KR970049009A - 미세 마스크패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
마스크 상에 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있는 미세 마스크패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 기판 상에 차광층 및 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 결과물 전면에 PMMA를 오버 코팅(over coating)하는 단계, 결과물을 베이크하여 포토레지스트 패턴의 표면에서 PMMA와의 반응에 의해 화합물을 생성시키는 단계, 반응되지 않은 PMMA를 제거하는 단계 및 잔류하는 패턴을 마스크로 사용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 포토레지스트와 PMMA 사이의 계면반응에 의해 포토레지스트 패턴 사이의 스페이스를 좁게 함으로써, 한계 해상도 이하의 미세한 패턴을 형성할 수 있으며, 수율향상도 기대할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제4도는 본 발명에 의한 미세 마스크패턴 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 기판 상에 차광층 및 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 PMMA를 오버 코팅(over coating)하는 단계, 상기 결과물을 베이크하여 상기 포토레지스트 패턴의 표면에서 PMMA와의 반응에 의해 화합물을 생성시키는 단계, 상기 반응되지 않은 PMMA를 제거하는 단계; 및 잔류하는 패턴을 마스크로 사용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 마스크패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 노볼락(Novolac)계열의 포토레지스트를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 마스크패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 노광시 레이저 빔을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 미세 마스크패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066928A KR970049009A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 미세 마스크패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066928A KR970049009A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 미세 마스크패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049009A true KR970049009A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066928A KR970049009A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 미세 마스크패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970049009A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066928A patent/KR970049009A/ko not_active Application Discontinuation
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