KR920018992A - 고휘도 발광 다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가)~(마)는 본 발명의 고휘도 발광 다이오드의 제조방법에 따른 제조공정을 단계적으로 도시한 도면, 제3도 (바)는 본 발명에 의해 제조된 개별소자의 형태를 보인 도면.
Claims (2)
- 반도체의 제조시 후막 에피층의 에칭공정에 있어서, 1차 PR(Photo resist) 작업을 거친 스크라이빙 패턴(Scribing Pattern)에 대하여 1차에 칭하고 나서 상기 PR을 제거한 후 다시 PR을 입히고 에칭패턴을 형성한 다음 나머지 에피층을 원하는 두께만큼 에칭해내는 제조공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고휘도 발광 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서 1차에칭의 두께는 5㎛내외로 하는 것을 특징으로 하는 고휘도 발광 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910004113A KR940006715B1 (ko) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 2단계 포토에칭을 이용한 후막에피층 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910004113A KR940006715B1 (ko) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 2단계 포토에칭을 이용한 후막에피층 식각방법 |
Publications (2)
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KR920018992A true KR920018992A (ko) | 1992-10-22 |
KR940006715B1 KR940006715B1 (ko) | 1994-07-25 |
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ID=19312120
Family Applications (1)
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KR1019910004113A KR940006715B1 (ko) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 2단계 포토에칭을 이용한 후막에피층 식각방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR940006715B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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KR102446139B1 (ko) | 2017-12-06 | 2022-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 장치 및 이의 제조 방법 |
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1991
- 1991-03-15 KR KR1019910004113A patent/KR940006715B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR940006715B1 (ko) | 1994-07-25 |
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