KR970003532A - 반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

반도체 소자의 제조 방법.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제

종래의 LOCOS 방식은 반도체 소자의 소자간 분리막 형성 수행시 소자간 분리막의 버즈 버크(Bird's Beak)를 형성하여 액티브 영역을 감소시켜 반도체 소자의 고집적화에 적합하지 않을 뿐만 아니라 이로인한 반도체 소자의 제조 수율을 저하를 초래하는 문제점을 해결하고자 함.

3. 발명의 해결방법의 요지

트렌치를 이용하여 소자간 분리막을 형성하여 소자 분리막의 버즈 비크의 문제점을 해결하고, 반도체 기판과 소자 분리막의 단차를 줄이기 위한 측벽 스페이서를 형성함.

4. 발명의 중요한 용도

반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 소자간 분리막 제조에 이용됨.

Description

반도체 소자의 소자간 분리막 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1H도는 본 발명의 반도체 소자 분리막 제조 방법의 한 실시예에 따른 제조 공정을 도시하는 도면.

Claims (1)

1. 반도체 소자의 소자간 분리막을 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1산화막, 질화막을 형성하고, 반도체 소자의 소자간 분리막이 형성될 부분이 오픈되도록 하는 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 질화막, 상기 제1산화막, 상기 반도체 기판의 일부를 차례로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치에 채널 스톱 이온 주입을 실시하기 위한 제2산화막을 형성하고, 채널 스톱 이온 주입을 실시하는 단계와, 전체 구조 상부에 제3산화막을 형성하고, 그 위에 평탄화용 절연막을 증착한 후 플로우 시키는 단계와, 상기 질화막의 상부까지 식각되도록 블랭킷 식각을 실시하는 단계와, 상기질화막을 제거하는 단계와, 상기 제1산화막을 식각하여 소자간 분리막을 형성하는 단계 및, 전체 구조 상부에 제4산화막을 형성한 후 상기 소자 분리막의 측벽에 상기 제3산화막이 잔류하도록 블랭킷 식각을 실시하여 측벽 스페이서를 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소장의 소자간 분리막 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.