KR960043104A - 반도체 장치의 소자분리 방법 - Google Patents

반도체 장치의 소자분리 방법 Download PDF

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김건수
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김광호
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Abstract

본 발명은 활성영역으로의 불순물 투과(penetration)를 차단하면서 필드영역에는 깊은 불순물을 형성하는 반도체장치의 소자분리방법에 관해 개시한다. 본 발명의 소자분리 방법은 반도체기판상에 제1산화막, 다결정 실리콘막, 질화막 및 제2산화막을 형성하는 단계, 상기 결과물을 패터닝하여 활성영역과 필드영역으로 한정하는 단계, 상기 필드영역의 상기 제2산화막 및 질화막을 제거하는 단계, 상기 필드영역에는 채널스톱불순물을 이온주입하는 단계, 상기 활성영역에 형성된 질화막, 다결정실리콘막 및 제1산화막을 제거하는 단계 및 상기 필드영역에 필드산화막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 반도체 장치의 소자분리 방법에 의하면 활성영역에 영향을 미치지 않고 채널스톱 불순물주입시의 에너지를 크게하여 불순물을 깊게 형성하고, 따라서 고온에서 필드산화막을 형성할 경우 불순물의 외부확산을 방지하여 소자분리특성을 향상 시킨다.

Description

반도체 장치의 소자분리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 소자분리 방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.

Claims (7)

  1. 반도체기판상에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 제1산화막상에 다결정실리콘막 및 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막상에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 활성영역과 필드영역을 한정하도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 의해 한정된 필드영역의 제2산화막과 질화막을 순차적으로 식각하는 단계; 상기 필등영역에 채널스톱 불순물을 주입하는 단계; 상기 활성영역에 형성된 제2산화막을 제거하는 단계; 상기 필드영역에 형성된 필드산화막을 성장시키는 단계; 및 상기 활성영역에 형성된 질화막, 다결정실리콘막 및 제1산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 CVD방식과 PECVD방식에 의해 만들어지는 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2산화막은 1,000 내지 5,000두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 습식식각방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 HTO 또는 PEOX로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전 단계는 N웰 또는 P웰 중 선택된 어느 한 웰에 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
  7. 제6항에 있어서, 선택되지 않은 웰은 상기 채널스톱 불순물을 주입하는 단계에서 그 전면에 포토레지스트가 도포되어 보호되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100455735B1 (ko) * 1998-06-30 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막형성방법

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