KR970003798A - 반도체 소자의 분리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 키이 마스크와 아이소레이션 트렌치 마스크를 동시에 사용하여 적당한 두께로 트렌치시켜 아이소레이션을 형성하는 아이소레이션 형성방법에 관한 것이다.

이와같은 본 발명의 트렌치를 이용한 반도체 소자 분리 방법은 반도체 기판에 트렌치를 형성시키기 위한 트렌치 마스크를 형성시키는 공정과, 상기 마스크 패턴의 노출된 부분을 소정 깊이로 식각하여 트렌치를 형성한 다음 마스크인 감광막을 스트립하는 공정과, 패드 산화물을 성막하는 공정과, 상기 패드 산화물 위에 질화물을 성막하는 공정과, 상기 공정 후 질화막 보호개스를 공급한 상태에서 소정의 압력으로 트렌치 측벽에 소정두께의 질화막만을 남기고 하부의 질화막을 식각하는 공정과, 필드 산화막 주위 활성영역의 도핑된 불순물 이온과 반대형의 채널스톱이온을 트렌치 내부로 이온주입하는 공정과, 패드 산화막을 성장시켜 필드 산화물을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 분리방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 기술에 따른 반도체 소자 분리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.

Claims (8)

1. 반도체 기판에 트렌치를 형성시키기 위한 트렌치 마스크를 형성시키는 공정과, 상기 마스크 패턴의 노출된 부분을 소정 깊이로 식각하여 트렌치를 형성한 다음 마스크인 감광막을 스트립하는 공정과, 패드 산화물을 성막하는 공정과, 상기 패드 산화물 위에 질화물을 성막하는 공정과, 상기 공정 후 질화막 보호개스를 공급한 상태에서 소정의 압력으로 트렌치 측벽에 소정 두께의 질화막만을 남기고 하부의 질화막을 식각하는 공정과, 필드산화막 주위 활성영역의 도핑된 불순물 이온과 반대형의 채널스톱이온을 트렌치 내부로 이온주입하는 공정과, 패드 산화막을 성장시켜 필드 산화물을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 마스크 형성은 키이 마스크 패턴과 동시에 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 형성을 위한 반도체 기판의 식각 깊이는 500~3000범위로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 질화막을 식각하기 위한 공정의 질화막 측벽을 보호하기 위한 마스크 사이즈는 트렌치 형성을 위한 마스크 사이즈보다 0.2㎛ 이상 작게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
5. 제1항에 있어서, 질화막을 식각하기 위한 공정의 질화막 측벽 보호를 위한 공급 개스는 SF₆인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
6. 제1항에 있어서, 질화막을 식각하기 위한 공정의 질화막 측벽 보호를 위한 공급 개스는 Ar과 CF₄, CH₃F₄를 동시에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 Ar과 CF₄, CH₃F₄개스의 공급비는 10:1:1 내지 10:2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
8. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 Ar과 CF₄, CH₃F₄개스의 공급압은 10~100m Torr 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.