KR940016516A - 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 초고집적 반도체 소자의 패턴 형성방법에 관한 것으로 0.4㎛ 이하의 미세패턴 형성방법에 관한 것이다.
종래에는 서브층(1) 위에 제 1 감광막, 절연막, 제2 감광막을 차례로 적층하여 제 2 감광막을 노광 및 현상하여 패턴을 정의하고, 제 2 감광막을 마스크로 절연막을 식각하고 절연막을 마스크로 하여 제 2 감광막을 식각하여 최종 패턴을 정의하였다.
따라서, 디자인 룰 0.4㎛ 이하의 패턴형성이 불가능하고, 제 2 감광막 식각시 폴리머 발생 및 단차에 다른 패턴형상이 불균일하였다.
본 발명은 서브층위에 패턴 형성부위가 제거되도록 제 1 감광막을 노광하고 제 1 감광막측벽 절연막을 형성한 다음 제 2 감광막을 제 1 감광막사이에 형성하고 제 2 절연막을 증착한 후 제 1 감광막이 드러나도록 에치백하여 제 1 감광막 및 제 1, 제 2 절연막을 제거하여 제 2 감광막으로 최종패턴을 형성한다.
따라서, 0.4㎛ 이하의 미세패턴 형성이 가능하고 폴리머 및 리팩트 발생이 감소하고 패턴이 균형을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 미세 패턴 형성 공정단면도.
Claims (3)
- 패턴을 형성하고자 하는 서브층(2)에 제 1 감광막(2)을 증착하는 공정과, 패턴 마스크를 사용하여 패턴형성영역의 제 1 감광막(2)을 제거하는 공정과, 제 1 감광막(2) 측벽에 측벽 제 1 절연막(3)을 형성하는 공정과, 제 2 감광막(4)을 제 1 감광막(2) 사이에 제 1 감광막(2)보다 낮게 형성하는 공정과, 제 2 절연막(5)을 두껍게 증착하고 제 1 감광막(2)이 들어날때가지 에치백하는 공정과, 제 1 감광막(2)과, 제1, 2절연막(3, 5)을 순차적으로 제거하여 제 2 감광막(4)으로 미세패턴을 형성하는 공정으로 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 제1, 제2절연막(3)을 제1, 제2감광막(2)과, 식각선택비가 큰 물질로 형성함을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 2 절연막(5)은 평탄화가 용이한 물질로 형성함을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019920024640A KR960002762B1 (ko) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 미세 패턴 형성 방법 |
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| KR (1) | KR960002762B1 (ko) |
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| KR100909764B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
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1992
- 1992-12-17 KR KR1019920024640A patent/KR960002762B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR960002762B1 (ko) | 1996-02-26 |
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