KR960026302A - 반도체소자의 트랜치 제조 방법 - Google Patents
반도체소자의 트랜치 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 트랜치 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 패드산화막과 질화막을 순차적으로 형성하고, 상기 반도체기판에서 트랜치 영역으로 예정되어 있는 부분상의 질화막을 노출시키는 감광막패턴을 형성한 후,상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 질화 및 산화막을 식각고정시 생성되는 부산물인 폴리머가 계속적으로 측벽에 부착되도록하여 경사직 측벽을 갖도록 식각하여 반도체기판을 노출시키고, 상기 노출되어진 반도체기판을 상기 감광막패턴과 반응하여 다량의 폴리머를 발생시키는 염소가스를 포함하는 식각가스를 사용하여 예정된 두께 만큼 식각하여 경사진 측벽을 갖는 트랜치를 형성하였으므로, 후속 공정에서 트랜치를 메우는 산화막의 도포시 단차피복성이 우수하여 트랜치의 내부에 보이드 생성을 방지하여 공정수율이 향상되고, 소자의 고집적화에 유리하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 트랜치 제조 공정도.
Claims (1)
- 반도체기판상에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막상에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에서 제조 영역으로 예정되어 있는 부분상의 질화막을 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 질화막을 식각공정시 생성되는 폴리머를 이용하여 측벽이 경사지게 식각하여 산화막을 노출시키는 질화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 질화막 패턴에 의해 노출되어 있는 산화막을 제거하여 반도체기판을 노출시키는 산화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 노출되어 있는 반도체기판의 예정된 깊이를 염소가스를 포함하는 식각가스를 사용하여 측벽이 경사지게 식각하여 트랜치를 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 트랜치 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039035A KR960026302A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 트랜치 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039035A KR960026302A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 트랜치 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026302A true KR960026302A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039035A KR960026302A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 트랜치 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026302A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246198B1 (ko) * | 1997-12-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체장치의 소자격리방법 |
| KR100419026B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039035A patent/KR960026302A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419026B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리방법 |
| KR100246198B1 (ko) * | 1997-12-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체장치의 소자격리방법 |
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