KR970018111A - 반도체장치의 미세패턴의 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조에 있어서 동종의 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 구성은 동일한 종류의 패턴을 구분하여서 구현된 적어도 둘 이상의 마스크(10A, 10B)를 준비하는 공정과; 반도체기판(1)상에, 패턴형성용막(2)과 제1감광막(3)을 차례로 형성하는 공정과; 제1패턴이 구현된 마스크(10A)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제1감광막(3a)을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 제1감광막(3a)을 마스크로 사용하여 상기 패턴형성용막(2)을 식각하는 공정과; 상기 제1감광막(3a)을 제거하고 그 위에 제2감광막(4)을 도포한 다음, 제2패턴(11b)이 구현된 마스크(10B)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제2감광막(4a)을 형성하는 공정과, 상기 소정패턴의 제2감광막(4a)을 마스크로 사용하여서 상기 패턴형성용자(2)을 식각하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의해, 동일한 모양의 패턴만으로 구성된 마스크를 사용하여 분리노광하기 때문에, 사진공정의 에리얼 이메지가 양호하게 되어서 각 패턴에 대한 노광공정을 각각 최적화할 수 있다. 또한 본 발명에 사용되는 마스크는 종래의 마스크에 비해서 상대적으로 패턴의 밀도가 줄어들게 되어 노광공정의 해상력이나 마진등을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 미세패턴의 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 제1도의 마스크를 사용하여 사진공정을 실행할 때 근접하는 패턴들이 붙는 브리지 (bridge)현상을 보여주는 도면,

제3A도와 제3B도는 본 발명의 반도체장치의 미세패턴의 형성방법에서 사용되는 마스크를 보여주는 도면,

제4A도 내지 제4G도는 본 발명에 따른 반도체장치의 미세패턴의 형성방법을 보여주는 순차적인 제조공정도.

Claims (2)

1. 반도체기판(1)상에, 패턴형성용막(2)과 제1감광막(3)을 차례로 형성하는 공정과; 제1패턴이 구현된 마스크(10A)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제1감광막(3a)을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 제1감광막(3a)을 마스크로 사용하여 상기 패턴형성용막(2)을 식각하는 공정과, 상기 제1감광막(3a)을 제거하고 그 위에 제2감광막(4)을 도포한 다음, 제2패턴(11b)이 구현된 마스크(10B)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제2감광막(4a)을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 제2감광막(4a)을 마스크로 사용하여서 상기 패턴형성용막(2)을 식각하는 공정을 포함하는 반도체장치의 미세패턴의 형성방법.
2. 반도페장치의 제조공정에 있어서, 복수의 종류의 패턴을 동일한 패턴으로 구분하여 분리노광하여 노광공정을 최적화하는 반도체장치의 미세패턴의 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.