KR940015710A - 폴리실리콘의 건식 식각 후 발생되는 폴리머 제거 방법 - Google Patents
폴리실리콘의 건식 식각 후 발생되는 폴리머 제거 방법 Download PDFInfo
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Abstract
본 발명은 기존 설비의 변경없이 통상적인 공정 순서에서, H2O의 전기 분해법을 도입하여 폴리머 제거를 실현함으로써, 공정 순서의 특이한 변형없이 폴리머를 제거하여 하층 박막의 손상등을 방지하여 반도체 소자의 특성을 향상 시키는 효과가 있는 폴리실리콘의 건식 식각후 발생되는 폴리머 제거 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 폴리실리콘 건식 식각후의 폴리머 형성도, 제2도는 본 발명에 따른 전기 분해법의 개략적인 예시도.
Claims (1)
- 폴리실리콘의 건식 식각후 발생되는 폴리머 제거 방법에 있어서, 폴리실리콘 선폭가공을 위한 감광막 처리 공정을 수행한 후에 폴리실콘막을 건식식각하고, 감광막을 제거하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 황산과 과산화수소를 이용한 세척공정을 진행하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에 물의 전기분해법을 이용한 폴리머를 제거하여 세정 및 건조를 수행하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘의 건식 식각 후 발생되는 폴리머 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920027320A KR950014503B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 폴리실리콘의 건식식각 후 발생되는 폴리머 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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KR940015710A true KR940015710A (ko) | 1994-07-21 |
KR950014503B1 KR950014503B1 (ko) | 1995-12-02 |
Family
ID=19348477
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KR1019920027320A KR950014503B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 폴리실리콘의 건식식각 후 발생되는 폴리머 제거 방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR950014503B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027320A patent/KR950014503B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR950014503B1 (ko) | 1995-12-02 |
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