KR970003827A - 반도체 소자의 소자간 분리막 버즈 비크 제거 방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

반도체 소자의 제조 방법.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제

반도체 소자의 소자간 분리막 형성 수행시 소자 분리막의 버즈 비크로 인한 액티브 영역이 감소하는 문제점을 해결하고자 함.

3. 발명의 해결방법의 요지

종래와 동일한 소자간 분리막이 형성된 구조에서 반도체 소자의 액티브 영역과 소자 분리막의 버즈 비크가 오픈되도록 하는 포토레지스트 패턴을 형성하여 상기 버즈 비크를 포함하는 반도체 기판의 일부를 트렌치 식각하므로써 보다 넓은 영역의 액티브 영역 확보와 소자간 분리를 효과적으로 달성할 수 있는 반도체 소자의 소자간 분리막의 버즈 비크 제거 방법을 제공하고자 함.

4. 발명의 중요한 용도

반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 소자간 분리막 제조에 이용됨.

Description

반도체 소자의 소자간 분리막 버즈 비크 제거 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 반도체 소자의 소자간 분리막의 버즈 비크 제거 방법의 한 실시예에 따른 제조 공정을 도시하는 도면.

Claims (1)

1. 소자간 분리막이 형성되고, 액티브 영역과 소자간 분리막의 일부인 버즈 비크 상에 형성된 산화막을 제거하지 않은 반도체 소자의 소자간 분리막의 버즈 비크를 제거하는 방법에 있어서, 상기 산화막이 형성된 부분은 오픈되고, 나머지 부분은 가려지도록 하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용한 트렌치 식각을 실시하여 상기 산화막과 소자간 분리막 버즈 비크를 포함하는 반도체 기판의 일부를 식각하는 단계와, 상기 잔류 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 소자간 분리막 버즈 비크 제거 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.