KR920015543A - 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 본 발명의 공정 단면도이다.
Claims (1)
- 커패시터 제조시 노드 폴리실리콘 표면에 가스 반응시 P소오스/Si소오스가 1/7을 초과하게 하여 노드 폴리실리콘 표면을 울퉁불퉁하게 형성함을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000576A KR920015543A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000576A KR920015543A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015543A true KR920015543A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000576A KR920015543A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015543A (ko) |
-
1991
- 1991-01-15 KR KR1019910000576A patent/KR920015543A/ko not_active Application Discontinuation
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