strahlausbreitungsrichtung liegt, gleiche Weglängen der jeweiligen Strahlen gegeben sind.
  12. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser (2) oder Laserfeldanordnungen auf einem treppenstufenförmigen Träger (10) angeordnet sind, wobei die Treppenstufen den Lasern (2) oder den Laserfeldanordnungen zugeordnet sind.
  13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser (2) oder Laserfeldanordnungen parallel zu der Längserstreckung der Stufen des treppenstufenförmigen Trägers (10) abstrahlen.
  14. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweiligen Strahlungsanteile (14, 14') auf eine den reflektiven Elementen nachgeordnete Ebene fokussiert werden, wobei im Bereich des Fokussierungspunkts die Eintrittsfläche mindestens eines Lichtleiters (27) angeordnet ist, in die die Strahlung eingekoppelt wird.
  15. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweiligen Strahlungsanteile (14, 14') jedes Lasers (2) oder jeder Laseranordnung einem Lichtleiter (27) zugeordnet sind, in den die jeweiligen Strahlungsanteile (14') nach dem reflektiven Element (12) eingekoppelt werden.
  16. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistung von mehreren Lasern oder Laserfeldanordnungen durch Polarisation und/oder Wellenlängenkopplung zusammengeführt wird.
  17. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser oder Laserfeldanordnungen in mindestens zwei Gruppen unterteilt werden, und daß die Strahlleistung der jeweiligen Gruppen zusammengeführt wird, allerdings die Leistung jeder Gruppe unabhängig der jeweils anderen Gruppe geregelt wird.
  18. Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Gruppe des einen Lasers oder der Laserfeldanordnung mit der jeweiligen, entsprechenden Gruppe der anderen Laser oder Laserfeldanordnung elektrisch gekoppelt und optisch zusammengeführt wird.
  19. Anordnung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Leistung einer jeweiligen Strahlungsgruppe, die aus den einzelnen Strahlungsleistungen der jeweils zugeordneten Gruppe der einzelnen Laser oder der Laserfeldanordnungen zusammengesetzt ist, in eine Faser eingekoppelt wird.
DE19780124T 1996-02-23 1997-02-20 Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser Expired - Lifetime DE19780124B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19780124T DE19780124B4 (de) 1996-02-23 1997-02-20 Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19606859.2 1996-02-23
DE19606859 1996-02-23
PCT/EP1997/000823 WO1997031284A1 (de) 1996-02-23 1997-02-20 Anordnung zur formung des geometrischen querschnitts mehrerer festkörper- und/oder halbleiterlaser
DE19780124T DE19780124B4 (de) 1996-02-23 1997-02-20 Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19780124D2 DE19780124D2 (de) 1999-04-08
DE19780124B4 true DE19780124B4 (de) 2007-02-15

Family

ID=7786261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19780124T Expired - Lifetime DE19780124B4 (de) 1996-02-23 1997-02-20 Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6124973A (de)
DE (1) DE19780124B4 (de)
WO (1) WO1997031284A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012004381A2 (de) 2010-07-09 2012-01-12 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und verfahren zur strahlformung
DE102010038572A1 (de) 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
DE102010038571A1 (de) 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
EP3043197A1 (de) 2015-01-08 2016-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägersystem für funktionselemente der mikrotechnik
WO2016116448A1 (de) 2015-01-23 2016-07-28 Jenoptik Laser Gmbh Laseranordnung mit hilfsring

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6504650B1 (en) * 1999-10-19 2003-01-07 Anthony J. Alfrey Optical transformer and system using same
DE10004999A1 (de) * 2000-02-04 2001-09-27 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur Führung eines Lichtstrahls, dessen Strahlprofil nichtrotationssymmetrisch ausgebildet ist
DE10061265A1 (de) * 2000-12-06 2002-06-27 Jenoptik Jena Gmbh Diodenlaseranordnung
CA2442712C (en) * 2001-03-30 2010-06-29 Nippon Steel Corporation Semiconductor laser device and solid-state laser device using the same
US6987240B2 (en) * 2002-04-18 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Thermal flux processing by scanning
US7065105B2 (en) 2002-09-12 2006-06-20 Fraunhofer Usa, Inc. Apparatus for shaping the output beam of semiconductor lasers
JP4226482B2 (ja) * 2003-02-03 2009-02-18 富士フイルム株式会社 レーザ光合波装置
EP1696525A4 (de) * 2003-12-10 2009-07-22 Panasonic Corp Laserlichtquelle und einrichtung zur erzeugung eines zweidimensionalen bildes
EP1756921A1 (de) * 2004-06-01 2007-02-28 Trumpf Photonics, Inc. Laserdioden-array-anbringung und stufenspiegel zur formung eines laserstrahls
WO2006074684A1 (de) * 2005-01-10 2006-07-20 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg Refraktive vorrichtung, verfahren zur herstellung und verwendung einer derartigen refraktiven vorrichtung sowie halbleiterlaseranordnung mit einer derartigen refraktiven vorrichtung
WO2007019878A1 (de) 2005-08-19 2007-02-22 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Laseranordnung
US20070116077A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Nlight Photonics Corporation Vertically displaced stack of multi-mode single emitter laser diodes
US20070286247A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 Pang H Yang Frequency-doubled laser resonator including two optically nonlinear crystals
US7515346B2 (en) * 2006-07-18 2009-04-07 Coherent, Inc. High power and high brightness diode-laser array for material processing applications
EP2003484B1 (de) * 2007-06-12 2018-04-11 Lumentum Operations LLC Lichtquelle
EP2061122B1 (de) * 2007-11-16 2014-07-02 Fraunhofer USA, Inc. Hochleistungs-Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Hochleistungsdiodenlaser, Laserlichtquelle damit und Herstellungsverfahren dafür
US7959297B2 (en) * 2008-05-15 2011-06-14 Eastman Kodak Company Uniform speckle reduced laser projection using spatial and temporal mixing
US7773655B2 (en) * 2008-06-26 2010-08-10 Vadim Chuyanov High brightness laser diode module
US8416830B2 (en) * 2008-12-03 2013-04-09 Ipg Photonics Corporation Wavelength stabilized light emitter and system for protecting emitter from backreflected light
US20120027043A1 (en) * 2009-01-19 2012-02-02 Bernhard Valk High power multi-chip pump modules with protection filter for 1060nm, and pump modules including the same
US8066389B2 (en) * 2009-04-30 2011-11-29 Eastman Kodak Company Beam alignment chamber providing divergence correction
US8132919B2 (en) * 2009-04-30 2012-03-13 Eastman Kodak Company Digital projector using arrayed light sources
US8033666B2 (en) * 2009-05-28 2011-10-11 Eastman Kodak Company Beam alignment system using arrayed light sources
US8718105B2 (en) * 2010-03-15 2014-05-06 Daylight Solutions, Inc. Laser source that generates a rapidly changing output beam
CN101859025A (zh) * 2010-06-03 2010-10-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种可重复使用的大功率半导体激光器光纤输出模块
US8437086B2 (en) 2010-06-30 2013-05-07 Jds Uniphase Corporation Beam combining light source
US8427749B2 (en) 2010-06-30 2013-04-23 Jds Uniphase Corporation Beam combining light source
DE102010044875A1 (de) * 2010-09-09 2012-03-15 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Beleuchtungsvorrichtung zur Erzeugung einer linienförmigen Intensitätsverteilung in einer Arbeitsebene
DE102011016253B4 (de) * 2011-04-06 2014-02-27 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Diodenlaser
CN104868362A (zh) * 2011-10-11 2015-08-26 深圳市光峰光电技术有限公司 光源系统与激光光源
US9065237B2 (en) 2011-12-07 2015-06-23 Jds Uniphase Corporation High-brightness spatial-multiplexed multi-emitter pump with tilted collimated beam
US8891579B1 (en) * 2011-12-16 2014-11-18 Nlight Photonics Corporation Laser diode apparatus utilizing reflecting slow axis collimators
US8537865B1 (en) * 2012-07-26 2013-09-17 Coherent, Inc. Fiber-laser pumped by stabilized diode-laser bar stack
DE102012107456A1 (de) * 2012-08-14 2014-02-20 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Anordnung zur Formung von Laserstrahlung
CN104583827B (zh) 2012-08-29 2017-06-16 株式会社藤仓 导光装置、制造方法、及ld模块
JP5717714B2 (ja) 2012-12-27 2015-05-13 株式会社フジクラ 合波装置、合波方法、及び、ldモジュール
US9166369B2 (en) 2013-04-09 2015-10-20 Nlight Photonics Corporation Flared laser oscillator waveguide
US9214786B2 (en) 2013-04-09 2015-12-15 Nlight Photonics Corporation Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides
US10971896B2 (en) 2013-04-29 2021-04-06 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for a laser deliver addressable array
US10562132B2 (en) 2013-04-29 2020-02-18 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for materials processing with visible raman laser
WO2014179345A1 (en) 2013-04-29 2014-11-06 Zediker Mark S Devices, systems, and methods for three-dimensional printing
US9647416B2 (en) 2013-12-23 2017-05-09 Lumentum Operations Llc Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency
US9720145B2 (en) 2014-03-06 2017-08-01 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US11646549B2 (en) 2014-08-27 2023-05-09 Nuburu, Inc. Multi kW class blue laser system
US10186836B2 (en) 2014-10-10 2019-01-22 Nlight, Inc. Multiple flared laser oscillator waveguide
US9318876B1 (en) * 2015-01-22 2016-04-19 Trumpf Photonics, Inc. Arrangement of multiple diode laser module and method for operating the same
GB2518794B (en) 2015-01-23 2016-01-13 Rofin Sinar Uk Ltd Laser beam amplification by homogenous pumping of an amplification medium
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10270224B2 (en) 2015-06-04 2019-04-23 Nlight, Inc. Angled DBR-grating laser/amplifier with one or more mode-hopping regions
US10170892B2 (en) * 2015-06-19 2019-01-01 Amada Miyachi Co., Ltd. Laser unit and laser device
KR102513216B1 (ko) * 2015-07-15 2023-03-22 누부루 인크. 레이저 전달 어드레스 가능한 어레이를 위한 용례, 방법 및 시스템
CN205608275U (zh) * 2016-01-08 2016-09-28 深圳市光峰光电技术有限公司 用于光学系统的反射镜组固定装置
WO2017122782A1 (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子、チップオンサブマウント、および半導体レーザモジュール
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US11612957B2 (en) * 2016-04-29 2023-03-28 Nuburu, Inc. Methods and systems for welding copper and other metals using blue lasers
WO2017189962A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Nuburu, Inc. Monolithic visible wavelength fiber laser
US20220072659A1 (en) * 2016-04-29 2022-03-10 Nuburu, Inc. Methods and Systems for Reducing Hazardous Byproduct from Welding Metals Using Lasers
CN106025792A (zh) * 2016-05-04 2016-10-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种利用光谱合成改善三基色激光白光光源光谱成分的装置
JP6316899B2 (ja) 2016-10-17 2018-04-25 ファナック株式会社 レーザ発振器
CN106410608A (zh) * 2016-11-18 2017-02-15 上海高意激光技术有限公司 一种激光阵列以及激光合束装置
JP6844993B2 (ja) * 2016-11-25 2021-03-17 古河電気工業株式会社 レーザ装置及び光源装置
JP6814887B2 (ja) 2016-12-23 2021-01-20 エヌライト,インコーポレーテッド 低コスト光ポンプレーザパッケージ
EP3576899A4 (de) 2017-01-31 2021-02-24 Nuburu, Inc. Verfahren und systeme zum schweissen von kupfer mit blauem laser
JP6502409B2 (ja) * 2017-03-15 2019-04-17 株式会社フジクラ 光モジュール
CA3061027C (en) 2017-04-21 2023-11-14 Nuburu, Inc. Multi-clad optical fiber
WO2018200587A1 (en) 2017-04-24 2018-11-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
WO2018231884A1 (en) 2017-06-13 2018-12-20 Nuburu, Inc. Very dense wavelength beam combined laser system
WO2019157092A1 (en) 2018-02-06 2019-08-15 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with fac lens out-of-plane beam steering
WO2020107030A1 (en) 2018-11-23 2020-05-28 Nuburu, Inc Multi-wavelength visible laser source
JP2022523725A (ja) 2019-02-02 2022-04-26 ヌブル インク 高信頼性、高パワー、高輝度の青色レーザーダイオードシステムおよびその製造方法
DE102021102254A1 (de) 2021-02-01 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische anordnung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978197A (en) * 1988-08-26 1990-12-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Beam-combining laser beam source device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627901B2 (ja) * 1985-03-11 1994-04-13 富士写真フイルム株式会社 半導体レ−ザ光源装置
US4701018A (en) * 1986-10-02 1987-10-20 Greyhawk Systems, Inc. Apparatus for mounting two lasers to produce parallel or colinear beams
US5048911A (en) * 1988-11-15 1991-09-17 Universiti Malaya Coupling of multiple laser beams to a single optical fiber
GB9324589D0 (en) * 1993-11-30 1994-01-19 Univ Southampton Beam shaping device
US5418880A (en) * 1994-07-29 1995-05-23 Polaroid Corporation High-power optical fiber amplifier or laser device
DE19511593C2 (de) * 1995-03-29 1997-02-13 Siemens Ag Mikrooptische Vorrichtung
US5629791A (en) * 1996-05-31 1997-05-13 Eastman Kodak Company Optical compensation for laser emitter array non-linearity

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978197A (en) * 1988-08-26 1990-12-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Beam-combining laser beam source device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012004381A2 (de) 2010-07-09 2012-01-12 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und verfahren zur strahlformung
DE102010031199A1 (de) 2010-07-09 2012-01-12 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
WO2012004381A3 (de) * 2010-07-09 2012-04-26 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und verfahren zur strahlformung
DE102010031199B4 (de) 2010-07-09 2020-05-14 Jenoptik Optical Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
DE102010038572A1 (de) 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
DE102010038571A1 (de) 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
WO2012013434A1 (de) 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und verfahren zur strahlformung
EP3043197A1 (de) 2015-01-08 2016-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägersystem für funktionselemente der mikrotechnik
DE102015200123A1 (de) 2015-01-08 2016-07-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägersystem für mikrooptische und/oder andere Funktionselemente der Mikrotechnik
WO2016116448A1 (de) 2015-01-23 2016-07-28 Jenoptik Laser Gmbh Laseranordnung mit hilfsring
US10502911B2 (en) 2015-01-23 2019-12-10 Jenoptik Optical Systems Gmbh Laser arrangement with auxiliary ring

Also Published As

Publication number Publication date
US6124973A (en) 2000-09-26
WO1997031284A1 (de) 1997-08-28
DE19780124D2 (de) 1999-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19780124B4 (de) Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser
DE19939750C2 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung
EP0984312B1 (de) Laserdiodenanordnung
DE10136611C1 (de) Optische Anordnung zur Formung und Homogenisierung eines von einer Laserdiodenanordnung ausgehenden Laserstrahls
DE19514626C2 (de) Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfeldes eines oder mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser(s)
EP2043211B1 (de) Laservorrichtung
EP1619765B1 (de) Diodenlaseranordnung und Strahlformungseinheit dafür
EP0863588A2 (de) Laseroptik sowie Diodenlaser
DE10061265A1 (de) Diodenlaseranordnung
WO1996034441A1 (de) Anordnung und verfahren zur formung und führung eines strahlungsfelds eines oder mehrerer festkörper- und/oder halbleiterlaser(s)
DE19751716C2 (de) Anordnung zur Formung und Führung von Strahlung
EP1896893A1 (de) Vorrichtung zur strahlformung
DE102004045912A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE19813127A1 (de) Laservorrichtung
DE112019003882B4 (de) Lasersystem mit treppenförmig angeordneten slow-axis-kollimatoren
EP2508934B1 (de) Diodenlaser
DE102004045914B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE10007123A1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen Anordnung
DE10062453A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln
DE19841285C1 (de) Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser
WO2018197429A1 (de) Homogenisierung von pumplaserstrahlung
DE102020118421B4 (de) Laservorrichtung
DE102004040608A1 (de) Diodenlaser mit einer optischen Einrichtung zur Erhöhung der Strahldichte eines aus ihm austretenden Ausgangslaserstrahls
WO2006037566A1 (de) Laseranordnung
DE102004045911B4 (de) Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8364 No opposition during term of opposition
R085 Willingness to licence withdrawn
R071 Expiry of right