KR910015013A - 웨이퍼의 수직 에칭방법 - Google Patents
웨이퍼의 수직 에칭방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정도.
Claims (1)
- 기판(1)에 전류제한층을 성장시키고 포지티브 PR(2)을 도포한 후 패턴 마스크를 도포하고 자외선을 감광하여 감광된 부분의 PR을 제거하도록 한 것에 있어서, PR(2)위에 CCl2F2를 기체 상태로 흘리면서 플라즈마를 형성하여 이 CCl2F2가 PR(2)이 없는 부분으로 파고들어가 GaAs기판(1)에 GaCl의 화합물 형성하면서 수직 에칭하게 하여 채널폭과 깊이를 조절 가능하게 함을 특징으로 하는 웨이퍼의 수직 에칭방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900001091A KR910015013A (ko) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 웨이퍼의 수직 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900001091A KR910015013A (ko) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 웨이퍼의 수직 에칭방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910015013A true KR910015013A (ko) | 1991-08-31 |
Family
ID=67468426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900001091A KR910015013A (ko) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 웨이퍼의 수직 에칭방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910015013A (ko) |
-
1990
- 1990-01-31 KR KR1019900001091A patent/KR910015013A/ko not_active Application Discontinuation
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