KR950012682A - 반도체 소자의 분리막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 소자간 전기적 분리를 위한 분리막 형성방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판(1)상에 산화막(2)을 형성하고 상부에 제 1실리콘나이트라이드막(3)을 형성하는 단계 마스크 공정으로 상기 제 1실리콘나이트라이드막(3), 산화막(2)을 식각하여 반도체기판(1)을 소정부위 노출시키는 단계.전체구조 상부에 제 2실리콘나이트라드막(10)을 형성하는 단계; 상기 산화막(2)의 측면을 감싸도록 상기 제 2실리콘나이트라이드막(10)을 소정부위 식각하여 분리막 형성영역의 상기 반도체기판(1)을 노출시키는 단계 열공정을 진행하여 소자분리막(20)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어져 분리막 형성시 산화막의 측면을 보호하여 측면을 통한 하부방향으로의 산화막성장을 감소시킴으로써 셀영역을 넓게 확보하면서도 효과적으로 절연분리막을 형성할 수 있다.

Description

반도체 소자의 분리막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 일실시예의 필드산 화학 형성공정 단면도.

Claims (4)

1. 반도체 소자의 분리막 형성방법에 있어서, 반도체기판(1) 상에 산화막(2)을 형성하고 상부에 제 1실리콘나이트라이드막(3)을 형성하는 단계; 마스크 공정으로 상기 제 1실리콘나이트라이드막(3), 산화막(2)을 식각하여 반도체기판(1)을 소정부위 노출시키는 단계 ; 전체구조 상부에 제 2실리콘나이트라이드막(10)을 형성하는 단계 ; 상기 산화막(2)의 측면을 감싸도록 상기 제 2실리콘나이트라이드막(10)을 소정부위 식각하여 분리막 형성영역의 상기 반도체기판(1)을 노출시키는 단계; 열공정을 진행하여 소자분리막(20)을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1실리콘나이트라이드막(3), 산화막(2)을 식각하여 반도체 기판(2)을 소정부위 노출시킨 후 절연도를 높이기 위해 상기 노출된 실리콘 기판(1) 상부에 불순물을 이온주입하여 필드스톱 영역(6)을 혈성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 산화막(2)은 200 내지 300Å, 제1실리콘나이트라이드막(3)의 두께는 1000 내지 1500Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성방법.
4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2실리콘나이트라이드막(10)은 30 내지 90Å 두께로 형성되는것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출의 내용에 의하여 공개하는 것임.