KR890005833A - 반도체 재료 가공용 샘플 홀더 및 웨이퍼 케이지를 탄화규소로부터 제조 하는 방법 및 장치 - Google Patents

반도체 재료 가공용 샘플 홀더 및 웨이퍼 케이지를 탄화규소로부터 제조 하는 방법 및 장치 Download PDF

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KR890005833A
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제이.가드너 스티븐
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원본미기재
사우스테크 인코오퍼레이티드
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 재료 가공용 샘플 홀더 및 웨이퍼 케이지를 탄화규소로부터 제조하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 완전히 탄화규소로 되어 있는 실질적으로 임의의 구조를 갖는 샘플 홀더 또는 웨이퍼 케이지를 형성 하는 방법의 블록 다이어그램.

Claims (20)

  1. 반응성 환경에 노출시키는 동안 재료부재를 고정 하는 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더의 구조물에 있어서, 상기 제 1및 제 2구조섹션으로 이루어져 있고, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 완전히 탄화규소로 되어 있고, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 그 안에 상기 재료부재를 배치 하는 제 1구조르 가지며, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 상기 제 1및 제 2구조섹션은 상기 반응성 환경에 노출시키는 동안 고정된 관계로 상기 재료부재를 고정 하는 제 2구조를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 구조부재는 반응성 가스를 상기 재료부재에 접촉시키기 위하여 그 안에 형성된 복수개의 구멍을 가지는 것을 특징으로 하는 재료부재의 고정용 구조물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 흑연물질로부터 제조되고 탄화규소로 완전히 전환되는 것을 특징으로 하는 재료부재 고정용 구조물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 고온 환경에서 일산화규소 분자의 원에 노출시킴으로써 탄화규소로 전환되는 것을 특징으로 하는 재료부재 고정용 구조물.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 일산화규소 분자는 불순물이 수준이 낮은 것을 특징으로 하는 재료부재 고정용 구조물.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 제조된 흑연물질은 탄화규소로 전환되기 전에 가열되고 부분진공이 가해지는 것을 특징으로 하는 재료부재 고정용 구조물.
  7. 반응성 환경에 노출시키는 동안 재료를 고정 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법에 있어서, 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물을 흑연으로부터 제조 하는 단계 및 상기 흑연 웨이퍼케이저또는 샘플 홀더 구조물을 실질적으로 완전히 탄화규소 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물로 전환시키는 단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 전환단계는 상기 흑연 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물을 고온 환경에서 규소원자의 원에 노출시키는 것을 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 흑연이 실질적으로 완전히 탄화규소로 전환되지 않았을때 상기 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더를 냉각시키고 고온 환경에서 일산화규소 분자의 원에 상기 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더를 다시 노출시키는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서, 탄화규소로 전환시킨 후에 사익 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더의 치수를 수정하는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 전환단계 전에 상기 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물의 탈기 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서 상기 전환단계 전에 상기 웨이퍼 케이지 또는 샘플 홀더 구조물의 탈기 단계를 더포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서, 일산화 규소 분자의 고순도 원을 제공 하는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 전환단계를 불순물이 적은 환경에서 실시 하는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 케이지 및 샘플 홀더 구조물의 제조방법.
  15. 흑연구조물의 흑연이 완전히 탄화규소 실리콘으로 전환되어 탄화규소 구조물을 제공 하는 상기 탄화규소 구조물의 구성을 실질적으로 가지는 흑연구조물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 탄화규소 구조물.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 흑연은 고온 환경에서 일산화규소 분자의 원에 노출시켜 상기 탄화규소로 전환된 것을 특징으로 하는 탄화규소 조성물.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 흑연구조물은 일산화규소 분자의 상기 원에 노출시킨 후에 냉각시키고 그 다음이 고온의 환경에서 일산화규소 분자의 상기 원에 다시 노출시키는 것을 특징으로 하는 탄화규소물 구조물.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 흑연구조물은 일산화규소 분자의 상기 원에 노출시키기 전에 부분진공에서 가열되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 조성물.
  19. 제 4항에 있어서, 상기 제 1및 제 2구조섹션은 상기 일산화규소 분자에 노출되기 전에 분압에까지 가열되는 것을 특징으로 하는 재료부재 고정용 구조물.
  20. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2구조섹션은 상기 일산화규소 분자에 노출된 후에 냉각되고 그후에 상기 일산화규소 분자에 다시 노출되는 것을 특징으로하는 재료부재 고정용 구조물.
    ※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880012410A 1987-09-25 1988-09-24 반도체 재료 가공용 샘플 홀더 및 웨이퍼 케이지를 탄화규소로부터 제조 하는 방법 및 장치 KR890005833A (ko)

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978567A (en) * 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
JP2946450B2 (ja) * 1993-04-27 1999-09-06 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェーハ包装容器
US6171400B1 (en) 1998-10-02 2001-01-09 Union Oil Company Of California Vertical semiconductor wafer carrier

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3634116A (en) * 1969-06-02 1972-01-11 Dow Corning Silicon-carbide-encased graphite articles and their production
DE2123572A1 (en) * 1971-05-12 1972-11-23 Nippon Oil Seal Industry Co., Ltd., Fujisawa, Kanagawa (Japan) Silicon carbide articles - by silicon carburising specific carbon articles with silicon monoxide gas
CA971465A (en) * 1972-05-17 1975-07-22 Dow Corning Corporation Method and apparatus for making elongated si and sic structures
DE2349512C3 (de) * 1973-10-02 1978-06-08 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse
JPS5277590A (en) * 1975-12-24 1977-06-30 Toshiba Corp Semiconductor producing device
US4513030A (en) * 1982-06-18 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of producing silicon carbide articles
JPS59174576A (ja) * 1983-03-18 1984-10-03 日立化成工業株式会社 ＳｉＣ治具

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