KR200169672Y1 - 반도체 박막증착장치의 오픈캡 - Google Patents

반도체 박막증착장치의 오픈캡 Download PDF

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KR200169672Y1
KR200169672Y1 KR2019940001438U KR19940001438U KR200169672Y1 KR 200169672 Y1 KR200169672 Y1 KR 200169672Y1 KR 2019940001438 U KR2019940001438 U KR 2019940001438U KR 19940001438 U KR19940001438 U KR 19940001438U KR 200169672 Y1 KR200169672 Y1 KR 200169672Y1
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Abstract

본 고안은 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡에 관한 것이다. 종래의 오픈 캡은 정체된 캡 내의 분위기가 진공을 만드는 과정/공정에서 흘러나와 웨이퍼를 오염시킬 수 있고, 더욱이 캡의 높이가 높기 때문에 웨이퍼에 도달하는 데 소비되는 시간과 소모량이 많아지며, 업 존(Up Zone)의 막이 불균일하게 성장할 가능성이 높아지는 문제점이 있었다. 캡 몸체(11)의 상면 중앙에 통공(16)을 형성하고 방열판 홀더(13)의 하면에 복수 개의 공기유통공(17)을 형성하며, 캡 몸체(11)의 높이를 240mm이하의 높이로 형성한 본 고안을 제공하여 캡의 상면에 형성된 통공과 방열판 홀더의 하면에 형성된 수개의 공기유통공을 통해 로내의 열이 캡 내부로 전달되이 캡 내의 분위기가 로내의 분위기와 유사하게 됨으로써 정체되었던 공기가 외부로 배출되어 정체되는 공기로부터의 오염이 방지되고 캡 높이의 축소로 인해 가스의 웨이퍼 도달시간 및 소모량이 감소되며, 캡의 축소된 높이만큼 보트가 낮아지기 때문에 업 존의 두께 균일성이 향상되도록 한것이다.

Description

반도체 박막 증착장치의 오픈 캡
제1도는 종래 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡을 보인 것으로,
(a)는 종단면도.
(b)는 평면도.
(c)는 방열판 홀더의 저면도.
제2도는 본 고안 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡을 보인 것으로,
(a)는 종단면도,
(b)는 평면도.
(c)는 방열판 홀더의 저면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 오픈 캡 몸체 13 : 방열판 홀더
16 : 캡의 통공 17 : 홀더의 공기유통공
본 고안은 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡(Open Cap)에 관한 것으로, 특히 저압화학기상증착장치(LPCVD)에 적합하도록 하기 위한 균일성을 개선하고, P/T오염을 줄이도록 한 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡에 관한 것이다.
종래에는 제1도에 도시한 바와 같이, 오픈 캡(1)의 상면에 2개소의 구멍이 형성되어 있고 하부는 개방되어 있는 형상이지만, 상기 캡(1)을 고정하는 플랜지(2)와, 방열판(3)에 의해 하면이 실링되고, 상면은 보트(Boat)를 고정하는 보트 고정핀(4)에 의해 실링되어 있다.
미설명 보호 5는 방열판을 나타낸 것이다.
이와 같이 구성되어 있는 캡은 외주부 전면이 실링되어 있기 때문에 보트가 완전히 상승될 때까지 캡 내부의 공기가 정체되어 있다가 진공을 위한 펌핑 및 공정 중에 캡 내부의 분위기로 보트 고정핀(4) 및 홀더(3)의 고정부위의 틈으로 흘러나올 가능성이 많았고, 또한 캡(1)의 높이가 약 299mm이기 때문에 가시가 웨이퍼에 도달하는 데 걸리는 시간이나 소모량이 많아지는 것이었다.
이처럼 종래의 오픈 캡은 정체된 캡 내의 분위기가 진공을 만드는 과정/공정에서 흘러나와 웨이퍼를 오염시킬 수 있고, 더욱이 캡의 높이가 크기 때문에 웨이퍼에 도달하는 데 소비되는 시간과 소모량이 많아지며, 업 존(Up Zone)의 막이 불균일하게 성장할 가능성이 높아지는 문제점이 있었다.
이러한 문제점에 착안하여 안출한 본 고안의 목적은 저압화학기상증착장치(LPCVD)에 적합하도록 하기 위한 균일성을 개선하고, P/T오염을 줄이려는 것이다.
상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 하면이 오픈된 캡 몸체와, 상기 캡 몸체의 내부에 설치된 방열판 홀더와, 상기 캡 몸체의 하면을 실링하는 플랜지로 구성되는 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡에 있어서, 상기 캡 몸체의 상면 중앙에 형성된 통공과, 상기 방열판 홀더의 하면에 형성된 복수 개의 공기유통공으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡이 제공된다.
상기 캡의 높이는 240mm이하로 형성한다.
이하, 상기한 바와 같은 본 고안을 첨부도면에 도시한 일 실시례에 의거하여 보다 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안 반도체 박막 증착장치의 오픈캡을 보인 것으로, (a)는 종단면도, (b)는 평면도, (c)는 방열판 홀더의 저면도로서, 이에 도시한 바와 같이 본 고안 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡은 하면이 오픈된 캡 몸체(11)의 상면 중앙에 통공(16)을 형성하고, 방열판 홀더(13)의 하면에 수 개의 공기유통공(17)을 형성한 것이다.
상기 캡 몸체(11)의 높이를 240mm이하의 높이로 형성한다.
상기 캡 몸체(11)의 하면은 플랜지(12)에 의하어 실링된다.
도면 중 미설명 부호 14는 고정핀, 15는 방열판을 나타낸 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안은 캡 몸체(11)의 상,하면에 형성된 통공(16)과 공기유통공(17)에 의해 보트의 상승시 로내의 열이 캡 몸체(11)의 내부로 전달되어 정체되어있던 캡 몸체(11) 내의 공기가 외부로 배출되는 것이며, 또한 캡 몸체(11)의 높이가 낮아지게 되어 가스분자의 웨이퍼 도달시간 및 소모량이 감소하게 됨으로써 캡 몸체(11)의 축소된 높이만큼 보트가 낮은 위치에 위치하게 되어 업 존의 두께 균일성이 향상되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡의 상면에 형성된 통공과 방열판 홀더의 하면에 형성된 수 개의 공기유통공을 통해 로내의 열이 캡 내부로 전달되어 캡 내의 분위기가 로내의 분위기와 유사하게 됨으로써 정체되었던 공기가 외부로 배출되어 정체되는 공기로부터의 오염이 방지되고, 캡 높이의 축소로 인해 가스의 웨이퍼 도달시간 및 소모량이 감소되며, 캡의 축소된 높이만큼 보트가 낮아지기 때문에 업 존의 두께 균일성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 하면이 오픈된 캡 몸체와, 상기 캡 몸체의 내부에 설치된 방열판 홀더와, 상기 캡 몸체의 하면을 실링하는 플랜지로 구성되는 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡에 있어서, 상기 캡 몸체의 상면 중앙에 형성된 통공과, 상기 방열판 홀더의 하면에 형성된 복수 개의 공기유통공으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡.
  2. 제1항에 있어서, 상기 캡 몸체의 높이가 240mm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치의 오픈 캡.
KR2019940001438U 1994-01-26 1994-01-26 반도체 박막증착장치의 오픈캡 KR200169672Y1 (ko)

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