KR980005493A - 반도체 소자의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 콘택 건식식각공정시 폴리머 발생을 방지하여 폴리머제거공정없이 습식식각공정을 진행하는 반도체 소자의 콘택 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 콘택 건식식각공정시 PR과 반응하여 폴리머를 발생시키지 않는 가스를 사용하여 공정을 진행하고 습식식각을 진행하여 이루어진다. 따라서, 본 발명의 반도체소자의 콘택 형성방법은 공정시간을 단축할 수 있으며 콘택패턴의 프로파일도 개선할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따라 폴리머제거공정없이 습식 식각공정을 진행한 후의 콘택 영역을 나타내는 단면도이다.
Claims (2)
- PR마스크를 형성하기 위한 콘택 포토공정 단계, 중간절연막의 일부를 제거하기 위한 건식식각공정 단계. 및 중간절연막의 잔여부분을 제거하기 위한 습식식각공정 단계를 포함하는 반도체소자의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 건식식각공정 단계가 폴리머를 발생시키지 않는 가스를 사용하여 진행됨을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가스가 CF4가스 또는 SF4가스인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023543A KR980005493A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023543A KR980005493A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005493A true KR980005493A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023543A KR980005493A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005493A (ko) |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023543A patent/KR980005493A/ko not_active Application Discontinuation
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