KR970023632A - 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
포토레지스트 공정에서 노광시 포토 레지스트막의 하부막질에 의하여 빛의 반사가 있게되어 후 속의 공정에서 포토 레지스트 패턴이 손상이 발생한다.
이것을 방지하기 위하여 비반사막을 포토 레지스트막의 하부에 형성하게 되는 데, 비반사막으로서 폴리머를 사용하게 되면 하부막질의 과도 식각할 필요가 없어지게 되므로 포토 레지스트의 프로파일이 변형되어 생기는 문제점을 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도와 제2B도는 본 발명의 실시예에 따른 비반사막을 이용한 패턴 형성공정도.
Claims (3)
- 포토 레지스트막을 이용하여 패턴을 형성하는 데 있어서, 비반사막으로서, 폴리머를 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 폴리머 형성을 위한 반응가스로서 카본(carbon)을 포함하는 가스로 CF4, C2F6, C3F8, C4F8, CHF3, C2HF5, C2H2F2와 HBr, CC14, BC13가스중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 체인 구조보다 서클구조를 갖는 C3F8, C4F8중 하나를 반응 가스로써 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035619A KR970023632A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035619A KR970023632A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023632A true KR970023632A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950035619A KR970023632A (ko) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 폴리머 증착에 의한 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023632A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100248198B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
-
1995
- 1995-10-16 KR KR1019950035619A patent/KR970023632A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100248198B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
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