KR960002662A - 반도체 소자의 산화막 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 산화막 형성 방법 Download PDF

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KR960002662A
KR960002662A KR1019940014084A KR19940014084A KR960002662A KR 960002662 A KR960002662 A KR 960002662A KR 1019940014084 A KR1019940014084 A KR 1019940014084A KR 19940014084 A KR19940014084 A KR 19940014084A KR 960002662 A KR960002662 A KR 960002662A
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formation method
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KR1019940014084A
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김진태
권오성
박영택
오영균
김의식
홍흥기
구영모
김세정
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 산소가스를 이용한 건식산화 또는 수증기를 이용한 습식산화 공정인 열 산화 공정에 의한 산화막 형성 방법에 있어서; 공정로 내부에 수소 레디컬을 첨부하여 산화 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 관한 것으로, 산화막의 결함을 제거하여 산화막 특성 저하를 방지하며, 소자의 고집적화를 앞당기는 동시에 고집적 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 산화막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 산소가스를 이용한 건식산화 또는 수증기를 이용한 습식산화 공정인 열 산화 공정에 의한 산화막 형성방법에 있어서; 공정로 내부에 수소 레디컬을 첨부하여 산화 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014084A 1994-06-21 1994-06-21 반도체 소자의 산화막 형성 방법 KR960002662A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8835810B2 (en) 2007-11-30 2014-09-16 Nuwave LLC System and method for a programmable counter-top electric dehydrator

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