KR20040016680A - 분리가 용이한 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드는, 반응 챔버의 상부를 밀폐시키기 위하여 반응 챔버의 덮개에 의해 둘러싸이도록 배치된 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드에 관한 것이다. 이 사우어 헤드는, 반응 챔버의 측면과 접촉하는 제1 헤드 본체, 및 제1 헤드 본체 하부에서 비스듬한 기울기를 갖도록 하여 반응 챔버의 측면과 접촉되지 않는 제2 헤드 본체를 구비한다.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조용 반응 챔버로부터의 분리가 용이한 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어헤드(shower head)에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 완성하기 위해서는, 각 단위 공정에 적합한 반응 챔버 내에서 반도체 웨이퍼에 대한 일련의 처리를 수행하여야 한다. 예컨대 반도체 웨이퍼 내에 물질막을 형성하기 위해서는, 반도체 웨이퍼를 화학 기상 증착용 반응 챔버 내에 로딩한 후에 일정 조건 하에서의 화학 기상 증착이 이루어지도록 한다. 이와 같이 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응 챔버는 밀폐된 공간을 제공한다. 이 밀폐된 공간 내에 반도체 웨이퍼가 로딩되며, 반도체 웨이퍼에 대한 일련의 처리 공정이 이 공간 내에서 진행된다. 특히 반응 챔버의 상부는 덮개(lid)와 이 덮개에 의해 둘러싸이는 사우어 헤드에 의해 밀폐된다. 사우어 헤드는 덮개로부터 분리가 가능하다.
도 1은 이와 같은 종래의 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드를 개략적으로 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 2는 도 1의 "A" 부분을 확대하여 나타내 보인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 사우어 헤드(100)는 원형으로 이루어진 헤드 본체(110)와 이 헤드 본체(110)의 상부 일정 표면 위에 부착된 가스 공급부(120)를 포함한다. 가스 공급부(120)에는 가스 공급부(120) 및 헤드 본체(110)를 관통하여 반응 챔버의 내부까지 연결된 가스 공급 라인(130)들이 형성된다.
이와 같은 종래의 사우어 헤드(100)는, 헤드 본체(110)의 가장자리가 반응 챔버의 덮개 측면에 밀착되도록 장착된다. 그리고 앞서 설명한 바와 같이, 분리가가능하여 유지 수선에 따른 필요시에는 반응 챔버로부터 분리한 상태에서 유지 수선 작업을 수행한다. 그런데 반응 챔버의 덮개 측면과 헤드 본체(110) 가장자리 사이의 접착 면적(도면에서 d로 표시)이 크기 때문에, 챔버 온도가 갑자기 낮아지는 경우, 반응 챔버의 덮개가 수축되는 현상이 발생한다. 이와 같이 반응 챔버의 덮개가 수축되면, 반응 챔버의 덮개가 사우어 헤드의 헤드 본체를 조이는 힘이 강해지며, 이에 따라 사우어 헤드를 반응 챔버로부터 분리하기가 어려워진다는 문제가 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반응 챔버의 온도가 저하되더라도 반응 챔버로부터 사우어 헤드를 용이하게 분리할 수 있는 구조의 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.
도 2는 도 1의 "A" 부분을 확대하여 나타내 보인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드를 나타내 보인 도면이다.
도 4는 도 3의 "B" 부분을 확대하여 나타내 보인 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
312...제1 헤드 본체314...제2 헤드 본체
310...헤드 본체320...가스 공급부
330...가스 공급 라인
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드는, 반응 챔버의 상부를 밀폐시키기 위하여 상기 반응 챔버의 덮개에 의해 둘러싸이도록 배치된 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드에 있어서, 상기 반응 챔버의 측면과 접촉하는 제1 헤드 본체; 및 상기 제1 헤드 본체 하부에서 비스듬한 기울기를 갖도록 하여 상기 반응 챔버의 측면과 접촉되지 않는 제2 헤드 본체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 헤드 본체의 두께는 상기 제2 헤드 본체의 두께보다 상대적으로 얇은 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 헤드 본체를 관통하여 외부로부터 상기 반응 챔버 내로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인을 더 포함할 수도 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드를 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 4는 도 3의 "B" 부분을 확대하여 나타내 보인 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드는, 헤드 본체(310) 및 가스 공급부(320)를 포함하여 구성된다.
헤드 본체(310)는, 상부의 제1 헤드 본체(312) 및 하부의 제2 헤드 본체(314)를 포함한다. 제1 헤드 본체(312) 및 제2 헤드 본체(314)는 같은 물질로 이루어지지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 두께(d')를 갖는 제1 헤드 본체(312)의 측면은 수직한 면으로 이루어지며, 이 수직한 면은 반응 챔버의 측벽에 완전히 밀착된다. 제1 헤드 본체(312)의 제1 두께(d')보다 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 제2 헤드 본체(314)의 측면은 수직선으로부터 일정한 각도를 갖는 경사진 면으로 이루어진다. 즉 비스듬한 기울기를 갖도록 하여 반응 챔버의 덮개 측면과는 접촉되지 않도록 한다. 따라서 헤드 본체(310)와 반응 챔버의 덮개 측면과의 접촉 면적은 제1 헤드 본체(310)의 가장자리 면적으로 한정되고, 이에 따라 반응 챔버의 온도가 저하되더라도 반응 챔버의 덮개가 사우어 헤드를 조이는 힘이 종래의 경우에 비하여 줄어들게 된다.
상기 가스 공급부(320)에는 가스 공급부(320) 및 헤드 본체(310)를 관통하여 반응 챔버의 내부까지 연결된 가스 공급 라인(330)들이 형성된다. 도면에 나타내지는 않았지만, 이 가스 공급 라인(330)들은 외부의 가스 공급 소스와 연결된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드에 의하면, 사우어 헤드의 헤드 본체가 수직한 면으로 이루어진 제1 헤드 본체 및 경사진 면으로 이루어진 제2 헤드 본체를 포함함으로써, 반응 챔버 측벽과의 접촉 면적이 종래의 경우보다 감소되었으며, 이에 따라 반응 챔버의 온도가 낮아지더라도 반응 챔버가 사우어 헤드를 조이는 힘이, 종래의 경우에서와 같이 헤드 본체의 측면이 전부 수직한 면으로 이루어진 경우에 비하여, 현저하게 감소된다. 따라서 유지 수선을 위하여 사우어 헤드를 반응 챔버로부터 분리시키고자 할 때 종래보다 용이하게 분리시킬 수 있다는 이점을 제공한다.
Claims (3)
- 반응 챔버의 상부를 밀폐시키기 위하여 상기 반응 챔버의 덮개에 의해 둘러싸이도록 배치된 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드에 있어서,상기 반응 챔버의 측면과 접촉하는 제1 헤드 본체; 및상기 제1 헤드 본체 하부에서 비스듬한 기울기를 갖도록 하여 상기 반응 챔버의 측면과 접촉되지 않는 제2 헤드 본체를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드.
- 제1항에 있어서,상기 제1 헤드 본체의 두께는 상기 제2 헤드 본체의 두께보다 상대적으로 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드.
- 제1항에 있어서,상기 헤드 본체를 관통하여 외부로부터 상기 반응 챔버 내로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 반응 챔버의 사우어 헤드.
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