KR960005940A - 소자분리 산화막 형성 방법 - Google Patents
소자분리 산화막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소자분리 산화막 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 제1산화막(2) 질화막(3)을 차례로 형성하는 단계; 소정부위의 질화막(3), 제1산화막(2)을 차례로 식각하여 소자분리 산화막이 형성될 예정된 부위의 실리콘 기판(1)을 노출시키는 단계; O2를 이온 주입시키는 단계; 산화공정을 통해 노출된 실리콘 기판 (1) 일정부위에 소자분리 산화막(6)을 형성하고 질화막(3)과 실리콘 기판(1) 계면에 제2산화막(5)을 성장시키는 단계; 상기 질화막(3) 및 제2산화막(5)을 차례로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자분리 산화막 형성방법에 관한 것으로, 소자분리산화막 형성 전에 고에너지 이온주입기를 이용하여 O2를 질화막과 단결경 실리콘의 경계면 지역에 미리 공급 함으로써 소자분리 산화막 형성시 동시에 희생 산화막을 성장시킴으로써 종래의 기술보다 공정 및 시간의 단축 효과를 볼 수 있다.
또한, 부수적으로 소자분리 산화막이 형성될 지역에서 동시에 O2를 공급함으로써 실리콘 표면으로만 O2가 공급되는 종래의 기술보다 더 빠른 속도의 수직적 산화가 이루어져 새분리 현상의 감소에도 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 따른 소자분리 산화막 형성 공정도이다.
Claims (1)
- 소자분리 산화막 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 제1산화막(2) 질화막(3)을 차례로 형성하는 단계; 소정부위의 질화막(3), 제1산화막(2)을 차례로 식각하여 소자분리 산화막이 형성될 예정된 부위의 실리콘 기판(1)을 노출시키는 단계; O2를 이온 주입시키는 단계; 산화공정을 통해 노출된 실리콘 기판(1) 일정부위에 소자분리산화막(6)을 형성하고 질화막(3)과 실리콘 기판(1) 계면에 제2산화막 (5)을 성장시키는 단계; 상기 질화막(3) 및 제2산화막(5)을 차례로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자분리 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017023A KR960005940A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 소자분리 산화막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017023A KR960005940A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 소자분리 산화막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005940A true KR960005940A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66792511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017023A KR960005940A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 소자분리 산화막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005940A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990004595A (ko) * | 1997-06-28 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리 방법 |
| KR20000004405A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
-
1994
- 1994-07-14 KR KR1019940017023A patent/KR960005940A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990004595A (ko) * | 1997-06-28 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리 방법 |
| KR20000004405A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
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