KR980011716A - 패턴 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 패턴 형성 방법에 대한 것으로, 특히 수직으로 질화막을 식각하여 미세 패턴이나 고집적화에 이용하기에 적합한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

상기와 같은 본 발명 패턴 형성 방법은 기판 준비하는 단계; 상기 기판 상에 절연막과 질화막과 산화막 차례로 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 감광막 형성하는 단계; 상기 감광막 패터닝하는 단계; 상기 감광막을 마스크로 상기 지로하막과 산화막 제거하고 감광막 제거하는 단계를 포함하여 제작된다.

Description

패턴 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

본 발명은 패턴 형성 방법에 대한 것으로, 특히 수직으로 질화막을 식각하여 미세패턴이나 고집적화에 이용하기에 적합한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

이하 첨부 도면을 참조하여 종래의 패턴 형성 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저 종래 패턴 형성 방법은 도 1a에 도시된 바와 같이 기판(1) 상에 산화막(2)과 질화막(3)을 증착한 후에 상기의 질화막(3) 상에 감광막(4)을 도포한다.

그리고 도 1b에 도시한 바와 같이 노광 및 현상 공정으로 감광막(4)을 선택적으로 제거한다. 이때 질화막(3)은 빛 반사율이나 굴절율이 다른 막과 달라서 패턴된 감광막(4) 하부에 패턴 꼬리(5) 부분이 남게 된다. 이 현상은 질화막(3)의 고유한 특징으로써 감광막(4)의 도포 조건이나 노광 조건, 현상 조건을 아무리 변경해도 없어지지 않는다.

다음으로 도1c에 도시한 바와 같이 패터닝된 감광막(4)을 마스크로 이용하여 질화막(3)을 식각하고 감광막을 제거한다. 식각할 때 감광막(4)의 패턴 꼬리(5) 부분의 영향으로 질화막(3)이 수직으로 식각되지 않고 경사지게 식각된다.

종래 패턴 형성 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 질화막 위에 직접 감광막을 얹고 감광막을 패터닝할 때 감광막에 패터닝된 꼬리 부분이 나타나므로 이 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 질화막을 식각할 경우 고집적화를 이룰 수 없다.

둘째, 질화막이 수직으로 식각되지 않으므로 식각된 질화막을 마스크로 이용하여 다음 공정을 할 때 미세 패턴이나 좀 더 높은 집적화를 위한 공정에 적합하지 않다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써 수직으로 질화막을 식각하여 미세 패턴이나 좀저 높은 고집적화를 위한 공정에 사용할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

제1a는 내지 제1c도는 종래의 패턴 형성 방법을 나타낸 공정 단면도.

제2a도 내지 제2d도는 본 발명 패턴 형성 방법을 나타낸 공정 단면도.

＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 기판 11 : 제1산화막

12 : 질화막 13 : 제2산화막

14 : 감광막

본 발명 패턴 형성 방법은 기판 준비하는 단계; 상기 기판 상에 절연막과 질화과 산화막 차례로 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 감광막 형성하는 단계; 상기 감광막 패터닝하는 단계; 상기 감광막을 마스크로 상기 질화막과 산화막 제거하고 감광막 제거하는 단계를 포함하여 제작되는 것을 특징으로 한다.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명 패턴 형성 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저 본 발명 제 1 실시예의 패턴 형성 방법은 도 2a에 도시한 바와 같이 기판(10)상에 제 1 산화막(11)을 증착하고 제 1 산화막(11) 상에 질화막(12)과 제 2 산화막(13)을 증착한다. 여기에서 질화막(12) 상에 제 2 산화막(13)을 증착하는 대신에 감광막(14) 패터닝에 문제가 없는 다른 필름을 증착할 수 있다.

그리고 도 2b에 도시한 바와 같이 제 2 산화막(13) 상에 감광막 (14)을 도포한다.

이때 질화막(12)과 감광막(14) 패터닝시 발생할 수 있는 패턴 꼬리 부분을 방지하기 위해서이다.

이어서 도 2c에 도시한 바와 같이 노광 및 현상 공정으로 감광막 (14)을 선택적으로 패터닝한다.

다음으로 제2d에 도시한 바와 같이 노광 및 현상 공정으로 감광막(14)을 마스크로 이용하여 제2산화막(13)과 질화막(12)을 식각하여 수직 패턴을 형성한다.

본 발명 패턴 형성 방법은 다음과 같은 효과가 있다.

질화막 식각을 위하여 감광막을 노광 및 현상 공정으로 패터닝 할 때 종래에 나타났던 패턴 꼬리 부분이 나타나지 않으므로 고집적화를 위한 패턴에 사용할 수 있다. 둘째, 패턴 꼬리 부분이 없이 수직으로 패턴닝된 감광막을 마스크로 이용하여 질화막을 수직으로 식각할 수 있으므로 미세 패턴에 특히 유리하다.

Claims (2)

1. (1) 기판 준비하는 단계; (2) 상기 기판 상에 절연막과 질화막과 산화막 차례로 형성하는 단계; (3)상기 산화막 상에 감광막 형성하는 단계; (4) 상기 감광막 패터닝하는 단계; (5) 상기 감광막을 마스크로 상기 질화막과 산화막 제거하고 감광막 제거하는 단계를 포함하여 제작되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
2. 제1항에 있어서, 제 (2) 단계에서 상기 질화막 상에 산화막 대신 식각에 적당한 다른 필름을 사용하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.