KR910008811A - 집적 회로 장치, 반도체 장치 및 전기 절연 구조 형성 방법 - Google Patents
집적 회로 장치, 반도체 장치 및 전기 절연 구조 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제8도는 횡단 면적으로 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 단계 설명도.
Claims (3)
- 집적 회로 장치를 반도체 기판상에 형성하기 위한 방법에 있어서, 버퍼층을 상기 기판 위에 가로 놓이도록 형성하는 단계와, 상기 버퍼층과 상기 버퍼층상의 산화 방지 재질층을 구비하는 혼합물층을 형성하도록 산화방지 재질층을 상기 버퍼층 상에 용착하는 단계와 상기 기판의 부분을 노출시키고 상기 기판위에 가로놓은 상기 혼합물층의 마스킹 부분을 남겨두도록 상기 혼합물층의 선택된 부분을 에치하는 단계와, 상기 마스킹 부분의 상기 산화 방지층의 엣지 부분 밑에 오목부를 형성하도록 상기 버퍼층을 에칭하는 단계와, 정합층으로 상기 오목부를 충분히 채운 상기 혼합물층의 상기 선택된 마스킹 부분 위에 가로 놓이도록 산화할 수 있는 재질의 정합층을 용착하는 단계와, 상기 기판의 상기 노출된 부분에 전기 절연 용역을 형성하도록 상기 기판의 상기 노출된 부분과 상기 정합층을 산화시키는 단계를 포함하는 집적 회로 장치 형성 방법.
- 반도체 장치를 형성하는 방법에 있어서, 활성 표면 영역을 갖는 실리콘 기판을 제공하는 단계와, 패드 산화물층을 상기 기판 위에 놓이도록 형성하는 단계와, 질화물층을 상기 패드 산화물 위에 가로 놓이도록 용착하는 단계와, 포토레지스트 마스크를 상기 기판의 활성 영역에 걸쳐 형성하는 단계와 상기 실리콘 기판의 상기 활성표면 영역위에 가로 놓고 상기 기판의 노출된 부분을 남겨두는 부분을 형성하도록 상기 질화물과 상기 패드 산화물층을 에칭하는 단계와, 상기 포토 레지스트 마스크를 제지하는 단계와, 상기 질화물층의 상기 부분의 엣지 부분 밑에 오목부를 형성하도록 상기 패드 산화물층의 상기 부분을 에칭하는 단계와, 폴리 실리콘층을 상기 질화물층의 상기 부분위에 가로놓이도록 융착하고 상기 오목부를 폴리 실리콘의 상기 층으로 충분히 채우는 단계와, 상기기판의 상기 노출된 부분에 전기 절연 영역을 형성하도록 상기 기판의 상기 폴리실리콘층과 상기 노출된 부분을 산화시키는 단계를 포함하는 반도체 장치 형성방법.
- 실리콘 기판에 전기 절연 구조를 형성하기 위한 방법에 있어서, 상기 절연 구조는 활성 표면 영역을 갖는 실리콘 기판을 제공하는 단계와, 패드 산화물층을 상기 기판 위에 놓이도록 형성하는 단계와 질화물층층을 상기 패드 산화물 위에 가로 놓이도록 용착하는 단계오, 포토레지스트 마스크를 상기 기판의 활성영역위에 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상기 활성 표면 영역위에 가로놓고 상기 기판의 노출된 부분을 남겨둔 부분을 형성하도록 상기 질화물과 상기 패드산화물층을 에칭하는 단계와, 상기 질화물층의 상기 부분의 엣지부분 밑에 오목부를 형성하도록 상기 패드 산화물층의 상기 부분을 에칭하는 단계와, 상기 포토 레지스트 마스크를 제거하는 단계와, 폴리 실리콘의 용착된 층으로 상기 오목부를 충분히 채우는 상기 질화물층의 상기 부분위에 가로놓이도록 폴리 실리콘층을 용착하는 단계와, 상기 질화물층의 상기 부분과 상기 패드 산화물층의 상기 부분이 접경해 있는 상기 폴리 실리콘층의 부분을 형성하도록 상기 폴리 실리콘층을 이등 방적으로 에칭하고 상기 질화물층의 상기 부분의 상부 표면을 거의 평면으로 하는 단계와, 그 평면에 침강부를 형성하도록 상기 기판의 상기 노출된 부분을 에칭하는 단계와, 상기 침강부로부터 실리콘 표면층을 제거하도록 상기 침강부를 에칭하는 단계와, 전기 절연영역을 상기 기판의 상기 침강부에 형성하도록 상기 기판의 폴리 실리콘층과 상기 침강부를 산화시키는 단계와, 상기 질화물층의 상기 부분과 상기 패드 산화물층의 상기 부분을 제거하는 단계를 포함하는 상기 기판의 표면을 거의 평면으로 하는 전기 절연 구조 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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