KR970062808A - 위상 반전 마스크의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)에 관한 것으로 특히, 애지(edge) 강조형 마스크나 공간 주파수 변조형 마스크의 적용에 적합하도록 한 위상 반전 마스크의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의위상 반전 마스크의 제조방법은 투명 기판위에 차광층과 위상 반전층 및 감광막을 차례로 형성하고 상기 감광막을 선택적으로 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로하여 상기 위상 반전층과 차광층을 일정깊이로 제거하여 상기 차광층의일부분을 남기는 단계,상기 남아있는 차광층을 제거하여 상기 투명기판을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어진다. 따라서, 위상 반전 마스크의 프로파일을 개선하여 위상 반전 효과를 높인다.

Description

위상 반전 마스크의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 제1실시예의 위상 반전 마스크의 제조공정 단면도.

Claims (7)

  1. 투명 기판위에 차광층과 위상 반전층 및 감광막을 차례로 형성하고 상기 감광막을 선택적으로 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 하여 상기 위상 반전층과 차광층을 일정깊이로 제거하여 상기 차광층의 일부분을 남기는 단계, 상기 남아있는 차광층을 제거하여 상기 투명기판을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 차광층의 두께는 약 500Å~3000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 차광층을 제거시 약 70%~90%는 건식 식각으로 제거하고 약 30%~10%는 등방성 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
  4. 투명 기판위에 차광층을 형성하고 상기 차광층을 선택적으로 제거하여 차광영역을 형성하는 단계, 상기 차광영역을 포함한 투명 기판 전면에 위상 반전층 및 감광막을 차례로 형성하고 상기 감광막을 상기 차광영역 사이에 교번되도록 선택적으로 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 상기 위상 반전층을 일정깊이로 제거하여 상기 차광영역을 노출시키는 단계, 상기 노출된 차광영역 사이에 남아있는 위상 반전층을 제거하여 상기 투명 기판을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한 위상 반전 마스크의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 위상 반전층은 차광영역 노출시까지는 건식 식각으로 제거하고 투명 기판 노출시까지는 동방성 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
  6. 투명 기판위에 차광층을 형성하고 상기 차광층을 선택적으로 제거하여 차광영역을 형성하는 단계, 상기 차광영역을 포함한 투명 기판 전면에 감광막을 형성하고 상기 감광막을 차광영역 사이에 교번되도록 선택적으로 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 상기 투명 기판을 일정 깊이로 제거하여 위상 반전 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 투명 기판제거시 전체 식각의 약 60%~90%는 건식 식각으로 제거하고 약 40%~10%는 동방성 습식 식각으로 하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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