KR970030405A - 트렌치 형성방법 - Google Patents
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Abstract
반도체기판에 트렌치를 형성하는 방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 트렌치가 형성될 영역에 개구부를 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 개구부로 노출된 부분의 반도체기판에 이온을 주입하는 단계; 상기 이온주입된 부분을 식각하는 단계 및 마스크층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다. 따라서, 트렌치 형성을 위한 식각시 기판에 가해지는 손상을 줄일 수 있어 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있으며, 활성영역의 축소를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명에 의한 트렌치 형성방법을 설명하기 위한 공정순서에 따른 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판에 트렌치가 형성될 영역에 개구부를 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 개구부로 노출된 부분의 반도체기판에 이온을 주입하는 단계; 상기 이온주입된 부분을 식각하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이온주입된 부분을 식각하는 단계는 습식식각 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 습식식각은 다결정 식각액을 사용하여 진행되는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042791A KR970030405A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 트렌치 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042791A KR970030405A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 트렌치 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030405A true KR970030405A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66588589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042791A KR970030405A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 트렌치 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030405A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826965B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-05-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 트렌치 형성방법 |
-
1995
- 1995-11-22 KR KR1019950042791A patent/KR970030405A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826965B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-05-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 트렌치 형성방법 |
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