TW466578B - Film-forming device - Google Patents

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46657 8 Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 本發明係有關於一種成膜裝置。 一般而言，半導體積體電路的製程，係在半導體晶圓 之表面上反覆進行成膜處理、酸化擴散處理、及蝕刻處理 等各種處理。現在以第7圓及第8圖來概略地說明習知之葉 片式成膜處理之成膜裝置。第7圖係習知之成膜裝置之概峰 構成圖’第8圖係第7圖之部分擴大圖。成膜裝置2具有一可 從底部排氣口抽真空之筒狀處理容器4·該處理容器4内設 置有一具有加熱器8之載置台10。而在該載置台1〇上面之載 置面上則載置有被處理物，即半導體晶圓W。 在載置台10之上側邊緣部，鑲有一截面呈逆L字狀之 環狀導向圈構件12。該導向圈構件12之上部内周面則構成 _導向面14’朝下方呈尖頭錐形。因此，乃可於利用升降 銷（未圈示）舉起晶圓W，以使晶圃W升降，而將晶圓載 置於載置面時，防止載置位置移位。如第8圖所示，導向圈 構件之安裝係以非常高的尺寸精度密接於載置台10上面。 經濟部智慧財產局員工消贄合作社印製 又’在對向於處理容器4之載置台10的頂部設有一蓮蓬 頭部16,以將成膜氣體等必要之氣體導入處理容器4内。藉 使由蓮蓬頭部16導入處理容器4之成膜氣體產生反應，即可 於晶圓W之表面上堆積預定之膜。 如上所述’導向圈構件12係以極佳之尺寸精度嵌於載 置台10之上部邊緣部。但是，微觀來看，如第9圓所示，導 向圈構件12之下面12A則不得不與載置台1〇上面之載置面 10A則呈點接觸狀態。因此，在1 〇A與12 A這兩面之間，便 無可避免地在高度L1上產生4μτη之些微間隙1 8。 -4- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210^297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（2) 在成膜時，如第9圖所示，不僅將在晶圓诃表面上附著 目的所在之膜20，在載置台1〇之表面與導向圈構件η之表 面上亦將附著及堆積不需要之膜22 '24*此時，若存在有 上述之間隙18,則間隙18入口側（内緣端側）之成膜率將 變高，並將於此產生膜厚之尖峰部分22A、24A。舉例而言， 若晶圓W表面上之膜，其膜厚為50〇A時，則上述尖峰部分 22A、24A之膜厚將分別為ΐοοοΑ。即，在尖峰部分22八、 24A之成膜率約為2倍》 因此’若反覆進行對晶圓之成膜處理，則上述尖峰部 分將會剝落。因此，微粒數乃會急遽增加。第1〇囷係表中 被處理之晶圓數與微粒數的關係之囷表。如第1〇園所示， 當晶圓處理片數超過40片時，微粒數（0 2μηι以上）即魚 遽增加，而大幅超出優劣判定基準（例如3〇個）。另外， 第10圖之囷表係表示在晶圓w上堆積TiN膜時之實例。 本案發明即係著眼於以上問題，而期能有效加以解決 者。換言之’本發明之目的在提供一種成膜裝置，縱然利 用該裝置反覆進行成膜處理時，亦可抑制微粒之發生β 本案發明人乃對導向圈構件上之膜堆積深入研究，結 果發現：在成膜氣趙之分壓低至某一程度時，成膜率就會 產生一尖峰值。因此’導向圈構件只要具有在成膜氣體分 壓低時進行膜之堆積仍難以剝落之形狀部分，即可抑制微 粒之發生。 即，本發明係有關於一種成膜裝置，該裝置具有一可 抽真空之處理容器，一設置於該處理容器内而可載置被處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0X297公藿） -5- -------- I I I--i — —— — —— 訂 ----—II (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 657 8 A7 _____________ B7 五、發明說明（3) 理物之載置台’及一配置於前述載置台上方，將該載置台 上所放置之被處理物外周緣包圍，而可在將被處理物放置 於載置台上時，引導該處理物至載置台上之環狀導向圈構 件；而，該導向圈構件内緣側下面與載置台上面之間則形 成有一用以防止擻粒發生之空間。 依此，不需要之膜之尖峰部分乃不會在導向圈構件之 入口近端處形成’而會在區劃出用以‘防止微粒發生之空間 之上下壁面上形成。而，相對於膜堆積之厚度，若此空間 設定得夠大，則用以防止微粒發生之空間上下面的膜就不 會接觸。因此，也不致產生膜剝落的現象，結果乃可大幅 抑制微粒之發生。而且，縱使堆積之膜從壁面剝落，膜也 會在非用以防止微粒發生之空間入口近端處的位置發生剝 落。如此乃可防止微粒在處理空間側飛散，或附著於被處 理物表面。 該用以防止微粒發生之空間，其理想高度約在0.2mm 以上》 又，該用以防止微粒發生之空間，以呈薄環狀之空間 為理想。此時’若該用以防止微粒發生之空間其半徑方向 之長度約在2mm以上則更為理想》 另外，上述該用以防止微粒發生之空間，以由載置台 平坦之上面與形成於上述導向圈構件内緣側下面之階段狀 凹部所形成者為理想》 或’本發明係有關於一種成膜裝置，該裝置具有一可 抽真空之處理容器，一設置於該處理容器内用以載置被處 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210*297公釐） I ( I I--^ I---I--t I I -----„ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> — AT B： 嶝濟邪智慧財產局員工消費合作衫印絮 現格 五、發明說明（4) ί*·物之載置台’及在該載置台上方，肖以壓緊固定載置台 上之被處理物外周緣之環狀導向圈構件1在該導向圈構件 ⑽側下面與被處理物上面《間’ φ成有一用卩防止微粒 發生之空間。 此時，不需要之膜之尖峰部分將形成於用以區劃出防 止微粒發生之空間之上下壁面。而，相對於膜堆積之厚度， 若此空間設定得夠大，則該用以防止微粒發生之空間上下 面之膜將不會接觸。因此，膜乃不致產生剝落現象，結果 乃可大幅抑制微粒之發生。又，縱使堆積之膜從璧面剝落， 也會在非用以防止微粒發生之空間之入口近端處的位置剝 落。因此，乃可防止微粒在處理空間側飛散，或附著於被 處理物之表面。 此時’該用以防止微粒發生之空間，其理想高度约在 0.2mm以上。又，該用以防止微粒發生之空間，以呈薄環 狀之空間為理想。更理想者為，該用以防止微粒發生之空 間其於半徑方向之長度約在2rnnl以上。 另外’該防止微粒發生之空間，以在被處理物平坦之 上面及形成在上述導向圈構件内緣側下面之階段狀凹部所 形成者為理想：： 以下為圖式之簡單說明。 第丨圖所示者係有關於本發明之成膜裝置搆成圖 第2圓所示者係第丨圖祈示載置台與導向圈構件之部分 擴大載面圖. 第、®…π者係骐堆稍時如笫2圖u' A卽之擴太圖. 29： -1 ； t I I -------It — — * I I ---^ I i » — — — — — — — — Γ4先閱讀背面之;it事項再填^本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'1衣

46 657 B A7 _____B：_____ 五、發明說明（5 ) 第4 p所示者係原料氣體，即TiC14氣體的流量與載置 台上成膜虜遛關係ffi表。 第減 者係有關於100片半導體晶圓進行了成膜處 理時微粒數（0.2μπι以上）之變化圖表。 第6圖所示者係本發明另一成膜裝置實施例之構成圖。 第7圖所示者係習知之成膜裝置概略構成囷。 第8圖所示者係第7圖之部分構成圊。 第9圖係第7圖所示成膜裝置之部份擴大圖。 第10圖所示者係被處理之晶圓數與微粒數間之關係圖 表。 以下，依附圖詳述本發明成膜裝置之一實施例》 第1圊所示者係有關於本發明成膜裝置之構成圖，第2 圖所示者係第1圈所示載置台與導向圈構件之部分擴大载 面圖’第3圖所示者係膜堆積時如第2圖中Α部之擴大圖。 又，在本實施例中係以TiN膜之堆積情形為例做說明。 如第1圖至第3圈所示，成膜裝置30具有—處理容器 32，係由鋁之類所製成之筒體狀者。處理容器32内之底部 豎立有支柱34，而支柱34上部則設有一 A1N製之圓柱狀載 置台。載置台36内埋置有電阻加熱器38。藉此，乃可將載 置於載置台36上面（即載置面36A上）之被處理物（即半 導體晶圓W)加溫至預定之溫度，並予維持之。 載置台36上’舉例言之形成有3個貫穿上下方向之銷孔 4〇 (第1圓中只顯示2個）。各銷孔4〇中插有基部連結在一 起之升降銷42。而，這些升降銷42並設有一共同之支持軸 本紙张尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格x 297公$ -8 - n n I n I 1. t— ϋ d t— I I *^^1. i. • '-* /-.V {請先閱讀背面之注意事項再*;寫本頁) 五、發明說明（6) A7 B7 44，該支持軸44係經由一伸縮套管66而設置成氣密式圯貫 通容器底部而可上下移動者。又，一旦該支持軸44升降， 該升降銷42即可隨之升降，而出沒於載置台刊之載置面 3 6六上方，以推舉晶圓\^ = 在對向於載置台36之容器頂部設有一蓮蓮頭部46，係 用以對於該處理容器32供給成膜氣體等必要之氣體者s從 送蓬頭部46導入之必要氣體，如成膜氣體等，經由形成於 連逢頭部46下面（噴射面；之噴射孔48而噴八處理空間s 中。又’在處理容器32中設有一閑門50以供搬出或搬入晶 圓之用。另外，在處理容器32底部之周邊則設有排氣口 U， 以供連接一設有未圖示之真空幫浦等的排氣系統。依此， 乃可將處理容器32内抽至預定之壓力真空狀態。 其次，在載置台3G之上侧邊緣部設有本發明之導向圈 構件Μ。具體而言，導向圈構件54係由—載面呈逆l字狀 之環狀構件所構成' 舉例言之係以Α1203等陶瓷或石英玻 填之類搆成並緊密地嵌於載置台36之上側邊緣部者。：導 :圈構件54具有一導向圈本體59，包含有與載置台％之載 :3以平行之水平部分％，及與載置台36側面接觸之垂 H上述水平部分56之上部内周面係構造 60 '即—輞載置台36中心而向下傾斜（朝下呈小。 使^#藉此’於使前述升降銷42所支待之晶園W下降而 合：具載置於势置面36Α時.若晶圓化有偏位現象該凑 可修地'之晶8而口晶圓Μ正確之載 “ -¾ 先Mltf面之;i意事項再填寫本頁j ii-^Γηέ智慧«?產局 _ Η 消費合作.-iitn^ -裝--------訂---------線--------- • 9 4 6 657 8 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7) 在導向圈本體59水平部分56内緣側之下部分形成有一 具有-大致為一定深度之環狀切槽62 (參照第2圖及第3 圊）。因此，水平部分56内緣側乃變得报薄’而在該部分 56之下表面56A與載置台36之載置面刊八間形成一非常薄 的環狀空間（截面為細長長方形），即用以防止微粒發生 之空間64。 在此參照第3圈舉例說明各部分之尺寸。無論晶園w直 徑大小如何，在晶®W載置於正確位置上時，晶圓评外周 緣與導向圈構件54之水平部分56的内周緣間，其距離。係 在0.5〜1.5mm之範圍内，例如lmme該水平部分％之厚度 L4係在1.5〜3nm之範圍内，例如2mrn 上述切槽以之高 度，即該用以防止微粒發生之空間64之高度15在〇 2mm以 上，例如0.3mm (由於說明之故，圖示例之空間以畫得較 大）。該用以防止微粒發生之空間64在載置台半徑方向之 長度L6在2mm以上，例如3mm »此時該空間64之長度與載 面高度之比，即（L6) /(L5)，以設定在10以上為理想。 又’該而度L5之0.2ππη則約略為加工界限之深度。 現就如上構成之成膜裝置，以TiN (氤化鈦）膜之成 膜為例說明之。 首先’經由開放之閘門50搬入半導體晶圓w，再以升 降銷42承接’俟降下升降銷42後’將晶圓w載置於載置台 36上面（即載置面36A)。此時若晶圓w偏位，嵌於載置 台36邊緣部之導向圈構件54 ’其錐狀之導向面6〇將與晶圓 W之外周緣接觸’而補正晶圓W之偏位情形。以此將晶圓 - **!裝 i I (請先^-讀背面之注意事項再^寫本頁) --5 — - -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -10- A7 B7 經-部智慧財產局—工-^費合竹^化" 五、發明說明（8) w載置於正確之位置 如此完成晶圓W之裝載後，即將晶圓W加熱至預定製 程溫度並予維持之。同時，將處理容器32内抽成真空-並 在處理容器32内施放成膜氣體等預定之氣想。以此，在晶 圓W上進行膜之堆積。 成獏氣體者’舉例而言，可使用TiC丨4、NH3'及N 2， 以此來堆積TiN膜。又，晶圓大小可用8英吋者。製程條件 為，TiC14 流量 20sccm，NH3 流量 400sccm，N2 流量 50sccm - 另外’製程溫度為680°C，製程壓力為40Pa ( 〇.3T〇rr )。 進行如此之成膜處理60秒後，在晶圚表面上以膜厚500 A為 目標值，堆積TiN膜。

反覆進行此成膜處理，即如第3圖所示，不僅將在晶圓 w上堆積目的所在之膜6S，也會在載置面36A或導向圈構 件54表面上逐漸堆積不需要之膜70、72。此時，該用以防 止微粒發生之空間64之上下壁面也會產生膜堆積之情形。 逞些不需要之膜70、72，其膜厚與晶圓W之成膜處理片數 成正比增大=特別是在原料氣體TiC14分壓變低且成膜率變 高之該用以防止微粗發生之空間64内部將分別產生膜7() ' 72之尖峰部分70A ' 72A W峰。Γ5分7 0 A 7 2 A係發生於由導向圈構件5 4内周緣算 起一定距離L8之位置.舉例言之係於偏外周2 Smm之位置 :卽深Λ該用以防止街粒發生之空間64内疋位置. ,其 理由將參照第4圖說明之.第4圖係表示原料氣體郎丁 κ:Ί4 紋體之译量與載置台成膜生關係圖表在此.除 γ< .... JS. Τΐ_| fl'··» rj：f i-i- jfe ,，tt , ,·, v , . h \ 沒迹串.1. (¾ ^ y.疼 I.v 紹格：，“ π ' 一一》——一一— H -^1 _! ---I---.^1 .^1 1 I · It I n n I^eJ» u J— I I n I (ii先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 466578 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9)

TiC14氣體之流量外’其他製程條件與先前所述者相同。由 第4圖清楚顯示，剛開始’ TiCl4氣體流量一點一點地增加 時’成膜率亦將一點一點地增加。但是，在點PI ( TiC14 氣體之流量約在1 Osccm左右時）達到高峰後，成膜率則急 遽下降，之後縱使流量增加’成膜率仍將保持於_定之低 值。如前所述，此時TiC14氣體之流量約在2〇sccni左右，因 此若比之流量更少分壓更低即可產生成膜之尖峰點P1。 如第3圖所示，原料氣體（即TiC14氣體）分壓變低之 部分’係由於用以防止微粒發生之空間64内TiCI4氣體擴散 而致該分壓低至某一程度之部分’即為從空間64前端（内 周緣）深入至某一程度之部分（外周側）。因此，舉例而 言將在深入空間64距離L8位置處產生膜厚之尖峰部分 70A、72A »當然’該距離L8會因製程條件或此空間64之高 度L5而變動》另外’該高度L5則視成膜裝置之洗滌週期或 成膜率等訂定即可。 若依據如上本發明之實施型態，將導向圈本體59之水 平部分56下面削成階段狀，即形成一用以防止微粒發生之 空間64。其次，相對於成膜之膜厚，將該空間64之高度L5 設定為夠大的值〇.3mm。因此，縱使上述膜70、72各自之 尖峰部分70A、72A成長增大，這些尖峰部分70A、72A也 不會接觸。因此，該尖峰部分不會剝落。因而可抑制微粒 之發生。 舉例言之，假設執行一次成膜操作，將分別於尖峰部 分70八、72人堆積膜厚500入（0.05#111)之膜，則處理1〇〇片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- ^^1 ^1· ^^1 ^^1 ft ^^1 ^^1 ^^1 J 丨 1 l nv n ϋ t^i i 言 类 (H先閱讀背面之注意事項再填、寫本頁) M-^智弩財產局員上消費合作·?iir;· A7 ___B7_______ 五、發明說明（1〇) 晶圓後’膜厚合計為5μπι ( = 〇.〇5x 100 )。此時兩失峰部 分70人、72六之膜厚合計為1叫1〇„而，由於該空間64之高 度L5為0.3mm( =30〇μιη)，遠大於上述之1〇μηι。換言之， 兩尖峰部分70八、72Α將不會相互接觸。又，處理晶圓片數 至某一程度後’需進行洗滌操作，除去不需要之膜7〇及72 (包含尖峰部分70Α及72 A )。 另外’即使萬一膜70、72之尖峰部分70A、72A從壁面 剝落，該剝落之膜仍會留在該用以防止微粒發生之空間64 内深處之部分。因此，該膜不會擴散至處理空間S側，也 因此可阻止微粒附著於晶圓w之表面。

於此係以上述製程條件對丨00片晶圓進行成膜處理。關 於此時微粒之狀態，則參照第5圖說明於下D 第5圖係表示關於1〇〇片半導體晶圓進行成膜處理時微 粒數（0.2μιη以上）之變化圖表。第5圖係分別表示該用以 防止微粒發生之空間64其深度1^6在8.8111111( Α)與3.0mm( Β) 時之結果。由這些圊表可知，相較第丨〇圖所示習知裝置之 結果’本發明裝置之深度L6在8.8mm與3.0mm時，微粒數 皆少且約在2〜3個左右，並且皆遠低於優劣判定基準的3 〇 個·意即得到良好之結果， 又’以上所述之實施型態固然是削去導向圈構件54之 内周部下面 '以形成一用以防止微粒發生之空間64、但： 获用以防止微粒發生之空間64亦可設置於、將晶圓W壓緊 固定於載置台3 6之 緊壓環搆.伴上 第〇圖即係表.此楂成犋较置之構成圖 又 *第〇圖 lw**^" '|U，>"1' 1J，，1***~~*'r' mflllT r~' ~ —Τ>ιιι··ιι·ImII.1 _ *. ,...1 ί.·4- l· ' ； l9j 'J: -J·1： ir' 1¾ ..y. , ^ -----r . — .,11 I ·.. ., -¾ · ilii <r：S· i ：,,·Λ. i ',；：}{> «· , : ί ϊ i I I I I I I i I l » 11 I I I I I I (銬先閱汴背面之注意事項再填寫本！) 466578 A7 B7 五、發明說明（11) 中對於與第1圖所示之同一部份附以同_符號並省略其說 明"在此，該緊壓環構件72係具有一圓板環狀之緊壓環本 體74,並構成可與升降銷42_同升降者。其次，該緊壓環 本體74之内緣側下面將接觸晶圓w之外周緣，使晶圓w壓 緊固定於載置台36上。再者，該緊壓環本體74内緣側下面 形成有一與第3圖所述相同之階段狀切槽。依此，在緊壓環 本體74之内緣側下面與晶圓邊緣部之表面間，乃形成一用 以防止微粒發生之空間76。 如此，將呈現前面參照第3圖所述者相同之作用，即， 可防止堆積之膜其尖峰部分之剝落，因此即可抑制微粒之^ 發生。 另外’在以上之各實施例中係以堆積TiN膜之成膜裝 置為例說明者’但本發明並不限定於此，亦可適用於任何 膜堆積之成膜裝置。舉例言之，當然亦可適用於WN (氮 化鶴）膜、Si02膜等成膜裝置上。又，被處理物並不限定 於半導體晶圓，亦可使用於LCD基板、玻璃基板等* ί請先閱埭背面之注意事項再填寫本頁> 裝--------訂-! ------. 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 2…成膜裝置 4··.處理容器 6…排氣口 S...加熱器 10…載置台 10A…載置台上表面 元件標號對照表】 12…導向圈構件 12A..，導向圈下表面 14.. .導向面 1 6...蓮蓬頭部 18…間隙 20.. .目的所在之膜 本纸張尺度適用中0國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） •14· 五、發明說明（l2) A7 B： 經-部智慧时產局員工消費合作^印② 22 ' 24…不需要之膜 66...伸縮套管 22A、24A…不需要之膜之 ό8‘‘.目的所在之膜 尖峰部分 70、72…不需要之膜 30...成膜裝置 70A、72 Α…不需要之膜之 32...筒狀處理容器 尖峰部分 3 4…支柱 74...緊壓環本體 36...圓柱狀載置台 76...防止微粒發生之空間 36A...載置面 78...緊壓環構件 38...電阻加熱器 S…處理空間 40…銷孔 W，..晶圓 42...升降銷 L1...間隙高度 44...支持軸 L3…晶圓外緣與水平部分 46...蓮篷頭部 内緣之距離 48...嗔射口 L4...水平部分厚度 5 0...閘門 L5...用以防止微粒發生之 5 2...排氣口 空間之高度 54...導向圈構件 L6...用以防止微粒發生之 56...水平部分 空間丰徑方向長度 5 S〜垂直部分 LS .導向圈構件外周緣至 59",導向圈本體 尖峰部分之距離 60 .導向面 62.,切槽 〇4 .,.用以防止微粒發生之 JZ. I I 士-4?^~*~· — i I 1 I I 1 * I I I I ! I I 言 *lllllil — 劣 (請先聞沭背面之注t事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 46 657 8 A8 BS §_ 六、申請專利範圍 1. 一種成膜裝置，包含有： 一處理容器’係可抽真空者； 一載置台’係設置於該處理容器内，而用以載置被處 理物者；及 一環狀導向圈構件，係配置於上述載置台之上方，以 包圍該載置台上所放置之被處理物外周緣，而可在將 被處理物放置於載置台上時，引導該處理物至載置台 上者； 且’於上述導向圈構件内緣側下面與載置台上面之 間，並形成有一用以防止微粒發生之空間。 2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間，其高度約在0.2imn以上， 3. 如申請範圍第1或2項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間係一呈薄環狀之空間。 4_如申請專利範圍第3項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間，其於半徑方向之長度約在2mm以上。 5‘如申請專利範圍第I項之成臈裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間係由載置台平坦之上面與形成於上述 導向圈構件内緣側下面之階段狀凹部所形成者。 6· 一種成膜裝置，包含有： 一處理容器，係可抽真空者； 一載置台，係設置於該處理容器内，而用以載置被處 理物者；及 一環狀緊壓環構件’係可於該載置台上方，遷緊固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公笼） (請先Mtt背面之注意事項再填寫本頁) 經漘部智慧財產局員工消費合作.社印製 I -------- ---------線 I- I Ί------------------I -16 - §_ 力、申請專利範圍 載置於該載置台上之被處理物外周緣者； 且，於上述緊壓環構件之内緣惻下面與被處理物上面 之間並形成有_用以防止發生微粒之空間。 如申請專利範圍第6項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間，其高度約在〇 2mm以上c 8_如申請專利範圍第6或7項之成膜裝置，其中該用以 防止微粒發生之空間係一薄環狀之空間。 9.如申請專利範圍帛S項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間，其於半徑方向之長度約在2mm以上「 1 〇如申請專利範圍帛6項之成膜裝置，其中該用以防止 微粒發生之空間係由被處理物平坦之上面與形成於上 述緊壓環構件内緣側下面之階段狀凹部所形成 ------------*裝---------訂----------線 (請先閱讀背面之泌意事項再填寫本頁> t-'-^智慧ST1局 P·二"費合"*?:吐-,:系

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