JPH0533522U - 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ - Google Patents
枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタInfo
- Publication number
- JPH0533522U JPH0533522U JP8955191U JP8955191U JPH0533522U JP H0533522 U JPH0533522 U JP H0533522U JP 8955191 U JP8955191 U JP 8955191U JP 8955191 U JP8955191 U JP 8955191U JP H0533522 U JPH0533522 U JP H0533522U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- heat radiation
- bottom wall
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの膜厚分布を均一にし、ウェーハ上
の成膜速度を高める。 【構成】 サセプタ３を，サセプタ底壁３Ａと熱輻射防
止用周壁３Ｂとで構成する。
の成膜速度を高める。 【構成】 サセプタ３を，サセプタ底壁３Ａと熱輻射防
止用周壁３Ｂとで構成する。
Description
【０００１】
本考案は半導体製造に使用する枚葉式ＣＶＤ装置に係り、特にそのサセプタに 関する。
【０００２】
図３は従来のサセプタを用いた枚葉式ＣＶＤ装置の構成を示す簡略断面図であ る。図３において１は水冷式チャンバ、６はこのチャンバ１内に設けられたヒー タカバー、３はこのカバー６上に載置され、ヒータ２により加熱されるサセプタ 、４はこのサセプタ３上に載置されて熱伝導により加熱されるウェーハ、５はこ れに対向して設けられ反応ガスを噴射するガスノズル、７はサセプタ３の中心孔 に嵌挿される上下移動板８を有するウェーハ上下移動用治具、９はウェーハ搬入 出用口１０のゲートバルブ、１１は排気口である。
【０００３】 上記構成の枚葉式ＣＶＤ装置においてゲート弁９を開いてウェーハ４を搬入し 、ウェーハ上下移動用治具７の上下移動板８を鎖線で示す位置まで上動させ、こ の上下移動板８上にウェーハ４を移載し、上下移動板８を実線で示す位置まで下 降してウェーハ４をサセプタ３上に載置する。
【０００４】 そしてゲートバルブ９を閉じて排気口１１に連結された排気装置によりチャン バ１内を排気する。この排気により減圧されたチャンバ１内にガスノズル５より 反応ガスを導入しつつヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加熱す ることによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成することができる。
【０００５】
上記従来例にあっては、ヒータ２からサセプタ３を経てウェーハ４に熱が伝わ って行くが、真空中ではサセプタ３の外周部の方が中心部より放熱し易く、中心 部の温度が外周部の温度よりも高くなるため、ＣＶＤ膜の成長がウェーハ４の中 心部で速くなり、ウェーハ４の中心部の膜厚が外周部の膜厚よりも厚くなって膜 厚分布が均一にならないという課題がある。
【０００６】
本考案サセプタは、上記課題を解決するため、図１に示すようにチャンバ１内 にヒータ２により加熱されるサセプタ３を設け、このサセプタ３上にウェーハ４ を載置し、これに対向して反応ガスを噴射するガスノズル５を設置してなる枚葉 式ＣＶＤ装置において、サセプタ３を，サセプタ底壁３Ａと熱輻射防止用周壁３ Ｂとで構成する。
【０００７】
このような構成とすることにより、サセプタ底壁３Ａの外周部からの放熱が熱 輻射防止用周壁３Ｂにより減少するため、サセプタ底壁３Ａ上に載置したウェー ハ４を均一に加熱することができることになり、ウェーハ４の成長が中心部と周 辺部で同程度になってウェーハ４の膜厚分布を均一にすることができることにな る。
【０００８】 又、サセプタ３を，サセプタ底壁３Ａと熱輻射防止用周壁３Ｂとで構成したの で、反応ガスの流れをウェーハ４上に集中することができることによりウェーハ ４上の成膜速度を高めることができることになる。
【０００９】
図１は本考案サセプタの１実施例を用いた枚葉式ＣＶＤ装置の構成を示す簡略 断面図、図２は本考案サセプタの斜視図である。 図１において１は水冷式チャンバ、６はこのチャンバ１内に設けられたヒータ カバー、３はこのカバー６上に載置され、ヒータ２により加熱されるサセプタ、 ４はこのサセプタ３上に載置されて熱伝導により加熱されるウェーハ、５はこれ に対向して設けられ反応ガスを噴射するガスノズル、７はサセプタ３の中心孔に 嵌挿される上下移動板８を有するウェーハ上下移動用治具、９はウェーハ搬入出 用口１０のゲートバルブ、１１は排気口である。
【００１０】 本実施例はこのような構成の枚葉式ＣＶＤ装置において、サセプタ底壁３Ａの 上面周縁部に溝又は段差３Ｃを設け、この溝又は段差３Ｃに熱輻射防止用周壁３ Ｂを取外し可能に設置してサセプタ３を構成する。 又ガスノズル５はその高さを調節できるよう上下動可能な構成になっている。 ガスノズル５及びチャンバ１壁内には冷却水を流して冷却し、副生成物の付着を 抑えている。
【００１１】 上記構成の枚葉式ＣＶＤ装置においてゲート弁９を開いてウェーハ４を搬入し 、ウェーハ上下移動用治具７の上下移動板８を鎖線で示す位置まで上動させ、こ の上下移動板８上にウェーハ４を移載し、上下移動板８を実線で示す位置まで下 降してウェーハ４をサセプタ３上に載置する。
【００１２】 そしてゲートバルブ９を閉じて排気口１１に連結された排気装置によりチャン バ１内を排気する。チャンバ１内の圧力は可変コンダクタンスバルブにより又は Ｎ2 ガスを流入して調整する。減圧されたチャンバ１内にガスノズル５より反応 ガスを導入しつつヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加熱するこ とによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成することができる。
【００１３】 本実施例においてはサセプタ底壁３Ａの外周部からの放熱が熱輻射防止用周壁 ３Ｂにより減少するため、サセプタ底壁３Ａ上に載置したウェーハ４を均一に加 熱することができることになり、ウェーハ４の成長が中心部と周辺部で同程度に なってウェーハ４の膜厚分布を均一にすることができることになる。
【００１４】 又ガスノズル５から流出する反応ガスの流れは熱輻射防止用周壁３Ｂがない図 ３に示す従来例の場合、ａに示すような外方への流れになるのに対し、熱輻射防 止用周壁３Ｂを設けた図１に示す本実施例の場合にはＡに示すようにウェーハ４ 上に集中することになり、ウェーハ４上の成長速度を高めることができることに なる。
【００１５】 更にサセプタ底壁３Ａに熱輻射防止用周壁３Ｂを取外し可能に設置した場合に は熱輻射防止用周壁３ＢにＣＶＤ膜が付着しても容易に洗浄することができる。 又、サセプタ３の熱輻射防止用周壁３Ｂの高さを変えることによってサセプタ底 壁３Ａ上に設置したウェーハ４の温度勾配を変化させ、換言すれば温度分布を制 御することができる。
【００１６】
上述のように本考案によれば、サセプタ底壁３Ａの外周部からの放熱が熱輻射 防止用周壁３Ｂにより減少するため、サセプタ底壁３Ａ上に載置したウェーハ４ を均一に加熱することができることになり、ウェーハ４の成長が中心部と周辺部 で同程度になってウェーハ４の膜厚分布を均一にすることができるばかりでなく 、反応ガスの流れをウェーハ４上に集中することができることによりウェーハ４ 上の成膜速度を高めることができる。
【図１】本考案サセプタの１実施例を用いた枚葉式ＣＶ
Ｄ装置の構成を示す簡略断面図である。
Ｄ装置の構成を示す簡略断面図である。
【図２】本考案サセプタの斜視図である。
【図３】従来のサセプタを用いた枚葉式ＣＶＤ装置の構
成を示す簡略断面図である。
成を示す簡略断面図である。
１ （水冷式）チャンバ ２ ヒータ ３ サセプタ ３Ａ サセプタ底壁 ３Ｂ 熱輻射防止用周壁 ４ ウェーハ ５ ガスノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバ（１）内にヒータ（２）により
加熱されるサセプタ（３）を設け、このサセプタ（３）
上にウェーハ（４）を載置し、これに対向して反応ガス
を噴射するガスノズル（５）を設置してなる枚葉式ＣＶ
Ｄ装置において、サセプタ（３）を，サセプタ底壁（３
Ａ）と熱輻射防止用周壁（３Ｂ）とで構成することを特
徴とする枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。 - 【請求項２】 サセプタ底壁（３Ａ）に熱輻射防止用周
壁（３Ｂ）を一体に又は取外し可能に構成することを特
徴とする枚葉式ＣＶＤ装置のサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955191U JPH0533522U (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955191U JPH0533522U (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533522U true JPH0533522U (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=13973962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8955191U Pending JPH0533522U (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533522U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0893041A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Sogo Maintenance:Kk | 排水性舗装における排水構造 |
| JP2009021534A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2013207196A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP8955191U patent/JPH0533522U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0893041A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Sogo Maintenance:Kk | 排水性舗装における排水構造 |
| JP2009021534A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2013207196A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5476548A (en) | Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring | |
| JP4361614B2 (ja) | 半導体基板のエッジ成膜の制御 | |
| US9273413B2 (en) | Wafer carrier with temperature distribution control | |
| US7718930B2 (en) | Loading table and heat treating apparatus having the loading table | |
| JP2951478B2 (ja) | ウェーハを冷却する方法及び装置 | |
| JP4669606B2 (ja) | 基板処理装置及び基板支持方法 | |
| US5938850A (en) | Single wafer heat treatment apparatus | |
| US5882419A (en) | Chemical vapor deposition chamber | |
| KR101088541B1 (ko) | 가열장치 및 도포, 현상장치 | |
| KR102426601B1 (ko) | 에피 챔버에서의 기판 열 제어 | |
| US10793951B2 (en) | Apparatus to improve substrate temperature uniformity | |
| KR19990087225A (ko) | 열처리장치 | |
| KR102550680B1 (ko) | 선택적인 전-세정을 위한 신속 응답 페디스털 조립체 | |
| KR101014916B1 (ko) | 단일 웨이퍼 챔버 내의 방사율 불변 펌핑 플레이트 키트 | |
| US6656838B2 (en) | Process for producing semiconductor and apparatus for production | |
| JP2023501304A (ja) | 基板のエッジ膜厚均一性を向上させる処理キット | |
| JPH0533522U (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ | |
| JP4286981B2 (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JPH10223538A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH0533523U (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ | |
| JP3058658B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000243711A (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI586830B (zh) | 在所需位置具有進出閘門之沈積系統及相關製作方法 | |
| JPH05291154A (ja) | 枚葉式成膜方法及び装置 | |
| JPH03233294A (ja) | 熱処理装置 |