JP2004304035A - プラズマ発生装置 - Google Patents

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本 高 志 宮
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【課題】放電管交換時のメンテナンスが簡便であり、電磁波漏れの装置トラブルが発生せず、しかも放電管の寿命を延ばせるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】誘電体で形成された放電管2を有する放電管ユニットと、放電管2に接続されたマイクロ波導波管3と、放電管2とマイクロ波導波管3との接続部及びその周辺において放電管2の外周を包囲する冷却ブロック6を有する冷却手段5と、を備える。冷却ブロック6には貫通孔7が形成され、貫通孔7の内壁面の中央の部分7aが錐面状を成している。放電管ユニットは、貫通孔7の錐面状の内壁面7aに対応する錐面状の外周面2aを有し、貫通孔7の錐面状の内壁面7aと放電管ユニットの錐面状の外周面2aとが互いに当接されている。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ発生装置に係わり、特に、プロセスガスにマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して被処理物の処理を行うプラズマ処理装置に適したプラズマ発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造用のシリコンウエーハや液晶ディスプレイ用ガラス基板といった被処理物を処理するための装置として、マイクロ波プラズマを利用して被処理物上の導電体膜、絶縁膜等を処理するプラズマ処理装置がある。
【0003】
このプラズマ処理装置の1つに、石英、アルミナ等の誘電体で形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、マイクロ波導波管を介して導かれたマイクロ波を放電管の内部のプロセスガスに照射し、放電管の内部にプラズマを発生させるようにしたプラズマ発生装置を備えたものがあり、このタイプのプラズマ処理装置は一般にケミカルドライエッチング装置と呼ばれている。
【0004】
このケミカルドライエッチング装置においては、放電管の内部にプラズマを生成することによりプロセスガスから活性種を生成し、この活性種を真空容器の内部に形成された処理室に導いて被処理物の表面に供給し、ドライエッチング処理やアッシング処理等の表面処理が施される。
【0005】
ところで、このタイプのプラズマ処理装置においては、放電管の内部にプラズマが発生すると、プラズマからの熱によって放電管が加熱される。そして、放電管内のプラズマによってフッ素ラジカル等を生成するような腐食系ガスをプロセスガスとして使用した場合、誘電体で形成された放電管はフッ素ラジカル等によってエッチングされて損耗する。このときのエッチング速度は放電管の温度に依存し、放電管の温度が高いほどエッチング速度が速くなる。
そこで、従来のケミカルドライエッチング装置(マイクロ波プラズマ処理装置)においては、放電管のエッチング速度を抑制するために放電管を冷却している。具体的には、例えば、図6に示したように、マイクロ波導波管52に接続された放電管50の周りに、アルミ等からなる冷却ブロック51を配置し、循環水で冷却された冷却ブロックにより放電管50を冷却する方法がある。この場合、放電管50と冷却ブロック51との間の伝熱効率を高めるために、両者の間のギャップG(1mm程度)に窒素ガス(N)等の安定なガスを供給しても良い。
【0006】
また、放電管を冷却するための他の手段としては、放電管50と冷却ブロック51との間にシリコーンゴム等のように誘電体質で弾性のある高熱伝導材料を介装し、これにより放電管50と冷却ブロック51との間の伝熱効率を向上させる方法もある。伝熱効率が向上することにより、放電管50のエッチングが抑制され、放電管50の交換頻度を少なくすることができる。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−135485号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように放電管のエッチングを抑制するために従来から種々の冷却方法が取られているが、それでもなお放電管のエッチングを完全に防止することはできない。そのため、エッチングによる放電管の損耗がある程度進んだ時点で、或いは定期的なメンテナンスとして、使用済みの放電管を新しい放電管と交換する必要がある。
【0009】
図6から分かるように、従来のプラズマ発生装置においては、電磁波の漏洩を防止するために、また、ある程度広い範囲にわたって放電管50を冷却するために、冷却ブロック51は、放電管50の管軸方向に沿って、ある程度の範囲にわたって延在している。
【0010】
そして、誘電体からなる放電管50の製作にあたっては寸法精度上の制約がある。そのため、前記の如くある程度の長さを有する冷却ブロック51と、放電管50との接触(特に、冷却ブロック51の両端における接触)を回避するためには、図6に示したように放電管50と冷却ブロック51との間に1mm程度のギャップGを設ける必要がある。
【0011】
ところで、図7(a)に示したように、放電管50の温度が上昇するにつれて放電管50の寿命は短くなり、また、図7(b)に示したように、放電管50と冷却ブロック51との間の間隙が大きくなるにつれて放電管50の温度が上昇する。例えば、放電管50と冷却ブロック51との間の間隙が1mmの場合、放電管50の温度は286℃まで上昇する。
【0012】
また、放電管50と冷却ブロック51との間に1mm程度のギャップGがあると、窒素ガス(N)等をこのギャップGに供給しても十分な冷却効果が得られず、放電管50のエッチング速度を十分に抑制することができず、ひいては放電管50の交換頻度が高くなって装置のランニングコストが増大してしまうという問題がある。
【0013】
また、上述したように放電管50と冷却ブロック51との間に誘電体質のゴムシートを介在させることにより両者の伝熱効率を高め、放電管50の交換頻度を低減することができるが、この場合には、放電管50の交換作業に際して、放電管50にゴムシートを巻き、水冷された二つの冷却ブロック51を、これらの冷却ブロック51によって、ゴムシートと共に放電管50を挟むようにして取り付ける必要がある。このようにメンテナンス作業が極めて煩雑となってしまうばかりか、設置時の取り付け不良により二つの冷却ブロック51の間に隙間があいてしまうと、この隙間から電磁波が漏れて装置トラブルの原因となってしまう。
【0014】
本発明は、上述した事情を考慮してなされたものであって、放電管交換時のメンテナンスが簡便であり、電磁波漏れの装置トラブルが発生せず、しかも、放電管に対する冷却能力を向上させて放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明によるプラズマ発生装置は、誘電体で形成され、その内部にプラズマ生成用ガスが導入される放電管を有する放電管ユニットと、前記放電管に直交して接続され、前記放電管の管軸方向に直交する方向に伝播するマイクロ波を前記放電管に向けて放射するスロットを有するマイクロ波導波管と、前記放電管を冷却するための冷却手段であって、前記放電管と前記マイクロ波導波管との接続部及びその周辺において前記放電管の外周を包囲する冷却ブロックを有する冷却手段と、を備え、前記冷却ブロックには、前記放電管が挿入された貫通孔が形成されており、前記貫通孔の内壁面は、少なくとも前記接続部及びその近傍の部分が錐面状を成しており、前記放電管ユニットは、前記貫通孔の錐面状の内壁面に対応する錐面状の外周面を有し、前記貫通孔の錐面状の内壁面と前記放電管ユニットの錐面状の外周面とが互いに当接されていることを特徴とする。
【0016】
また、好ましくは、前記放電管ユニットの錐面状の外周面は、誘電体で形成された前記放電管の外周面である。
【0017】
また、好ましくは、前記放電管は、その外周面の全体が錐面状を成している。
【0018】
また、好ましくは、前記放電管は、前記放電管ユニットの錐面状の外周面を形成する部分以外の部分の外周面がストレート形状である。
【0019】
また、好ましくは、前記放電管ユニットの錐面状の外周面は、前記放電管とは別体に形成されて前記放電管の周囲に設けられた弾性の誘電体材料から成る誘電体部材によって形成されている。
【0020】
また、好ましくは、前記誘電体材料はシリコーンゴムである。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態によるプラズマ発生装置を備えたプラズマ処理装置について図面を参照して説明する。なお、このプラズマ処理装置は、マイクロ波プラズマを利用した放電室分離型のケミカルドライエッチング装置である。
【0022】
図1に示したように本実施形態によるプラズマ発生装置1を備えたプラズマ処理装置は、プラズマ発生装置1に配管41を介して接続された真空容器(エッチングチャンバ)30を有する。真空容器30の内部は排気弁31を介して真空排気される。真空容器30の内部には処理室32が形成されており、処理室32には、被処理物Sが載置される載置台33が設けられている。被処理物Sは、半導体製造用のシリコンウエーハ、液晶表示用のガラス基板等である。
【0023】
真空容器30は、ゲートバルブ34を介してロードロックチャンバ35に接続されており、ロードロックチャンバ35の内部には、ゲートバルブ34を介して被処理物Sを処理室32へ搬入し又は処理室32から搬出するための搬送装置36が設けられている。
【0024】
ロードロックチャンバ35は、ゲートバルブ37を介して、被処理物Sを貯蔵する貯蔵チャンバ38に接続されている。貯蔵チャンバ38の内部には、複数の被処理物Sを収納するキャリア39が配置され、このキャリア39は昇降手段40によって昇降される。
【0025】
プラズマ発生装置1は、誘電体で形成された放電管2から成る放電管ユニットを有し、この放電管2にはマイクロ波導波管3が接続されている。放電管6を形成する誘電体としては、石英(SiO)、アルミナ(Al)、サファイア、窒化アルミニウム等を使用することができる。放電管2の内部に、弁41a、41b、41cを介して、CF、O、N等のプロセスガスが供給される。なお、フッ素系のプロセスガスとしては、さらに、NF、C等がある。
【0026】
図2は、本実施形態によるプラズマ発生装置1を示した断面図であり、図2に示したようにマイクロ波導波管3は放電管2に対して直交して接続されている。また、マイクロ波導波管3は、放電管2の管軸方向に直交する方向に伝播させたマイクロ波を放電管2に向けて放射する環状のスロット4を備えている。
【0027】
プラズマ発生装置1は、さらに、放電管2を冷却するための冷却手段5を備えている。この冷却手段5は、放電管2とマイクロ波導波管3との接続部及びその周辺において放電管2の外周を包囲する冷却ブロック6を備えている。この冷却ブロック6には、放電管2が挿入される貫通孔7が形成されている。貫通孔7の内壁面の中央の部分7a、即ち放電管2とマイクロ波導波管3との接続部及びその近傍の部分7aが円錐状を成している。
【0028】
一方、放電管2はその外周面の全体が円錐状を成しており、この放電管2の外周面の一部は、貫通孔7の円錐状の内壁面7aに対応する円錐状の外周面2aを形成している。そして、貫通孔7の円錐状の内壁面7aと放電管2の円錐状の外周面2aとが互いに当接されている。なお、放電管2の内径はその全長にわたって同一である。
【0029】
上述したように貫通孔7の円錐状の内壁面7aと放電管2の円錐状の外周面2aとは互いに当接されているが、放電管2の制作時の寸法誤差等に起因して、放電管2の円錐状の外周面2aと冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aとの間には僅かな隙間が存在する。そこで、この僅かな隙間に窒素ガス等の冷却ガスを供給するための冷却用ガス供給路8が冷却ブロック6に形成されている。この冷却用ガス供給路8の断面積は、マイクロ波が漏洩しない程度に小さく設定されている。
【0030】
上述の構成を備えた本実施形態によるプラズマ発生装置において使用済みの放電管2を新しい放電管2と交換する際には、冷却ブロック6の貫通孔7に挿通されている使用済みの放電管2を、図2中の右側方向に引き抜いて冷却ブロック6から取り外す。そして、新しい放電管2を、図2中の右側から左側方向に向けて冷却ブロック6の貫通孔7に挿通し、放電管2の円錐状の外周面2aが冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aに接触したら、その位置で放電管2を固定する。このように本実施形態によるプラズマ発生装置においては、放電管2の交換作業のために冷却ブロック6を分解する必要がない。
【0031】
以上述べたように本実施形態によるプラズマ発生装置によれば、放電管2の円錐状の外周面2aと冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aとを当接させるようにしたので、放電管2と冷却ブロック6との間の間隙が極めて小さく若しくはゼロとなり、放電管2と冷却ブロック6との間の伝熱効率が向上する。これにより、放電管2の冷却能力が高まり、エッチングによる放電管2の損耗が抑制されて放電管2の寿命を延ばすことができる。
【0032】
また、本実施形態によるプラズマ発生装置においては、放電管2の交換作業に際して冷却ブロック6を分解する必要がないので、放電管交換時のメンテナンスが極めて簡便であり、しかも、冷却ブロック6を分解する場合に問題となる電磁波漏れの装置トラブルを防止することができる。
【0033】
上述の実施形態(図2)の一変形例としては、放電管2の外周面の全体を円錐状に形成するのではなく、図3に示したように、冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aに対応する放電管2の部分2aのみを円錐状として、それ以外の部分2b、2cの外周面をストレート形状としても良い。
【0034】
本変形例においても、図2に示した上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0035】
次に、本発明の他の実施形態によるプラズマ発生装置について、図4及び図5を参照して説明する。なお、本実施形態は、図2に示した上述の実施形態における放電管ユニットの構成を変更したものである。
【0036】
図4に示したように本実施形態によるプラズマ発生装置20においては、放電管2の外周面はその全体がストレート状を成している。そして、この放電管2の外周面には、図4及び図5に示したように、冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aに対応する部分に、シリコーンゴム等の弾性の誘電体材料から成る誘電体シート(誘電体部材)9が巻き付けられている。
【0037】
本実施形態においては放電管2と誘電体シート9とによって放電管ユニット10が構成され、この放電管ユニット10の外周面全体のうち、誘電体シート9によって形成される部分の外周面10aが、冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aに対応する円錐状を成している。そして、放電管ユニット10の円錐状の外周面10aが、冷却ブロック6の貫通孔7の円錐状の内壁面7aに当接されている。
【0038】
本実施形態によるプラズマ発生装置においても、上述した実施形態と同様に、放電管2と冷却ブロック6との間の伝熱効率が向上し、放電管2の冷却能力が高まることにより、エッチングによる放電管2の損耗が抑制されて放電管2の寿命を延ばすことができる。特に、本実施形態においては弾性の誘電体シート9によって放電管ユニット10の円錐状の外周面10aを形成したので、放電管ユニット10と冷却ブロック6との間の密着性が高まり、放電管2の冷却効率をさらに高めることができる。
【0039】
また、本実施形態によるプラズマ発生装置においては、上述した実施形態と同様に、放電管2の交換作業に際して冷却ブロック6を分解する必要がないので、交換交換時のメンテナンスが極めて簡便であり、しかも、冷却ブロック6を分解する場合に問題となる電磁波漏れの装置トラブルを防止することができる。
【0040】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によるプラズマ発生装置によれば、放電管ユニットの錐面状の外周面と冷却ブロックの貫通孔の錐面状の内壁面とを当接させるようにしたので、放電管ユニットと冷却ブロックとの間の伝熱効率が向上し、放電管の冷却能力が高まることにより、エッチングによる放電管の損耗が抑制されて放電管の寿命を延ばすことができる。
【0041】
また、本発明によるプラズマ発生装置においては、放電管の交換作業に際して冷却ブロックを分解する必要がないので、放電管交換時のメンテナンスが極めて簡便であり、しかも、冷却ブロックを分解する場合に問題となる電磁波漏れの装置トラブルを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるプラズマ発生装置を備えたプラズマ処理装置の概略構成図。
【図2】本発明の一実施形態によるプラズマ発生装置を示した断面図。
【図3】図2に示した実施形態の一変形例によるプラズマ発生装置を示した断面図。
【図4】本発明の他の実施形態によるプラズマ発生装置を示した断面図。
【図5】図4に示した実施形態において放電管に誘電体シートを巻き付ける状態を示した図。
【図6】従来のプラズマ発生装置を示した断面図。
【図7】(a)は放電管の温度と寿命との関係を示した図、(b)は放電管と冷却ブロックとの間隙の大きさと放電管の温度との関係を示した図。
【符号の説明】
1,20 プラズマ発生装置
2 放電管
2a 放電管の円錐状の外周面
3 マイクロ波導波管
4 環状のスロット
5 冷却手段
6 冷却ブロック
7 冷却ブロックの貫通孔
7a 冷却ブロックの貫通孔の円錐状の内壁面
8 冷却用ガス供給路
9 誘電体シート(誘電体部材)
10 放電管ユニット
10a 放電管ユニットの円錐状の外周面

Claims (6)

  1. 誘電体で形成され、その内部にプラズマ生成用ガスが導入される放電管を有する放電管ユニットと、
    前記放電管に直交して接続され、前記放電管の管軸方向に直交する方向に伝播するマイクロ波を前記放電管に向けて放射するスロットを有するマイクロ波導波管と、
    前記放電管を冷却するための冷却手段であって、前記放電管と前記マイクロ波導波管との接続部及びその周辺において前記放電管の外周を包囲する冷却ブロックを有する冷却手段と、を備え、
    前記冷却ブロックには、前記放電管が挿入された貫通孔が形成されており、
    前記貫通孔の内壁面は、少なくとも前記接続部及びその近傍の部分が錐面状を成しており、
    前記放電管ユニットは、前記貫通孔の錐面状の内壁面に対応する錐面状の外周面を有し、前記貫通孔の錐面状の内壁面と前記放電管ユニットの錐面状の外周面とが互いに当接されていることを特徴とするプラズマ発生装置。
  2. 前記放電管ユニットの錐面状の外周面は、誘電体で形成された前記放電管の外周面である請求項1記載のプラズマ発生装置。
  3. 前記放電管は、その外周面の全体が錐面状を成している請求項2記載のプラズマ発生装置。
  4. 前記放電管は、前記放電管ユニットの錐面状の外周面を形成する部分以外の部分の外周面がストレート形状である請求項2記載のプラズマ発生装置。
  5. 前記放電管ユニットの錐面状の外周面は、前記放電管とは別体に形成されて前記放電管の周囲に設けられた弾性の誘電体材料から成る誘電体部材によって形成されている請求項1記載のプラズマ発生装置。
  6. 前記誘電体材料はシリコーンゴムである請求項5記載のプラズマ発生装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009259530A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、および電子デバイスの製造方法
WO2015089424A1 (en) * 2013-12-13 2015-06-18 Kla-Tencor Corporation Plasma cell with floating flange
KR101820242B1 (ko) 2016-08-02 2018-01-18 한국기초과학지원연구원 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009259530A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、および電子デバイスの製造方法
WO2015089424A1 (en) * 2013-12-13 2015-06-18 Kla-Tencor Corporation Plasma cell with floating flange
US9433070B2 (en) 2013-12-13 2016-08-30 Kla-Tencor Corporation Plasma cell with floating flange
KR101820242B1 (ko) 2016-08-02 2018-01-18 한국기초과학지원연구원 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
WO2018026129A1 (ko) * 2016-08-02 2018-02-08 한국기초과학지원연구원 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치

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