KR970054409A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조 방법 Download PDF

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KR970054409A
KR970054409A KR1019950046259A KR19950046259A KR970054409A KR 970054409 A KR970054409 A KR 970054409A KR 1019950046259 A KR1019950046259 A KR 1019950046259A KR 19950046259 A KR19950046259 A KR 19950046259A KR 970054409 A KR970054409 A KR 970054409A
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polysilicon
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etching
semiconductor device
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KR1019950046259A
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이상선
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 MOSFET의 제조방법에 관한 것으로서, 도우핑된 폴리실리콘의 디글레이즈 불량 및 포토마스크 작업시에 생긴 폴리실리콘의 불균일한 자연 산화막을 제거할 수 있으면서도 소자의 고집적화를 가능하게 하는 것을 목적으로 한다. 반도체 기판상의 인이 도우핑된 폴리실리콘상에 감광막 패턴을 형성한 후, HF퓨움(fume)으로 사전에치하여 불균일 자연 산화막을 제거하고, 린스하고, 스핀드라이시키고, HF수증기를 감광막 패턴이 형성되지 않은 노출 부위에 도우프 한다. 그런다음, 감광막 패턴의 형태로 식각을 실시한다.

Description

반도체 소자의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 (가) 내지 (마)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 공정 순서적으로 설명하기 위한 반도체 소자의 요부 단면도이다.

Claims (2)

  1. 반도체 기판상의 인이 도우핑된 폴리실리콘을 디글레이즈(deglaze)시키는 단계; 상기 폴리실리콘상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘상의 감광막 패턴이 형성되지 않는 노출 부위를 HF퓨움(fume)으로 사전에치하여 불균일 자연 산호막을 식각하고, 린스하고, 스핀드라이시킨 후 HF 수증기를 도우프하는 단계; 상기의 감광막 패턴 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, HF 퓨움에 의한 사전에치시 불균일 자연 산화막의 에치 타켓이 500A 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950046259A 1995-12-02 1995-12-02 반도체 소자의 제조 방법 KR970054409A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101413303B1 (ko) * 2014-03-18 2014-06-30 주식회사 디에스케이 선박용 일체형 유수분리기용 필터

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