KR20070083830A - 마이크로 전자공학적 제조 공정 중에 기판의 외부 에지를코팅하는 장치 - Google Patents

마이크로 전자공학적 제조 공정 중에 기판의 외부 에지를코팅하는 장치 Download PDF

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Abstract

새로운 배플과 이러한 배플을 사용하는 방법이 제공된다. 배플은 기판(예, 실리콘 웨이퍼) 에지에 대해 합성물의 흐름의 방향을 정하도록 구성된 에지 벽을 가지는 벽을 포함한다. 에지 벽은 수직 표면과, 수직 표면에 연결된 굽은 측벽과, 그리고 굽은 측벽에 연결된 립을 포함한다. 바람직한 배플은 고리 모양이며 합성 레진 조성물로 형성된다. 좀 더 바람직하게는, 배플이 금속으로 형성되지 않는다. 본 발명에 따른 방법은 스핀 코팅 공정 중에 기판에 인접하게 배플을 배치하여 에지 벽이 합성물을 유도하여 기판의 에지를 덮도록 하며 기판의 후면 일부를 덮도록 하는 단계를 포함한다.

Description

마이크로 전자공학적 제조 공정 중에 기판의 외부 에지를 코팅하는 장치{Device For Coating The Outer Edge Of A Substarte During Microelectrics Manufacturing}
본 발명은 마이크로 전자공학적 제조 공정 중에 기판의 에지를 향하여 그리고 그 상부로 코팅 합성물의 방향을 유도하데 유용한 배플(baffle)에 관한 것이다.
집적 회로와 MEM(microelectromechanical) 장치와 같은 마이크로 전자공학적 장치는 일반적으로 기판에 막을 코팅(피복)하고 이러한 막을 특정 장치 디자인에 필요한 모양과 크기로 형성함으로써 만들어진다. 이러한 막은 일반적으로 기판상에 액체 합성물을 스핀 코팅함으로 형성된다. 일반적으로, 코팅(coating)은 기판의 에지나 에지 너머로 흐르지 않으므로 이들은 비보호 상태로 남는다. 이후에 기판은 식각 및 연마 공정을 거친다. 상대적으로 거친 공정이다. 따라서, 에지 부분에서 코팅이 일어나 벗겨지는 문제가 종종 발생한다. 즉, 코팅의 가장 자리가 기판으로부터 떨어진다. 이는 에지 부분에서 기판이 비 보호 상태로 남도록 하며 후속 공정 조건에서 손상되도록 할 수 있다. 종종 기판이 얇아지고, 깨지며 부서지기 쉬워진다. 이는 웨이퍼 영역의 감소로 이어지고 이에 따라 비용이 증가한다.
본 발명은 기판에 합성물을 부가하는 공정 중에 합성물의 흐름에 영향을 미치는 새로운 배플(baffle)을 제공하며, 에지와 가능하면 기판의 후면으로 합성물의 흐름의 방향을 유도함으로써 이러한 문제점을 해결한다.
좀 더 자세히 살펴보면, 배플은 바람직하게는 고리 모양이며 개구부를 정의하는 내부 에지 벽을 포함하고, 그리고 기판의 에지로 합성물의 흐름 방향을 유도하도록 구성된다. 에지 벽은 수직 표면과, 수직 표면에 연결되어 굽은 측벽과, 굽은 측벽에 연결되는 립(lip)을 포함한다.
사용시, 기판 에지가 배플 에지 벽에 인접하나 접촉하지는 않도록 배플과 기판이 배치된다. 합성물이 이후에 일반적인 스핀 코팅 공정을 통해 기판에 부가된다. 이때, 원심력이 합성물을 기판의 외부 가장자리로 흐르도록 하고, 따라서 배플을 향하도록 한다. 배플 에지 벽은 합성물이 기판의 에지를 덮도록 한다. 웨이퍼는 이후에 추가 공정(예, 굽기/복구(curing), 식각, 추가 막 부가 공정 등)을 거칠 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 공정에 관련된 문제점을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 배플을 나타내는 투시도이다.
도 3은 3-3 라인을 따라 도 2에 도시된 배플을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따라 패플을 이용하는 코팅 공정을 나타내는 개략도이다.
도 5는 버진 실리콘 웨이퍼의 에지를 나타내는 SEM(Scanning Electron Micorscope) 사진이다.
도 6는 종래 기술에 따라 보호 물질로 코팅된 후의 실리콘 웨이퍼의 에지를 나타내는 SEM이다.
도 6b는 도 6a의 에지를 나타내는 확대도이다.
도 7은 도 6a의 웨이퍼가 습식 식각 공정을 거친 후에 획득된 "칼날-에지"를 나타내는 SEM이다.
도 8a은 본 발명에 따른 배플을 사용하여, 보호 물질로 코팅된 후의 실리콘 웨이퍼의 에지를 나타내는 SEM이다.
도 8b는 웨이퍼 상의 보호 코팅의 에지를 나타내는 도 8a의 확대도이다.
도 9는 습식 식각 공정을 거친 후에, 도 8a의 웨이퍼 에지를 나타내는 SEM이다.
도 10은 보호 물질로 코팅된 후에, 웨이퍼의 후면을 나타내는 SEM이다.
도 11은 습식 식각 공정을 거친 후에, 도 10의 웨이퍼를 나타내는 SEM이다.
도 12는 도 11의 SEM의 확대도이다.
도 13은 식각 후에 그리고 보호 코팅이 제거된 후에 9-12의 웨이퍼의 후면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 1은 종래기술에 따른 공정을 나타낸다. 에지(12)를 가지는 기판(10)이 제공된다. 보호 물질(14)이 공급 노즐(dispense nozzle)을 거쳐 기판(10)에 인가되며, 스핀 코팅 프로세스를 거쳐 필름(18) 내에 형성된다. 기판(10)은 이후에 핫 플레이트(hot plate, 20)에서 가열되고 추가 처리를 거치게 된다. 도 1 에 도시된 바 와 같이, 필름(18)은 에지(12)를 덮지 않으며, 따라서 후속 공정 단계(예, 습식 식각) 중에 비 보호 상태로 남겨진다.
본 발명에 따른 배플(baffle)은 새로운 디자인으로 이러한 문제점을 극복한다. 도 2 및 3을 참조하면, 배플(22)이 제공된다. 배플(22)은 고리형 베이스(24)와 지지 구조(26)를 포함한다. 고리형 베이스(24)는 상부 및 하부 표면(28, 30)과 원주형 외부 및 내부 에지(32, 34)를 각각 포함한다. 상부 표면(28)은 에지(34)에 접근하면서 표면(30)을 향해 약간 경사진다.
내부 에지나 에지 벽(34)은 개구부(36)를 정의한다. 에지(34)는 수직 표면(38)과 하부 립(lip, 40)을 포함한다. 수직 표면(38)과 외부 에지(32)는 실질적으로 서로 평행하다. 수직 표면(38)과 립(40)은 굽은 또는 휘어진 측벽(42)을 거쳐 결합한다. 하부 립(40)은 수직 표면(38)을 너머 확장하나, 이러한 거리는 굽은 측벽(42) 내에 합성물이 포함되도록 그러나 합성물이 하부 립(40)을 지나 배출되도록 제한되어야 한다. 그러나, 따라서, "L"의 길이가 약 1.5-4 배 (더 바람직하게는 약 2-3 배) 떨어져 있어야 한다. 길이 "l"은 굽은 측벽(42) 내의 가장 안쪽의 포인트(즉, 정점(apex))로부터 하부 표면(30)을 향해, 수직 표면(38)으로부터 수직으로 확장하는 라인(44)까지의 최단 거리이다. 그리고 "L"은 도 3에 도시된 바와 같이, 라인(44)에서 하부 립(40)의 끝단(46)까지의 거리이다.
립(40)은 하부 표면(30)을 향해 하부 방향으로 바람직하게 경사진 상부 립 표면(48)을 포함한다. 상부 립 표면(48)의 경사 각은 바람직하게는 약 1-15°이며, 더 바람직하게는 약 2-10°이고, 완벽하게 수평인 라인의 경사는 0이다.
배플(22)의 지지 구조(26)는 수직 구조(50)와 플랜지(flange, 52)를 포함하며, 플랜지(52)는 바람직하게는 수직 구조(50)와 수직이다. 바람직한 실시에에서, 플랜지(52)는 2 이상, 바람직하게는 3 이상의 레벨링 장치(leveling device, 54)를 포함한다. 바람직한 장치(54)는 그로부터 돌출된 돌출부(56)를 포함하며, 각 돌출부(56)는 세트 스크류(Set screw)와 적합한 잠금 기구(fastener)를 수용하도록 구성되는 개구부(58)를 포함한다. 세트 스크류는 필요에 따라 배플(22)을 조절하는데 사용할 수 있다. 위의 설명에 따르면 배플이 특정 공정 조건(예, 기판 크기, 사용되는 장치 등)을 위해 크기가 결정되도록 하며, 본 발명에 따른 배플의 용도를 다양하게 한다.
배플이 노출될 장치, 공정 조건 등에 따라 배플(22)이 복수의 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 마이크로 전자공학적 제조 공정 중에 일반적으로 사용되는 솔벤트에 강한(즉, 솔벤트와 반응하거나 솔벤트에 녹지 않는) 합성 레진 조성물로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 솔벤트는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸 락테이트, 메틸 이소아밀 케톤, n-메틸-2-피롤리돈, 및 이소 프로필 알콜로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
또한, 배플(22)은 비 금속 물질로 형성된다. 즉, 중량의 100%로 잡은 배플의 전체 무게에 대해, 배플(22)을 형성하는 물질은 중량이 약 5% 이하로 구성되며, 바람직하게는 중량의 약 1% 이하로 구성되고, 더 바람직하게는 중량 금속이 약 0%이다. 배플(22)이 형성될 수 있는 특히 바람직한 물질은, 폴리테트라플루오르에틸 렌(TEFLON®), 폴리에틸렌(바람직하게는 고 밀도), 폴리프로필렌, 폴리페닐렌 설파이드, 아세탈, 폴리에테르 에테르 케톤(탄그램 테크놀로지 사의 명칭 피크(PEEK)로 이용가능함), 및 이들의 조합 중 선택된 물질들을 포함한다.
도 4는 본 발명에 따른 배플(22)의 용도를 나타낸다. 먼저, 기판(10)은 스핀 코팅 장치 내의 척(도시되지 않음) 상에 배치된다. 일반적인 기판(10)의 예는 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 알루미늄 갈륨 아세나이드, 알루미늄 인듐 갈륨 포스페이트, 갈륨 나이트라이드, 갈륨 아세나드, 인듐 갈륨 포스페이트, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아세나이드, 알루미늄 옥사이드(사파이어), 유리, 수정, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 아크릴, 폴리우레탄, 종이, 세라믹, 및 금속(예, 구리, 알루미늄, 금)으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질들을 포함한다.
플랜지(52)가 장치(도시되지 않음)의 표면에 배치되고 기판(10)의 에지(12)가 개구부(36) 내의 굽은 측벽(42)에 인접하게 중앙에 배치되도록, 본 발명의 배플(22)이 이후에 장치 내에 배치된다. 배플(22)이 평평하고, 기판(10)이 중심에 적합하게 위치하도록, 배플(22)이 필요에 따라 높이 조절 장치(54)(도 4에 도시되지 않음)를 거쳐 조절된다. 굽은 측벽(42) 내의 가장 안쪽의 포인트 또는 정점으로부터 기판의 에지(12)까지의 거리 "D"가 약 0.85-4밀리미터가 되도록, 더 바람직하게는 약 0.85-2밀리미터가 되도록 배플의 크기가 정해지는 것이 바람직하다. 따라서, 기판과 배플은 바람직하게는 서로 접촉하지 않는다.
배플(22)과 기판(10)이 적합하게 배치된 후에, 공급 노즐(16)을 거쳐 물 질(14)이 공급되는 동안 기판이 회전된다. 그러나 종래 기술의 공정과는 달리, 물질(14)은 굽은 측벽(42)에 의해 생성된 리세스(recess) 내의 배플(22) 안에 축적되며, 물질(14)은 기판 에지(12)를 향하고 영역(62)에 도시된 바와 같이 후방 표면(60)을 향한다. 따라서, 기판 에지(12)와 후방 표면(60)의 적어도 일부가 보호 물질(18)로 덮인다. 보호 물질은, 후속 공정 단계 중에 식각, 티닝(thinning) 및 다른 손상으로부터 기판(10)을 보호한다. 더 구체적으로는, 본 발명의 배플을 사용하는 경우에, 약 90%이상, 바람직하게는 약 95% 이상, 더 바람직하게는 약 100%의 기판 에지(12)의 표면 영역이 기판에 부가되는 조성물(합성물)로 덮인다.
실시 예
다음의 실시 예들은 본 발명에 따른 바람직한 방법이다. 그러나, 이러한 실시 예들은 설명을 위한 것이 본 발명의 전체 범위를 제한하는 것이 아니다.
실시예 1
비교 예
버진(virgin) 실리콘 웨이퍼는 부드럽고 둥근 에지를 가진다. 도 5는 이러한 에지를 나타내는 SEM 사진이다. 프로텍(ProTEK) 프라이머와 프로텍 B(브루어 사이언스 사)를 포함하는 보호 필름이 표준 회전 코팅 프로세스를 이용하여 버진 실리콘 웨이퍼 상에 코팅된다. 도 6a는 웨이퍼 상의 식각 보호 필름을 나타낸다. 도 6b에 나타낸 바와 같이, 에지는 완전히 덮이지 않는다. 실리콘 웨이퍼는 이후에 포타슘 하드록사이드를 이용하는 습식 식각 공정을 거친다. 도 7에 도시된 바와 같이, 식각 공정은 웨이퍼의 에지에서 "칼날-에지(knife-edge)"를 생성한다. 식각 공정은 필름의 리프팅(lifging)을 초래하며, 이로써 웨이퍼 에지에 대한 약한 보호막을 제공한다. 이는 일반적으로 웨이퍼 상에 갈라짐을 발생시키므로 이러한 얇은 웨이퍼 에지는 중대한 취급상의 문제를 나타내며, 손상 및 수율 감소로 이어진다. 이러한 문제는 얇은 웨이퍼 취급시 더 심해진다.
실시 예 2
본 발명의 배플의 용도
본 발명에 따라 웨이퍼 크기에 따라 크기가 정해진 배플이 사용된다는 점을 제외하고 실시예 1에 기술된 공정이 반복된다. 회전 동안, 배플은 초과 식각 보호 물질을 수집하고, 에지 위 및 웨이퍼의 후면 상에 이를 도포한다. 결과적으로, 웨이퍼의 상부, 에지 및 하부 면 가장자리에 식각 보호 물질을 부가시켜, 웨이퍼와 그의 에지를 캡슐화하며 웨이퍼 에지에서의 필름의 리프팅(lifting)을 방지한다.
도 8a는 웨이퍼의 에지를 덮고 웨이퍼의 후면까지 이어지며, 그 주변을 둘러싸는 식각 보호 물질을 나타낸다. 도 8b는 식각 보호 코팅의 에지가 웨이퍼의 후면 상의 에지로부터 잘 형성된 모습을 추가로 나타낸다.
적절하게 위치한 보호 코팅을 포함하는 웨이퍼가 이후에 포타슘 하드록사이드를 이용한 습식 화학적 식각 공정을 거친다. 도 9는 화학적 식각 후의 웨이퍼와 웨이퍼의 에지가 보전된 모습을 나타낸다.
실시 예 3
후면 디스펜스를 이용한 본 발명에 따른 배플의 용도
후면 디스펜스가 스핀 보울(bowl)에 추가되 웨이퍼 상의 습식 화학적 식각에 대한 넓은 영역에 대한 보호가 이루어지도록 한다는 점을 제외하고는, 실시예 2의 공정이 반복된다. 웨이퍼는 실시예 2에 기술된 보호 물질로 코팅된다. 후면 디스펜스(dispense)가 사용되는 조건에서, 보호 물질이 에지로부터 웨이퍼 에지로부터 약 5밀리미터까지 웨이퍼의 후면 상에 도포된다. 도 10은 이 실시예에서 코팅이 이루어진 후에 실리콘 웨이퍼의 후면을 나타낸다.
코팅된 웨이퍼는 이후에 포타슘 하드록사이드를 이용한 습식 식각 공정을 거친다. 도 11 및 12는 식각 후의 웨이퍼를 나타낸다. 코팅의 에지로부터 1밀리미터 이하로 보호 물질이 리프트된다. 보호 물질은 이후에 웨이퍼로부터 제거되고, 웨이퍼 후면에 대한 도 13의 SEM 사진을 찍는다. 웨이퍼의 전체 외부 링은 식각으로 보호되고 및 손상되지 않고 남아있다.

Claims (35)

  1. 에지를 가지는 기판에 대해 합성물을 부가하는 고정 중에, 상기 합성물의 흐름에 영향을 미치기 위한 배플에 있어서, 상기 배플은:
    상기 기판 에지로 합성물의 흐름 방향을 유도하도록 구성된 에지 벽을 가지는 바디를 포함하고, 상기 바디는:
    수직 측면과;
    상기 수직 측면에 연결된 굽은 측벽과; 그리고
    상기 측벽과 연결된 립을 포함하되,
    상기 배플은 합성 레진 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 배플.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 합성 레진 조성물은 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리페닐렌 설파이드, 아세탈, 폴리에테르 에테르 케톤, 및 이들 조합을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 배플.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 립은 상부 및 하부 표면들을 포함하고, 상기 상부 표면은 상기 굽은 측벽으로부터 멀어지는 방향으로 상기 하부 표면을 향해 경사지는 것을 특징으로 하는 배플.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 경사는 수직 위치로부터 1-15°를 이루는 경사인 것을 특징으로 하는 배플.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플은, 중량을 100%로 취한 상기 배플의 전체 무게를 기준으로, 중량 금속이 5% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 배플.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 굽은 측벽은 정점을 가지며, 상기 측벽은 상기 정점으로부터 상기 수직 표면과 동일한 평면을 따라 취한 라인까지의 거리로 정의된 "l"의 두께를 가지며, 그리고
    상기 립은 상기 정점으로부터 확장되고 끝단을 가지며, 상기 립은 상기 수직 평면을 따라 취한 상기 라인으로부터 상기 립의 끝단까지의 거리로 정의된 "L"의 길이를 가지고, 상기 길이 "L"은 상기 길이 "l"보다 1.5-4 배 큰 것을 특징으로 하는 배플.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 바디와 상기 에지 벽은 고리 모양인 것을 특징으로 하는 배플.
  8. 에지를 가지는 기판에 대해 합성물을 부가하는 공정 중에 상기 합성물의 흐름에 영향을 미치는 배플에 있어서, 상기 배플은, 상기 기판의 에지로 상기 합성물의 흐름의 방향을 유도하도록 구성된 에지 벽을 가지는 바디를 포함하며, 상기 바디의 에지 벽은:
    수직 표면과;
    상기 수직 표면과 연결된 굽은 측벽과; 그리고
    상기 굽은 측벽와 연결되는 립을 포함하되,
    상기 배플은, 중량을 100%로 취한 배플의 전체 무게에 대해, 중량 금속이 5% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 상기 배플.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배플은, 중량을 100%로 취한 배플의 전체 무게에 대해 0%의 중량 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 배플.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 립은 상부 및 하부 표면들을 포함하고, 상기 상부 표면은 상기 굽은 측벽으로부터 멀어지는 방향으로 상기 하부 표면을 향하여 경사지는 것을 특징으로 하는 배플.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 경사는 수직 위치로부터 1-15°를 이루는 경사인 것을 특징으로 하는 배플.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 굽은 측벽은 정점을 가지며, 상기 측벽은 상기 정점으로부터 상기 수직 표면과 동일한 평면을 따라 취한 라인까지의 거리로 정의된 "l"의 두께를 가지며, 그리고
    상기 립은 상기 정점으로부터 확장되고 끝단을 가지며, 상기 립은 상기 수직 평면을 따라 취한 상기 라인으로부터 상기 립의 끝단까지의 거리로 정의된 "L"의 길이를 가지고, 상기 길이 "L"은 길이 "l"보다 1.5-4 배 큰 것을 특징으로 하는 배플.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 바디와 상기 에지 벽은 고리 모양인 것을 특징으로 하는 배플.
  14. 에지를 가지는 기판에 대해 합성물을 부가하는 공정 중에 상기 합성물의 흐름에 영향을 미치는 배플에 있어서, 상기 배플은
    상기 기판의 에지로 상기 합성물의 흐름의 방향을 유도하도록 구성된 에지 벽을 가지는 바디를 포함하며, 상기 바디의 에지 벽은:
    수직 표면과;
    상기 수직 표면에 연결되고, 정점을 가지는 굽은 측벽으로서, 상기 측벽은 상기 정점으로부터 상기 수직 표면과 동일한 평면을 따라 취한 라인까지의 거리로 정의된 "l"의 두께를 가지는 상기 굽은 측벽과; 그리고
    상기 굽은 측벽과 연결되고, 상기 정점으로부터 확장되고 끝단을 가지는 립으로서, 상기 립은 상기 수직 평면을 따라 취한 상기 라인으로부터 상기 립의 끝단까지의 거리로 정의된 "L"의 길이를 가지는 상기 립을 포함하되,
    상기 길이 "L"은 길이 "l"보다 1.5-4 배 큰 것을 특징으로 하는 배플.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 립은 상부 및 하부 표면들을 포함하고, 상기 상부 표면은 상기 굽은 측벽으로부터 멀어지는 방향으로 상기 하부 표면을 향하여 경사지는 것을 특징으로 하는 배플.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 경사는 수직 위치로부터 1-15°를 이루는 경사인 것을 특징으로 하는 배플.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 바디와 상기 에지 벽은 고리 모양인 것을 특징으로 하는 배플.
  18. 에지를 가지는 기판에 대해 합성물을 부가하는 공정 중에 상기 합성물의 흐름에 영향을 미치는 배플에 있어서, 상기 배플은
    상기 기판에 관하여 상기 배플의 위치를 변경하는 레벨링 장치를 포함하는 외부 마진을 포함하는 것을 특징으로 하는 배플.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 외부 마진은 상기 바디로부터 확장하는 플랜지를 포함하고,
    상기 레벨링 장치는 상기 플랜지로에 연결된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 배플.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 돌출부는 개구부를 정의하는 구조를 포함하고,
    상기 개구부는 조절가능한 잠금 기구를 수용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 배플
  21. 에지 벽을 가지는 바디를 포함하는 배플로서, 상기 에지 벽은:
    - 수직 측면과;
    - 상기 수직 측면에 연결된 굽은 측벽과; 그리고
    - 상기 굽은 측벽에 연결되는 립을 포함하는 상기 배플과: 그리고
    상기 굽은 측벽에 인접하게 위치하나 상기 배플과 접촉하지 않는 기판을 포함하는 반도체 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 바디와 상기 에지는 고리 모양인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 에지 벽은 개구부를 정의하고,
    상기 기판은 상기 개구부 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 배플은 합성 레진 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판은 마이크로 전자공학적 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 알루미늄 갈륨 아세나이드, 알루미늄 인듐 갈륨 포스페이트, 갈륨 나이트라이드, 갈륨 아세나드, 인듐 갈륨 포스페이트, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아세나이드, 알 루미늄 옥사이드, 유리, 수정, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 아크릴, 폴리우레탄, 종이, 세라믹, 및 금속 기판으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  27. 기판에 합성물을 부가하는 방법에 있어서, 상기 방법은:
    에지 벽을 가지는 바디를 포함하는 배플과, 표면과 에지를 포함하는 기판을 제공하는 단계와;
    상기 기판이 상기 에지 벽에 인접하도록 상기 배플과 상기 기판을 배치하는 단계와; 그리고
    상기 기판 표면에 합성물을 부가하는 단계를 포함하되,
    상기 에지 벽은 상기 기판 에지와 상기 합성물이 접촉하도록 유도하는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 에지 벽은:
    수직 표면과;
    상기 수직 표면에 연결된 굽은 측벽과; 그리고
    상기 굽은 측벽에 연결된 립을 포함하되, 상기 배치하는 단계는:
    상기 기판이 상기 굽은 측벽과 인접하도록 상기 기판과 배플을 배치하는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 접촉을 유도하는 단계에서, 상기 합성물은 상기 굽은 측벽과 접촉하고, 상기 굽은 측벽은 상기 합성물이 상기 기판 에지와 접촉하도록 하는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  30. 제 27 항에 있어서,
    상기 배치 단계는 상기 기판이 상기 에지에 인접하나 상기 배플에 접촉하지 않도록 하는 배치하는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  31. 제 27 항에 있어서,
    상기 바디와 상기 에지 벽은 고리 모양인 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  32. 제 27 항에 있어서,
    상기 에지 벽은 개구부를 정의하고, 상기 기판은 상기 배치 단계 중에 상기 개부부 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  33. 제 27 항에 있어서,
    상기 배플은 합성 레진 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  34. 제 27 항에 있어서,
    상기 기판은 마이크로 전자공학적 기판인 것을 특징으로 하는 합성물 부가 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 알루미늄 갈륨 아세나이드, 알루미늄 인듐 갈륨 포스페이트, 갈륨 나이트라이드, 갈륨 아세나드, 인듐 갈륨 포스페이트, 인듐 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 아세나이드, 알루미늄 옥사이드, 유리, 수정, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 아크릴, 폴리우레탄, 종이, 세라믹, 및 금속 기판으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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