KR920018992A - 고휘도 발광 다이오드의 제조방법 - Google Patents

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양민
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이헌조
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Abstract

내용 없음

Description

고휘도 발광 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가)~(마)는 본 발명의 고휘도 발광 다이오드의 제조방법에 따른 제조공정을 단계적으로 도시한 도면, 제3도 (바)는 본 발명에 의해 제조된 개별소자의 형태를 보인 도면.

Claims (2)

  1. 반도체의 제조시 후막 에피층의 에칭공정에 있어서, 1차 PR(Photo resist) 작업을 거친 스크라이빙 패턴(Scribing Pattern)에 대하여 1차에 칭하고 나서 상기 PR을 제거한 후 다시 PR을 입히고 에칭패턴을 형성한 다음 나머지 에피층을 원하는 두께만큼 에칭해내는 제조공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고휘도 발광 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서 1차에칭의 두께는 5㎛내외로 하는 것을 특징으로 하는 고휘도 발광 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004113A 1991-03-15 1991-03-15 2단계 포토에칭을 이용한 후막에피층 식각방법 KR940006715B1 (ko)

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