KR100754007B1 - 성막장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공흡인 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 설치되고, 피처리체가 재치될 수 있는 재치대를 구비하고 있다. 링형상의 가이드링부재가, 상기 재치대의 상방에서, 상기 재치대 상에 재치되는 피처리체의 바깥둘레를 둘러싸도록 배치되고, 상기 피처리체의 상기 재치대 상으로의 재치시에 상기 피처리체를 상기 재치대 상에 안내하도록 되어 있다. 상기 가이드링부재의 내주측 하면과 재치대의 상면과의 사이에, 파티클 발생 방지공간이 형성되어 있다.

Description

성막장치{FILM FORMING DEVICE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 박막을 퇴적시키는 성막장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 집적회로의 제조공정에 있어서는, 피처리체인 반도체 웨이퍼의 표면에 성막처리, 산화확산처리, 에칭처리 등의 각종의 처리가 반복하여 행해진다. 여기서, 도 7 및 도 8을 이용하여, 성막처리를 행하는 매엽식(枚葉式)의 종래의 성막장치에 대해 개략적으로 설명한다. 도 7은 종래의 성막장치를 나타낸 개략 구성도, 도 8은 도 7중의 일부를 나타낸 확대도이다. 성막장치(2)는, 저부의 배기구(6)로부터 진공흡인 가능하게 이루어진 통체형상의 처리용기(4)를 갖추고 있다. 처리용기(4) 내에는, 가열히터(8)를 갖춘 재치대(10)가 설치되어 있다. 재치대(10)의 상면의 재치면에, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)가 재치되도록 되어 있다.
재치대(10)의 상측 둘레부에는, 단면 역L자형상으로 이루어진 링형상의 가이드링부재(12)가 끼워넣어져 있다. 가이드링부재(12)의 상부 내주면(內周面)은, 하방측을 향해 앞쪽이 가늘게 된 테이퍼면으로 이루어진 가이드면(14)으로서 구성되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 들어올려 승강시키는 리프터핀(도시하지 않았슴)으로 웨이퍼(W)를 재치면에 재치할 경우의 재치위치의 위치 어긋남이 방지되도록 되어 있다. 가이드링부재(12)는, 도 8에도 나타낸 바와 같이, 상당히 높은 치수정밀도로 재치대(10)의 상면에 밀접하게 하여 취부되어 있다.
또한, 처리용기(4)의 재치대(10)에 대향하는 천정부에는, 처리용기(4) 내로 성막가스 등의 필요한 가스를 도입하기 위한 샤워헤드부(16)가 설치되어 있다. 샤워헤드부(16)로부터 처리용기(4) 내로 도입되는 성막가스를 반응시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 소정의 막을 퇴적시키는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 가이드링부재(12)는, 치수정밀도 좋게 재치대(10)의 상부 둘레부에 끼워넣어져 있다. 그러나, 미시적으로 보면, 도 9에 나타낸 바와 같이, 가이드링부재(12)의 하면(12A)과 재치대(10)의 상면의 재치면(10A)은, 부득이하게 점접촉상태로 되지 않을 수 없다. 따라서, 이들 양면 10A와 12A 사이에, 높이 L1이 4㎛정도의 약간의 틈(18)이 발생하는 것은 피할 수 없다.
성막시에는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면 상에 목적으로 하는 막(20)이 부착할 뿐만 아니라, 재치대(10)의 표면이나 가이드링부재(12)의 표면 상에도 불필요한 막(22, 24)이 부착퇴적해 버린다. 이 때, 상술한 바와 같은 틈(18)이 존재하면, 틈(18)의 입구측(내주단측(內周端側))에서 성막율이 높아져서 여기에 막두께의 피크부분(22A, 24A)이 발생할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 표면 상의 막(20)이 목표로 하는 막두께가 500Å정도일 경우, 상기 피크부분(22A, 24A)의 막두께는 각각 1000Å정도일 수 있다. 즉, 피크부분(22A, 24A)에서는 성막율이 약 2배일 수 있다.
이 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 성막처리를 반복하여 행하면, 상기 피크부분(22A, 24A)이 벗겨져 떨어질 수 있다. 따라서, 파티클수가 급격하게 증가할 수 있다. 도 10은 처리된 웨이퍼 번호와 파티클수의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 처리매수가 40매정도를 넘는 부근에서, 파티클수(0.2㎛ 이상)가 급격하게 증가하고 있으며, 양부판정기준(예컨대, 30개)을 대폭 상회해 버리고 있다. 또, 도 10의 그래프는, TiN막을 웨이퍼(W) 상에 퇴적한 때의 예를 나타내고 있다.
본 발명은, 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이를 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 반복하여 성막처리를 행해도 파티클의 발생을 억제할 수 있는 성막장치를 제공하는 것에 있다.
본 건 발명자는, 가이드링부재에 대한 막의 퇴적에 대해 예의연구했다. 그결과, 성막가스의 분압이 어느 정도 낮아진 곳에 성막율의 피크치가 존재하는 것을 알아냈다. 따라서, 가이드링부재가, 성막가스의 분압이 낮아짐과 더불어 막이 퇴적해도 벗겨지기 어려운 형상부분을 가지면, 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명은, 진공흡인 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 설치되고, 피처리체가 재치될 수 있는 재치대 및, 상기 재치대의 상방에서, 상기 재치대 상에 재치되는 피처리체의 바깥둘레를 둘러싸도록 배치되고, 상기 피처리체의 상기 재치대 상으로의 재치시에 상기 피처리체를 상기 재치대 상에 안내할 수 있는 링형상의 가이드링부재를 구비하고, 상기 가이드링부재의 내주측 하면과 재치대의 상면과의 사이에, 파티클 발생 방지공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치이다.
이에 따라, 불필요한 막의 피크부분이, 가이드링부재의 입구단(入口端) 근방이 아니라 파티클 발생 방지공간을 구획하는 상하의 벽면에 형성된다. 이 공간이 퇴적하는 막의 두께에 대해 충분히 크게 설정되어 있으면, 파티클 발생 방지공간의 상하면의 막끼리가 접촉하는 일이 없다. 따라서, 막의 벗겨짐도 생기기 어렵다. 결과적으로, 파티클이 발생하는 것을 대폭 억제하는 것이 가능하다. 또한, 퇴적한 막이 벽면으로부터 벗겨졌다고 해도, 파티클 발생 방지공간의 입구단 근방이 아닌 위치에서 막 벗겨짐이 생기게 된다. 이 때문에, 파티클이 처리공간측으로 비산하는 것이나, 피처리체의 표면에 부착하는 것을 방지하는 것이 가능하다.
상기 파티클 발생 방지공간은, 높이가 약 0.2mm 이상인 것이 바람직하다.
상기 파티클 발생 방지공간은, 얇은 링형상의 공간인 것이 바람직하다. 이 경우, 보다 바람직하게는 상기 파티클 발생 방지공간은 반지름 방향의 길이가 약 2mm 이상이다.
또한, 상기 파티클 발생 방지공간은, 평탄한 재치대의 상면과, 상기 가이드링부재의 내주측 하면에 형성된 단차형상 요부(凹部)에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또는, 본 발명은 진공흡인 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 설치되고, 피처리체가 재치될 수 있는 재치대 및, 상기 재치대의 상방에서, 상기 재치대 상에 재치되는 피처리체의 바깥둘레를 억눌러 고정할 수 있는 링형상의 클램프링부재를 구비하고, 상기 클램프링부재의 내주측 하면과 피처리체의 상면 사이에, 파티클 발생 방지공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치이다.
이 경우에도, 불필요한 막의 피크부분이, 파티클 발생 방지공간을 구획하는 상하의 벽면에 형성된다. 이 공간이 퇴적하는 막의 두께에 대해 충분히 크게 설정되어 있으면, 파티클 발생 방지공간의 상하면의 막끼리가 접촉하는 일이 없다. 따라서, 막의 벗겨짐도 생기기 어렵다. 결과적으로, 파티클이 발생하는 것을 대폭 억제하는 것이 가능하다. 또한, 퇴적한 막이 벽면으로부터 벗겨졌다고 해도, 파티클 발생 방지공간의 입구단 근방이 아닌 위치에서 벗겨짐이 생기게 된다. 이 때문에, 파티클이 처리공간측으로 비산하는 것이나, 피처리체의 표면에 부착하는 것을 방지하는 것이 가능하다.
이 경우에도, 상기 파티클 발생 방지공간은, 높이가 약 0.2mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 파티클 발생 방지공간은, 얇은 링형상의 공간인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 상기 파티클 발생 방지공간은 반지름 방향의 길이가 약 2mm 이상이다.
또한, 상기 파티클 발생 방지공간은, 평탄한 피처리체의 상면과, 상기 클램프링부재의 내주측 하면에 형성된 단차형상 요부에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명에 따른 성막장치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 재치대와 가이드링부재의 일부를 나타낸 확대 단면도 이다.
도 3은 막이 퇴적된 때의 도 2중의 A부를 나타낸 확대도이다.
도 4는 원료가스인 TiCl4가스의 유량과 재치대 상의 성막율과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 5는 반도체 웨이퍼 100매에 대해 성막처리를 행한 때의 파티클수(0.2㎛ 이상)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 성막장치를 나타낸 구성도이다.
도 7은 종래의 성막장치를 나타낸 개략 구성도이다.
도 8은 도 7중의 일부를 나타낸 확대도이다.
도 9는 도 7에 나타낸 성막장치의 일부를 확대한 확대도이다.
도 10은 처리된 웨이퍼 번호와 파티클수의 관계를 나타낸 그래프이다.
이하에, 본 발명에 따른 성막장치의 1실시예를, 첨부도면에 기초하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 성막장치를 나타낸 구성도, 도 2는 도 1에 나타낸 재치대와 가이드링부재의 일부를 나타낸 확대 단면도, 도 3은 막이 퇴적된 때의 도 2중의 A부를 나타낸 확대도이다. 또, 본 실시예에서는 TiN막을 퇴적하는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 성막장치(30)는, 예컨대 알루미늄 등에 의해 통체형상으로 형성된 처리용기(32)를 갖추고 있다. 처리용기(32) 내의 저부로부터는, 지주(34)가 기립하고 있다. 지주(34)의 상부에는, 예컨대 AlN제의 원주형상의 재치대(36)가 설치되어 있다. 재치대(36) 내에는, 저항가열히터(38)가 매립되어 있다. 이에 따라, 재치대(36)의 상면인 재치면(36A) 상에 재치된 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)가, 소정의 온도까지 승온되어, 당해 온도로 유지되도록 되어 있다.
재치대(36)에는, 예컨대 3개의 핀구멍(40; 도 1에서는 2개만 기재)이 상하방향으로 관통하여 형성되어 있다. 각 핀구멍(40)에는, 그 기단부가 공통으로 연결된 리프터핀(42)이 끼워져 있다. 그리고, 이들 리프터핀(42)의 공통의 지지축(44)이 벨로우즈(46)를 매개로 용기 저부를 기밀하게 관통하여 상하이동 가능하게 설치되어 있다. 지지축(44)이 승강하면, 상기 리프터핀(42)이 승강하여, 웨이퍼(W)를 들어올리기 위해 재치대(36)의 재치면(36A)보다 윗쪽으로 출몰 가능하다.
재치대(36)에 대향하는 용기 천정부에는, 이 처리용기(32) 내로 성막가스 등의 필요한 가스를 공급하기 위한 샤워헤드(46)가 설치되어 있다. 샤워헤드(46) 내에 도입된 성막가스 등의 필요한 가스는, 샤워헤드(46)의 하면(분사면)에 형성된 분사구멍(48)을 매개로, 처리공간(S)으로 분출되도록 되어 있다. 또한, 처리용기(32)에는, 웨이퍼(W)의 반출입을 행할 때에 개폐되는 게이트 밸브(50)가 설치되어 있다. 또한, 처리용기(32)의 저부 주변부에는, 도시하지 않은 진공펌프 등을 개설한 배기계에 접속되는 배기구(52)가 설치되어 있다. 이에 따라, 처리용기(32) 내는, 소정의 압력까지 진공흡인 될 수 있도록 되어 있다.
그리고, 재치대(36)의 상측 둘레부에는, 본 발명의 특징을 갖는 가이드링부재(54)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 가이드링부재(54)는 단면 역L자형상의 링부재로 이루어지고, 예컨대 Al2O3 등의 세라믹이나 석영유리 등에 의해 구성되며, 재치대(36)의 상측 둘레부에 밀접하여 끼워넣어져 있다. 이 가이드링부재(54)는, 재치대(36)의 재치면(36A)에 평행한 수평부분(56)과, 재치대(36)의 측면과 접촉하는 수직부분(58)을 갖춘 가이드링 본체(59)를 구비하고 있다. 상기 수평부분(56)의 상부 내주면은, 재치대(36)의 중심으로 향해 하향 경사진(하방측을 향해 앞쪽이 가늘게 된) 테이퍼면으로 이루어진 가이드면(60)으로 구성되어 있다. 이에 따라, 상기 리프터핀(42)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 강하시켜 재치면(36A) 상에 재치할 때, 웨이퍼(W)가 위치 어긋나 있는 경우에는, 상기 가이드면(60)이 웨이퍼(W)의 위치어긋남을 수정하여 웨이퍼(W)를 적정한 재치위치로 안내하도록 되어 있다.
가이드링 본체(59)의 수평부분(56)의 내주측의 하부에는, 거의 일정한 깊이의 링형상의 절결부(잘려나간 부분(62); 도 2 및 도 3 참조)가 형성되어 있다. 이 때문에, 수평부분(56)의 내주측은 얇게 되어 있으며, 당해 부분(56)의 하면(56A)과 재치대(36)의 재치면(36A)과의 사이에 상당히 얇은 링형상(단면이 가늘고 긴 직사각형 형상)의 파티클 발생 방지공간(64)이 형성되어 있다.
여기서, 각 부의 치수의 일예에 대해 도 3을 참조하여 설명한다. 웨이퍼(W)의 직경크기에 관계없이, 웨이퍼(W)가 정확한 위치에 재치된 때의 웨이퍼(W)의 외주단과 가이드링부재(54)의 수평부분(56)의 내주단과의 사이의 거리(L3)는, 0.5~1.5mm의 범위내, 예컨대 1mm정도이다. 상기 수평부분(56)의 두께(L4)는, 1.5~3mm의 범위내, 예컨대 2mm정도이다. 상기 절결부(62)의 높이, 즉 상기 파티클 발생 방지공간(64)의 높이(L5)는, 0.2mm 이상, 예컨대 0.3mm정도이다(도시의 예에서는 설명의 편의상, 공간(64)을 크게 기재하고 있다). 파티클 발생 방지공간(64)의 재치대 반지름 방향의 길이(L6)는, 2mm 이상, 예컨대 3mm정도이다. 이 경우, 이 공간(64)의 단면의 높이와 길이의 비, 즉 (L6)/(L5)는, 10 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 또, 상기 높이 L5의 0.2mm는, 거의 가공한계 깊이이다.
이상과 같이 구성된 성막장치를 이용하여, 예컨대 TiN(티탄나이트라이드)막을 성막하는 경우를 예로 들어 설명한다.
우선, 개방된 게이트 밸브(50)를 매개로 반입되는 반도체 웨이퍼(W)가, 리프터핀(42)으로 수취된다. 이 리프터핀(42)이 강하하여, 웨이퍼(W)가 재치대(36)의 재치면(36A) 상에 재치된다. 이 때, 웨이퍼(W)가 위치 어긋나 있는 경우에는, 재치대(36)의 둘레부에 끼워설치되어 있는 가이드링부재(54)의 테이퍼형상의 가이드면(60)이 웨이퍼(W)의 외주단과 맞닿아서, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 적정한 위치에 재치된다.
이렇게 하여, 웨이퍼(W)의 적재(load)가 종료하면, 웨이퍼(W)가 소정의 프로세스 온도로 승온되어 이 온도로 유지된다. 동시에, 처리용기(32) 내가 진공흡인 되고, 처리용기(32) 내에 성막가스 등의 소정의 가스가 흘려진다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상으로의 막의 퇴적이 행해진다.
성막가스로서는, 예컨대 TiCl4, NH3 및 N2가 이용될 수 있다. 이에 따라, TiN막이 퇴적된다. 또한, 웨이퍼 크기로서는, 8인치의 것이 이용될 수 있다. 프로세스 조건으로서는, TiCl4의 유량이 20sccm정도, NH3의 유량이 400sccm정도, N2의 유량이 50sccm정도이다. 또한, 프로세스 온도는 680℃정도, 프로세스 압력은 40Pa(0.3Torr)정도이다. 이와 같은 성막처리를 예컨대 60초간 정도 행함으로써, 웨이퍼 표면 상에 목표치로서 500Å정도의 막두께의 TiN막이 퇴적된다.
이와 같은 성막처리를 반복하여 행하면, 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W) 상에 목표로 하는 막(68)이 퇴적될 뿐만 아니라, 재치면(36A)이나 가이드링부재(54)의 표면 상에도 불필요한 막(70, 72)이 차제에 퇴적되어 버린다. 이 때, 파티클 발생 방지공간(64)의 상하의 벽면에도 막이 퇴적한다. 이들 불필요한 막(70, 72)의 막두께는, 웨이퍼(W)의 성막처리 매수에 비례하여 증대해 간다. 특히, 원료가스인 TiCl4의 분압이 낮고 또 성막율이 높아지는 파티클 발생 방지공간(64) 내의 부분에 각각의 막(70, 72)의 피크부분(70A, 72A)이 발생한다.
피크부분(70A, 72A)은, 가이드링부재(54)의 내주단으로부터 소정의 거리(L8), 예컨대 2.8mm정도만큼 외주로부터의 위치(파티클 발생 방지공간(64) 내로 쑥 들어간 위치)에 발생한다. 이 이유에 대해, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 원료가스인 TiCl4 가스의 유량과 재치대 상의 성막율과의 관계를 나타낸 그래프이다. 여기에서는, TiCl4 가스의 유량 이외의 다른 프로세스 조건은, 앞에 기술한 프로세스 조건과 동일하다. 도 4의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 당초에는 TiCl4 가스의 유량을 조금씩 증가시키면 성막율은 조금씩 증가한다. 그러나, 점 P1의 때(TiCl4 가스의 유량이 약 10sccm정도인 때)에 피크로 된 후, 성막율은 급격하게 저하하고, 이후에는 유량을 증가시켜도 낮은 값으로 일정하게 되어 있다. 상술한 바와 같이, 이 경우, TiCl4 가스의 유량은 20sccm정도이기 때문에, 그보다 유량이 낮아져 분압이 낮은 곳에서 성막의 피크점(P1)이 생기고 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 원료가스인 TiCl4 가스의 분압이 낮아지고 있는 부분은, 파티클 발생 방지공간(64) 내로의 TiCl4 가스의 확산에 의해, 그 분압이 어느정도 낮아진 부분, 즉 공간(64)의 선단(내주단) 보다도 어느정도 쑥 들어간(외주측의) 부분이다. 이 때문에, 예컨대 거리 L8만큼 공간(64) 내로 쑥 들어간 위치에, 막두께의 피크부분(70A, 72A)이 발생하는 것이다. 또, 이 거리(L8)는, 프로세스 조건이나 이 공간(64)의 높이(L5) 등에 의해 변동하는 것은 물론이다. 또한, 이 높이(L5)는, 성막장치의 클리닝 사이클이나 성막율 등을 감안하여 결정하면 된다.
이상과 같이, 본 실시예에 의하면, 가이드링 본체(59)의 수평부분(56)의 하면이 단부형상으로 깍여져 파티클 발생 방지공간(64)이 형성되어 있다. 그리고, 이 공간(64)의 높이(L5)는, 성막되는 막두께에 대해 충분히 큰 값인 0.3mm정도로 설정되어 있다. 따라서, 상기 막(70, 72)의 각각의 피크부분(70A, 72A)이 성장하여 커져도, 이들 피크부분(70A, 72A)끼리가 접촉하는 일은 없다. 따라서, 이 피크부분이 벗겨져 떨어지지 않는다. 따라서, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
예컨대, 1회의 성막조작으로 피크부분(70A, 72A)에 각각 500Å(0.05㎛)의 막두께의 막이 퇴적된다고 가정하면, 웨이퍼를 100매 처리한 때에는, 합계의 막두께는 5㎛(=0.05×100)로 된다. 이 때, 2개의 피크부분(70A, 72A)의 막두께는, 합계하여 10㎛로 된다. 한편, 공간(64)의 높이(L5)는 0.3mm(=300㎛)이기 때문에, 상기의 10㎛ 보다도 매우 커서 여유가 있다. 즉, 양 피크부분(70A, 72A)이 접촉하는 일은 없다. 또, 어느 정도의 웨이퍼 매수를 처리한 후에는, 클리닝 조작이 행해지고, 피크부분 70A 및 72A를 포함하는 불필요한 막 70 및 72는 제거된다.
또한, 만일 막(70, 72)의 피크부분(70A, 72A)이 벽면으로부터 벗겨져 떨어졌다 해도, 이 벗겨져 떨어진 막은, 파티클 발생 방지공간(64) 내의 쑥 들어간 부분에 잔류한다. 따라서, 이 막이 처리공간(S)측으로 확산하는 일도 없고, 따라서 웨이퍼(W)의 표면에 파티클로서 부착하는 일도 저지할 수 있다.
여기서, 상술한 바와 같은 프로세스 조건으로, 100매의 웨이퍼에 대해 성막처리를 행했다. 그 때의 파티클의 상태에 대해, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는, 반도체 웨이퍼 100매에 대해 성막처리를 행한 때의 파티클수(0.2㎛ 이상)의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 5a는 파티클 발생 방지공간(64)의 안쪽의 길이(L6)가 8.8mm인 때, 도 5b는 안쪽의 길이(L6)가 3.0mm인 때의 결과를 각각 나타내고 있다. 이들 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래 장치의 경우를 나타낸 도 10의 결과와 비교하여, 본 발명 장치의 경우에는 길이(L6)가 8.8mm인 경우도 3.0mm인 경우도, 공히 파티클수는 적어도 2~3개 정도이고, 공히 양부판정기준인 30개를 대폭 하회한, 즉 양호한 결과가 얻어지는 것이 판명되었다.
상기의 실시예에서는, 가이드링부재(54)의 내주부의 하면을 깍아냄으로써, 파티클 발생 방지공간(64)을 형성하고 있다. 그러나, 파티클 발생 방지공간(64)은 웨이퍼(W)를 재치대(36) 상에 억압 고정하는 클램프링부재에 설치되어도 좋다.
도 6은 이와 같은 상태의 성막장치를 나타낸 구성도이다. 또, 도 6중에 있어서는, 도 1에 나타낸 부분과 동일부분에 대해 동일부호를 붙이고 그 설명을 생략한다. 여기에서는, 클램프링부재(72)는, 원판링형상의 클램프링 본체(74)를 갖추고 있으며, 리프터핀(42)과 함께 승강하도록 되어 있다. 그리고, 이 클램프링 본체(74)의 내주측의 하면이 웨이퍼(W)의 바깥둘레와 맞닿아, 웨이퍼(W)를 재치대(36)측으로 억압 고정하도록 되어 있다. 그리고, 이 클램프링 본체(74)의 내주측의 하면측에, 도 3에서 설명한 바와 같은 단부형상 절결부가 형성되어 있다. 이에 따라, 클램프링 본체(74)의 내주측 하면과 웨이퍼 둘레부의 표면과의 사이에, 파티클 발생 방지공간(76)이 형성될 수 있다.
이 경우에도, 도 3을 참조하여 상술한 것과 같은 작용을 나타내고, 퇴적한 막의 피크부분의 벗겨짐을 방지할 수 있다. 이 때문에, 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
또, 이상의 각 실시예에서는 TiN막을 퇴적시키는 성막장치를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 본 발명은 어떠한 막을 퇴적시키는 성막장치에도 적용할 수 있다. 예컨대, WN(텅스텐나이트라이드)막, SiO2막 등을 성막하는 성막장치에도 적용할 수 있는 것은 물론이다. 또한, 피처리체로서는, 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD 기판, 유리기판 등도 이용할 수 있다.

Claims (14)

  1. 진공흡인 가능한 처리용기와,
    상기 처리용기 내에 설치되고, 피처리체가 재치될 수 있는 재치대 및,
    상기 재치대의 상방에서, 상기 재치대 상에 재치되는 피처리체의 바깥둘레를 둘러싸도록 배치되고, 상기 피처리체의 상기 재치대 상으로의 재치시에 상기 피처리체를 상기 재치대 상에 안내할 수 있는 링형상의 가이드링부재를 구비하여 구성되되,
    상기 가이드링부재의 내주측 하면과 재치대의 상면과의 사이에, 파티클 발생 방지공간이 형성되어 있고,
    상기 파티클 발생 방지공간은,
    평탄한 재치대의 상면과,
    상기 가이드링부재의 내주측 하면에 형성된 단차형상 요부(凹部)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파티클 발생 방지공간은, 높이가 0.2mm 이상인 것을 특징으로 하는 성막장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파티클 발생 방지공간은, 얇은 링형상의 공간인 것을 특징으로 하는 성막장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 파티클 발생 방지공간은, 반지름 방향의 길이가 2mm 이상인 것을 특징으로 하는 성막장치.
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