KR970053405A - 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 소자간 분리막은 버즈 비크를 형성하여 액티브 영역을 감소시킬 뿐만 아니라 스텝 커버리지가 좋지않았다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
LOCOS방식을 이용하여 소자간 분리막을 형성한 후 상기 소자간 분리막을 제거하고, 상기 소자간 분리막이 제거된 부분에 소정 깊이의 트랜치를 형성한 후 산화 공정을 진행하여 네일(Nail) 형태의 소자간 분리막을 형성하여 보다 넓은 액티브 영역의 확보와 스텝 커버리지를 개선시킬 수 있도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 소자간 분리막 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 반도체 소자간 분리막 제조 방법의 한 실시예에 따른 제조 공정을 도시하는 도면.
Claims (1)
- 반도체 소자의 소자간 분리막을 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 패드 산화막, 제1완충용 폴리실리콘, 질화막을 차례로 형성하고, 소자간 분리막이 형성될 부분이 오픈되도록 하는 소정의 마스크 및 식각공정을 수행하는 단계와, 제1산화 공정을 수행하여 제1소자간 분리막을 형성하는 단계와, 상기 질화막, 완충용 폴리실리콘, 패드 산화막 및 소자간 분리막을 차례로 제거하는 단계와, 상기 제1소자간 분리막이 제거된 부분에 소정 깊이의 트렌치를 형성하고, 채널 스톱 이온 주입을 실시하는 단계와, 전체 구조 상에 제2완충용 폴리실리콘을 증착하고, 상기 트렌치가 오픈 되도록 소정의 마스크 및 식각 공정을 이용하여 상기 폴리실리콘을 식각하는 단계와, 제2산화 공정을 수행하여 소자간 분리막을 형성하고, 반도체 기판의 상부까지 리세스 식각을 실시하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054361A KR970053405A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054361A KR970053405A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053405A true KR970053405A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054361A KR970053405A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053405A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100461328B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-12-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 제조 방법 |
| KR100713343B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 소자 분리막 형성 공정에서의 미세 파티클 검출 및 제거방법 |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054361A patent/KR970053405A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100461328B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-12-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 제조 방법 |
| KR100713343B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 소자 분리막 형성 공정에서의 미세 파티클 검출 및 제거방법 |
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