KR970077191A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR970077191A
KR970077191A KR1019960015540A KR19960015540A KR970077191A KR 970077191 A KR970077191 A KR 970077191A KR 1019960015540 A KR1019960015540 A KR 1019960015540A KR 19960015540 A KR19960015540 A KR 19960015540A KR 970077191 A KR970077191 A KR 970077191A
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KR
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semiconductor device
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contact hole
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KR1019960015540A
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신철호
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 제조방법은 게이트와 활성영역을 동시에 노출시키는 콘택홀을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 전에 상기 게이트의 측벽에 형성된 스페이서를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한 다음 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 노출된 게이트의 스페이서를 제거하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 의한 방법으로 콘택홀을 형성하는 반도체장치의 제조과정은 미리 제거된 스페이서의 폭만큼 정렬마진을 확보할 수 있다. 그러므로 쉽고 정확한 공정진행이 가능하여 수율을 높일 수 있고 공정을 신속하게 진행할 수 있으므로 생산성을 증가시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법을 단계별로 나타낸 도면이다.

Claims (3)

  1. 게이트와 활성영역을 동시에 노출시키는 콘택홀을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 전에 상기 게이트의 측벽에 형성된 스페이서를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한 다음 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 노출된 게이트의 스페이서를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 인산용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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