KR0125312B1 - 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 필드산화막 형성방법

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KR0125312B1
KR0125312B1 KR1019940016088A KR19940016088A KR0125312B1 KR 0125312 B1 KR0125312 B1 KR 0125312B1 KR 1019940016088 A KR1019940016088 A KR 1019940016088A KR 19940016088 A KR19940016088 A KR 19940016088A KR 0125312 B1 KR0125312 B1 KR 0125312B1
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KR
South Korea
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oxide film
film
silicon substrate
forming
semiconductor device
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Application number
KR1019940016088A
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Inventor
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법을 개시한다.
본 발명은 필드 산화막이 형성시 버즈 비크 발생을 최소화하기 위해 실리콘 기판의 소정부위를 원하는 깊이로 식각하고 필드 산화막을 형성한 다음 식각된 실리콘 기판상에 단결정 실리콘층이 형성된다.

Description

반도체 소자의 필드산화막 형성방법
제1도는 종래의 필드 산화막 형성방법을 설명하기 위한 반도체 소자의 단면도.
제2a도 내지 제2e도는 본 발명에 따른 필드 산화막 형성방법을 설명하기 위한 반도체 소자의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 기판 2 : 패드 산화막
3, 9 : 질화막 4, 11 : 패드 산화막
5 : 제1열산화막 6 : 감광막
7 : 제2열산화막 8 : 폴리실리콘막
10 : 채널스토퍼 12 : 단결정 실리콘층
본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것으로, 특히 선택적인 열산화 공정에 의해 발생하는 버즈 비크를 제거하여 활성영역을 충분히 확보할 수 있도록 한 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자간의 분리를 위하여 필드 산화막이 형성되는데 종래의 필드 산화막 형성방법을 제1도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
실리콘 기판(1)상에 패드 산화막(2) 및 질화막(3)을 순차적으로 형성한 다음 필드 산화막을 형성하고자 할 영역의 패드 산화막(2) 및 질화막(3)을 소정의 폭으로 식각하고 열산화 공정을 실시하면 열산화막으로 이루어진 필드 산화막(2)이 형성되는데 이러한 종래기술은 상기 열산화막이 상기 질화막(3) 하부로 침투하여 버즈 비크(A)가 발생되므로 활성영역이 감소되는 단점이 있다.
따라서 본 발명은 필드 산화막 형성시 버즈 비크 발생을 최소화하여 필드 산화막에 의한 실리콘 기판의 단차를 제거할 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판(1)상에 제1열산화막(5)을 형성하고 그 상부에 감광막(6)을 설정된 패턴으로 형성한 다음 노출되는 상기 제1열산화막(5) 및 상기 실리콘 기판(1)을 원하는 깊이로 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1열산화막(5) 및 감광막(6)을 제거하고 전체구조 상부에 제2열산화막(7), 폴리실리콘막(8) 및 질화막(9) 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘막(8)을 미리 설정된 폭으로 노출시킨 다음 상기 실리콘 기판(1)상에 채널 스토퍼(10)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 열산화공정을 실시하여 필드 산화막(11)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막(9), 폴리실콘막(8) 및 제2열산화막(7)을 제거한 다음 노출된 상기 실리콘 기판(1)상에 단결정 실리콘층(12)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제2a도는 실리콘 기판(1)에 제1열산화막(5)을 100 내지 300Å 두께로 형성한 후 그 상부에 감광막(6)을 설정된 패턴으로 형성하고 노출되는 상기 제1열산화막(5) 및 실리콘 기판(1)을 이방성 식각공정에 의해 소정깊이로 제거한 상태의 단면도이다. 상기 제1열산화막(5) 제거시 HF 또는 완충 산화막 식각용액(BOE)을 사용할 수 있다.
제2b도는 상기 감광막 및 제1열산화막(6 및 5)을 제거하고 제2열산화막(7), 폴리실리콘막(8) 및 질화막(9)을 순차적으로 형성한 상태의 단면도이다.
제2c도는 제2b도 상태에서 사진 식각공정에 의해 상기 폴리실리콘막(8)을 미리 설정된 폭으로 노출시킨다음 BF2이온을 주입하여 패널스토퍼(channel stopper)(10)을 형성한 상태의 단면도이다.
제2d도는 제2c도 상태에서 열산화공정을 실시하여 버즈 비크없이 필드 산화막(11)이 형성된 상태의 단면도이다.
제2e도는 제2d도 상태에서 상기 질화막(9), 폴리실리콘막(8) 및 제2열산화막(7)을 습식식각 공정에 의해 제거한 다음 에피텍셜 공정을 실시하여 노출된 상기 실리콘 기판(1) 상부에 단결정 실리콘층(12)이 형성된 상태의 단면도이다. 상기 질화막(9)의 습식 식각시에는 150℃의 인산을 사용할 수 있고, 상기 폴리실리콘막(8)의 습식 식각시에는 HF와 HNO3가 포함된 화학용액을 사용할 수 있다.
한편, 전술한 제2a도 공정에서 상기 제1열산화막(2)을 형성시키지 않고 실리콘 기판(1)상에 소정패턴의 감광막(6)을 형성한 후 이방성 식각공정을 실시하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 필드 산화막 형성시 버즈 비크의 발생을 최소화 하므로서 충분한 활성영역을 확보할 수 있어 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 탁월한 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 제1열산화막(5)을 형성하고 그 상부에 감광막(6)을 설정된 패턴으로 형성한 다음 노출되는 상기 제1열산막(5) 및 상기 실리콘 기판(1)을 원하는 깊이로 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1열산화막(5) 및 감광막(6)을 제거하고 전체구조 상부에 제2열산화막(7), 폴리실리콘막(8) 및 질화막(9) 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘막(8)을 미리 설정된 폭으로 노출시킨 다음 상기 실리콘 기판(1)상에 채널 스토퍼(10)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 열산화공정을 실시하여 필드 산화막(11)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막(9), 폴리실리콘막(8) 및 제2열산화막(7)을 제거한 다음 노출된 상기 실리콘 기판(1)상에 단결정 실리콘층(12)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판(1)상에 제1열산화막(5)을 형성하지 않고 상기 실리콘 기판(1)상에 감광막(6)을 설정된 패턴으로 형성하고 노출된 상기 실리콘 기판(1)을 원하는 깊이로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1열산화막(5) 제거시 HF 또는 완충 산화막(BOE)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 채널 스토퍼(10) 형성을 위해 BF2이온이 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 질화막(9)은 습식식각 공정에 의해 제거되되 150℃ 이상의 인산이 사용되고, 상기 폴리실리콘막(8)은 습식식각공정에 의해 제거되되 HF HNO3가 포함된 화합용액이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 단결정 실리콘층(12)은 에피텍셜 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
KR1019940016088A 1994-07-06 1994-07-06 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 KR0125312B1 (ko)

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GB9513227A GB2291261B (en) 1994-07-06 1995-06-29 Method of forming a field oxide film in a semiconductor device
GB9818286A GB2326025B (en) 1994-07-06 1995-06-29 Method of forming a field oxide film in a semicondutor device
DE19524202A DE19524202C2 (de) 1994-07-06 1995-07-03 Verfahren zur Bildung eines Feldoxydfilmes für eine Halbleitervorrichtung
JP7167354A JP2871535B2 (ja) 1994-07-06 1995-07-03 半導体素子のフィールド酸化膜形成方法
CN95106984A CN1050932C (zh) 1994-07-06 1995-07-06 半导体器件场氧化层的形成方法
US08/498,912 US5541136A (en) 1994-07-06 1995-07-06 Method of forming a field oxide film in a semiconductor device
GBGB9816594.7A GB9816594D0 (en) 1994-07-06 1998-07-31 Method of forming a field oxide film in a semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990004608A (ko) * 1997-06-28 1999-01-15 김영환 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

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