JPH027419A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH027419A JPH027419A JP15770188A JP15770188A JPH027419A JP H027419 A JPH027419 A JP H027419A JP 15770188 A JP15770188 A JP 15770188A JP 15770188 A JP15770188 A JP 15770188A JP H027419 A JPH027419 A JP H027419A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置に係り、特に気相成長を施こさ
れるウェハの均一加熱に関するものである。
れるウェハの均一加熱に関するものである。
(従来の技術)
従来の気相成長装置、特にエピタキシャル気相成長装置
におけるウェハの加熱にはR,F加熱と輻射加熱とが用
いられている。RF加熱はカーボン製のサセプタ上にウ
ェハ全載置してサセプタIaFコイルにより誘導加熱し
てウェハ全裏面から加熱するものであり、輻射加熱は同
じ(サセプタ上にウェハを載貴し、ウェハおよびサセプ
タの表面側から赤外線ランプ等によって輻射加熱するこ
とによりウェハを表面側から直接輻射加熱すると共に裏
面側からサセプタによって加熱したり、特公昭63−6
627号のように赤外線を発する平行な2枚の加熱板間
にウェハ載置いて表裏両面から直接輻射加熱したりする
ものがある。
におけるウェハの加熱にはR,F加熱と輻射加熱とが用
いられている。RF加熱はカーボン製のサセプタ上にウ
ェハ全載置してサセプタIaFコイルにより誘導加熱し
てウェハ全裏面から加熱するものであり、輻射加熱は同
じ(サセプタ上にウェハを載貴し、ウェハおよびサセプ
タの表面側から赤外線ランプ等によって輻射加熱するこ
とによりウェハを表面側から直接輻射加熱すると共に裏
面側からサセプタによって加熱したり、特公昭63−6
627号のように赤外線を発する平行な2枚の加熱板間
にウェハ載置いて表裏両面から直接輻射加熱したりする
ものがある。
(発明が解決しようとする課題)
上記RF加熱は周知のようにウェハが裏面から加熱され
るために、特に表裏の温度差音生ずる欠点があり、この
ため表面から輻射加熱を付加することが行なわれている
。上記特公昭63−6627号はウニ・・の表裏両面加
熱をより均一に行な5ことのできるものであるが、これ
に用いられているような平板状の加熱板は周辺部での放
熱が大きいkめ、中央部より外周部の方が温度が低い傾
向を示す。そこで、加熱板の面積をウニ・・載置部より
相当大きくする必要がある。特に、ウニ・・を一方の加
熱板上に間隔を置かずに実質的に接触させた状態で載置
する場合には、ウニ・・は加熱板の温度に敏感に左右さ
れるため、ウエノ1載置部の温度をより完全に均一にす
る必要性から該加熱板の面積をより一層大きくする必要
がある。
るために、特に表裏の温度差音生ずる欠点があり、この
ため表面から輻射加熱を付加することが行なわれている
。上記特公昭63−6627号はウニ・・の表裏両面加
熱をより均一に行な5ことのできるものであるが、これ
に用いられているような平板状の加熱板は周辺部での放
熱が大きいkめ、中央部より外周部の方が温度が低い傾
向を示す。そこで、加熱板の面積をウニ・・載置部より
相当大きくする必要がある。特に、ウニ・・を一方の加
熱板上に間隔を置かずに実質的に接触させた状態で載置
する場合には、ウニ・・は加熱板の温度に敏感に左右さ
れるため、ウエノ1載置部の温度をより完全に均一にす
る必要性から該加熱板の面積をより一層大きくする必要
がある。
本発明は、より小型の装置でウニ・・の均一加熱全達成
することのできる気相成長装置を提供することを目的と
するものである。
することのできる気相成長装置を提供することを目的と
するものである。
(課題全解決するための手段)
上記目的を達成するための本発明の気相成長装置は、反
応室の外壁を強制冷却するコールドウオール式の気相成
長装置において、反応室内に配置され一方をガス導入側
とし他方全排気側とする開口を有し内部にウニ・・全直
接または間接的に載置する偏平な筒状の加熱部と、この
加熱部の全外周面を加熱するように反応室外に設けられ
た輻射加熱手段とを備え、少なくとも加熱部内に反応ガ
スを流すようにしたものである。
応室の外壁を強制冷却するコールドウオール式の気相成
長装置において、反応室内に配置され一方をガス導入側
とし他方全排気側とする開口を有し内部にウニ・・全直
接または間接的に載置する偏平な筒状の加熱部と、この
加熱部の全外周面を加熱するように反応室外に設けられ
た輻射加熱手段とを備え、少なくとも加熱部内に反応ガ
スを流すようにしたものである。
加熱部は、実質的に偏平な角筒状とし、輻射加熱手段を
角筒状の外周4面にそれぞれ対応して設けることが好ま
しい。
角筒状の外周4面にそれぞれ対応して設けることが好ま
しい。
また、加熱部内におけるウェハの載置は、通常の気相成
長装置においてウェハをサセプタ上に載置するのと同様
にウェハを加熱部内壁上に載置するようにしてもよいし
、また加熱部内に別に支持部材を設けてこの上に載置し
てもよく、さらにまたウェハの表裏両面の外周近くを除
く大部分ないし全体を加熱部の対向する2面の内壁に対
しそれぞれ間隔を置いて対向させるように載置してもよ
(ゝ。
長装置においてウェハをサセプタ上に載置するのと同様
にウェハを加熱部内壁上に載置するようにしてもよいし
、また加熱部内に別に支持部材を設けてこの上に載置し
てもよく、さらにまたウェハの表裏両面の外周近くを除
く大部分ないし全体を加熱部の対向する2面の内壁に対
しそれぞれ間隔を置いて対向させるように載置してもよ
(ゝ。
(作 用)
ウェハは、偏平な筒状の加熱部内に載置され、加熱部の
内壁からの熱伝導と輻射による加熱または実質的に輻射
のみによる加熱を表裏および周囲から受ける。このとき
、加熱部はウェハの表裏に対応する外周面部分のみなら
ず側方部分をも含む実質的に全外周面を加熱されるため
、加熱部内部は中央から端部までエリ均一な温度となり
、該加熱部の内部空間の特にガス流と直交する方向の幅
全ウニ・・の直径に近付けてもウニ・・全体を高精度で
均一に加熱する。
内壁からの熱伝導と輻射による加熱または実質的に輻射
のみによる加熱を表裏および周囲から受ける。このとき
、加熱部はウェハの表裏に対応する外周面部分のみなら
ず側方部分をも含む実質的に全外周面を加熱されるため
、加熱部内部は中央から端部までエリ均一な温度となり
、該加熱部の内部空間の特にガス流と直交する方向の幅
全ウニ・・の直径に近付けてもウニ・・全体を高精度で
均一に加熱する。
加熱部内N空間の高さは、できるだけ小さな寸法である
ことが好ましく、これにより加熱効率が高まると共にウ
ェハ温度が安定し、さらに反応室全体の断面積を小さく
できるため、ガスの有効利用と使用量の低減が図られる
。
ことが好ましく、これにより加熱効率が高まると共にウ
ェハ温度が安定し、さらに反応室全体の断面積を小さく
できるため、ガスの有効利用と使用量の低減が図られる
。
(実施例)
以下本発明の一実施例金示す第1図および第2図を参照
して説明する。11は、反応室10を形成する石英ガラ
ス製の反応容器で、横断面形状が第2図に示すように偏
平角筒状をしており、第1図において左端のフランジ部
11a k締付は板12で締付けることにより装置フレ
ーム13に固定されている。
して説明する。11は、反応室10を形成する石英ガラ
ス製の反応容器で、横断面形状が第2図に示すように偏
平角筒状をしており、第1図において左端のフランジ部
11a k締付は板12で締付けることにより装置フレ
ーム13に固定されている。
締付は板12には、反応容器11の内壁と略一致する穴
12aが明けられ、この穴12aにステンレス鋼製のガ
ス供給部材14が嵌着されている。ガス供給部材14の
中央には、反応ガスおよびパージガスを供給するための
偏平な段付き穴15が明けられると共に、締付は板12
との係合部外周にはパージガス全供給するための環状溝
16が設けられている。前記段付き穴15および環状溝
16には、締付は板12に設けた流路17 、18を介
して第1.第2配管19゜20から反応ガスまたはパー
ジガスが供給されるようになっている。
12aが明けられ、この穴12aにステンレス鋼製のガ
ス供給部材14が嵌着されている。ガス供給部材14の
中央には、反応ガスおよびパージガスを供給するための
偏平な段付き穴15が明けられると共に、締付は板12
との係合部外周にはパージガス全供給するための環状溝
16が設けられている。前記段付き穴15および環状溝
16には、締付は板12に設けた流路17 、18を介
して第1.第2配管19゜20から反応ガスまたはパー
ジガスが供給されるようになっている。
締付は板12の第1図において左端には、フタ21が着
脱可能に取付けられ1、このフタ211Cよりて前記段
付き人15の左端側を密閉するようになっている。フタ
21には、段付き穴15の段部に対応すべ(複数本のロ
ッド22ヲ介して整流板23が取付けられている。この
整流板23は多数の小孔を有するパンチメタル状のもの
である。
脱可能に取付けられ1、このフタ211Cよりて前記段
付き人15の左端側を密閉するようになっている。フタ
21には、段付き穴15の段部に対応すべ(複数本のロ
ッド22ヲ介して整流板23が取付けられている。この
整流板23は多数の小孔を有するパンチメタル状のもの
である。
段付き穴15の第1図において右端には、石英ガラス製
の偏平なガス導入管24が接続されている。
の偏平なガス導入管24が接続されている。
また、ガス供給部材14には、環状溝16を反応室lO
の内壁とガス導入管24の外周との間の空間に接続させ
る多数のガス導入口25が明けられている。
の内壁とガス導入管24の外周との間の空間に接続させ
る多数のガス導入口25が明けられている。
反応室10内には、カーボン製で表面にSiCコートを
施こした加熱部26が石英ガラス製のトレイ27を介し
て設置されている。この加熱部26は、第1図において
左右方向に伸びる断面U状(第2図参照)の下船熱体2
6aと、この上にかぶせられる上船熱体26bとからな
り、全体として偏平な角筒状をし、底面上にウニ・・w
6載置するよ5になっている。なお、この加熱部26は
一体形成してもよいし、また上下左右に4分割してもよ
いなど、適宜に形成できる。この加熱部26ば、上船熱
体26bが水平であるとき、下船熱体26aの底壁は第
1図において左より右が2°程度高(なるように勾配を
付与されている。加熱部26の第1図において左側の開
口は、上記ガス導入管24に若干すき間を有するように
接続され、右側の開口は、反応容器11の右端の排気口
28に向けて開放されている。ここに、前記段付き穴1
5、ガス導入管24ならびに加熱部26の内部横断面形
状は略一致するように形成されている。
施こした加熱部26が石英ガラス製のトレイ27を介し
て設置されている。この加熱部26は、第1図において
左右方向に伸びる断面U状(第2図参照)の下船熱体2
6aと、この上にかぶせられる上船熱体26bとからな
り、全体として偏平な角筒状をし、底面上にウニ・・w
6載置するよ5になっている。なお、この加熱部26は
一体形成してもよいし、また上下左右に4分割してもよ
いなど、適宜に形成できる。この加熱部26ば、上船熱
体26bが水平であるとき、下船熱体26aの底壁は第
1図において左より右が2°程度高(なるように勾配を
付与されている。加熱部26の第1図において左側の開
口は、上記ガス導入管24に若干すき間を有するように
接続され、右側の開口は、反応容器11の右端の排気口
28に向けて開放されている。ここに、前記段付き穴1
5、ガス導入管24ならびに加熱部26の内部横断面形
状は略一致するように形成されている。
反応容器11の周囲はカバー29で被われ、その内部の
加熱部26に対向する部分に輻射加熱手段30゜31.
32.33 (第2図参照)が設けられている。
加熱部26に対向する部分に輻射加熱手段30゜31.
32.33 (第2図参照)が設けられている。
第1,2図において、上下に位置する輻射加熱手段30
、31は加熱部26の上下の外周面に対向し、棒状の
赤外線ランプ34t−第2図において左右方向に向け、
第1図において左右方向に間隔を置いて複数本配列され
ている。これらの複数本の赤外線ラング34は第1図に
おいて、2本づつ左、中央。
、31は加熱部26の上下の外周面に対向し、棒状の
赤外線ランプ34t−第2図において左右方向に向け、
第1図において左右方向に間隔を置いて複数本配列され
ている。これらの複数本の赤外線ラング34は第1図に
おいて、2本づつ左、中央。
右に3区分されて出力調整可能になされている。
t yk、第2図において、加熱部26の左右の外周面
に対向している輻射加熱手段32 、33は、棒状の赤
外線ランプ34ヲ左右の外周面の長手方向に沿うように
取付けられている。
に対向している輻射加熱手段32 、33は、棒状の赤
外線ランプ34ヲ左右の外周面の長手方向に沿うように
取付けられている。
それぞれの赤外線う/グ34は反射と冷却機能を有する
ランプハウジング35にそれぞれ取付けられ℃おり、各
供給ポート36から冷却空気を供給され、ランプハウジ
ング35、赤外線ランプ34および反応容器11ヲ冷却
するようになっている。また、カバー29の第1図にお
いて右端寄りにも供給ボート37が設けられ、冷却空気
をカバー29内すなわち反応容器11の周囲に供給する
ようになっている。なお、第1図においてカバー29の
左端寄りIcは排気ボー138が設けられている。
ランプハウジング35にそれぞれ取付けられ℃おり、各
供給ポート36から冷却空気を供給され、ランプハウジ
ング35、赤外線ランプ34および反応容器11ヲ冷却
するようになっている。また、カバー29の第1図にお
いて右端寄りにも供給ボート37が設けられ、冷却空気
をカバー29内すなわち反応容器11の周囲に供給する
ようになっている。なお、第1図においてカバー29の
左端寄りIcは排気ボー138が設けられている。
次いで本装置の作用について説明する。ウニ・・Wの搬
出入は、フタ21ヲ外して行なう。フタ21ヲ外すこと
により段付き穴15の段部にあった整流板23が外され
、段付き穴15、ガス導入管24ヲ介して加熱部26の
内部空間が第1図において左端側に開放される。そこで
、段付き穴15側から図示しない搬送装置によシウエハ
Wの搬出入を行なう。
出入は、フタ21ヲ外して行なう。フタ21ヲ外すこと
により段付き穴15の段部にあった整流板23が外され
、段付き穴15、ガス導入管24ヲ介して加熱部26の
内部空間が第1図において左端側に開放される。そこで
、段付き穴15側から図示しない搬送装置によシウエハ
Wの搬出入を行なう。
ウェハWを搬入したならば、第1.第2配管19、20
から共にN2ガス、 N2ガス等のパージガスを供給し
、輻射加熱手段30〜33によって昇温を開始する。こ
の加熱において、加熱部26の第1図において左右(長
手)方向の温度分布は、輻射加熱手段30 、31の各
赤外線う/プ34の出力を左、中央、右の各区分毎に調
整することによって均一化し、他方、加熱部26の第2
図において左右(幅)方向の温度分布は、輻射加熱手段
32 、33の出力全調整することによって均一になさ
れる。また、第1,2図に示すように、ウェハw2加熱
部26の底壁上に直接載置する場合には、ウェハWの裏
面は実質的に熱伝導によって加熱され、表面は加熱部2
6の上内壁からの輻射によって加熱されるため、上下の
輻射加熱手段30 、31の出力を独立して調整し、ウ
ェハWの表裏の温度差をより小さく押えることが好まし
い。なお、左右の輻射加熱手段32.33も別々に出力
を調整できるようにしておくことが好ましい。
から共にN2ガス、 N2ガス等のパージガスを供給し
、輻射加熱手段30〜33によって昇温を開始する。こ
の加熱において、加熱部26の第1図において左右(長
手)方向の温度分布は、輻射加熱手段30 、31の各
赤外線う/プ34の出力を左、中央、右の各区分毎に調
整することによって均一化し、他方、加熱部26の第2
図において左右(幅)方向の温度分布は、輻射加熱手段
32 、33の出力全調整することによって均一になさ
れる。また、第1,2図に示すように、ウェハw2加熱
部26の底壁上に直接載置する場合には、ウェハWの裏
面は実質的に熱伝導によって加熱され、表面は加熱部2
6の上内壁からの輻射によって加熱されるため、上下の
輻射加熱手段30 、31の出力を独立して調整し、ウ
ェハWの表裏の温度差をより小さく押えることが好まし
い。なお、左右の輻射加熱手段32.33も別々に出力
を調整できるようにしておくことが好ましい。
加熱部26が気相成長温度に達したならば、Hzガラス
変えて反応ガスを第1配管19から供給し、段付き穴1
5、整流板26、ガス導入管24ヲ介して加熱部26内
に層流で反応ガスを流して、ウェハWの表面に気相成長
を行なう。他方、第2配管18からはパージガスとして
のH2ガスを供給し続け、反応ガスが直接反応容器11
の内壁に接触することを極力防止する。なお、ガス供給
部材14および加熱部26とガス導入管24との接続は
、熱膨張の関係などから若干すき間金有するように形成
されているため、この接続部から反応ガスが漏れ出すが
、その量はわずかであり、反応容器11の内壁に沿って
パージガスが流れているため、反応容器11の内壁にウ
オールデポを生じることはほとんどない。
変えて反応ガスを第1配管19から供給し、段付き穴1
5、整流板26、ガス導入管24ヲ介して加熱部26内
に層流で反応ガスを流して、ウェハWの表面に気相成長
を行なう。他方、第2配管18からはパージガスとして
のH2ガスを供給し続け、反応ガスが直接反応容器11
の内壁に接触することを極力防止する。なお、ガス供給
部材14および加熱部26とガス導入管24との接続は
、熱膨張の関係などから若干すき間金有するように形成
されているため、この接続部から反応ガスが漏れ出すが
、その量はわずかであり、反応容器11の内壁に沿って
パージガスが流れているため、反応容器11の内壁にウ
オールデポを生じることはほとんどない。
前記加熱部26内を流れる反応ガスによる気相成長は、
加熱部26の内部空間が比較的狭く囲まれ、均一な温度
分布になされているため、ウエノ・Wは全体がより均一
に加熱され、スリップを生じないと共に膜厚分布も均一
になり、かつより少ない反応ガスによって効率のよい気
相成長が行なわれる。
加熱部26の内部空間が比較的狭く囲まれ、均一な温度
分布になされているため、ウエノ・Wは全体がより均一
に加熱され、スリップを生じないと共に膜厚分布も均一
になり、かつより少ない反応ガスによって効率のよい気
相成長が行なわれる。
また、加熱部26の断面形状の小形化により反応容器1
1の断面形状も小形になり、そのため、第2配管20か
も供給するパージガスの流量も少な(できる。
1の断面形状も小形になり、そのため、第2配管20か
も供給するパージガスの流量も少な(できる。
第3図は、本発明の他の実施例の要部を示すもので、加
熱部26の内部空間の高さを低くし、かつ底面にはウェ
ハWの外周付近のみを支持する浅い段部40ヲ有する深
いザグリ41ヲ設け、ウェハWの表裏両面のほぼ全体を
輻射によって加熱するようイ91 にしたものである。また、この実施では、ガス導入管2
4ヲ加熱部26の左端外周に若干すき間を持たせて係合
させたものである。この、実施例によれば、ウェハWの
表裏両面が共に輻射加熱されるため、容易にウェハWの
均一加熱が可能である。
熱部26の内部空間の高さを低くし、かつ底面にはウェ
ハWの外周付近のみを支持する浅い段部40ヲ有する深
いザグリ41ヲ設け、ウェハWの表裏両面のほぼ全体を
輻射によって加熱するようイ91 にしたものである。また、この実施では、ガス導入管2
4ヲ加熱部26の左端外周に若干すき間を持たせて係合
させたものである。この、実施例によれば、ウェハWの
表裏両面が共に輻射加熱されるため、容易にウェハWの
均一加熱が可能である。
第4図は、本発明のさらに他の実施例の要部を示すもの
で、加熱部26内にSiCコーティングしたカーボンま
たは石英ガラス製の支持部材42全設け、この上にウェ
ハw6載置したもので、これによりても第1,2図に示
した実施例と同様の気相成長を行なうことができる。
で、加熱部26内にSiCコーティングしたカーボンま
たは石英ガラス製の支持部材42全設け、この上にウェ
ハw6載置したもので、これによりても第1,2図に示
した実施例と同様の気相成長を行なうことができる。
前述した実施例は、ガス導入管24ヲ石英ガラス製とし
た例を示したがSiCコーティングしたカーボン製とし
てもよい。なお、このガス導入管24は第5図に示すよ
うに省略してもよい。この場合は反応容器11ヲより強
く冷却することによりウオールデボを押えることができ
る。またこの実施例においては、支持部材42または加
熱部26ヲ反応容器11外へ搬出してウェハWの搬出入
を行なうことが可能となる。
た例を示したがSiCコーティングしたカーボン製とし
てもよい。なお、このガス導入管24は第5図に示すよ
うに省略してもよい。この場合は反応容器11ヲより強
く冷却することによりウオールデボを押えることができ
る。またこの実施例においては、支持部材42または加
熱部26ヲ反応容器11外へ搬出してウェハWの搬出入
を行なうことが可能となる。
また、加熱部26と排気口28の間に図示しないガス導
出管を置き、ガスの乱れをより確実に押えるようにして
もよい。さらにまた、加熱部26は必ずしも水平である
必要はなく、長手方向または幅方向を上下にして立てて
もよく、またウェハWの載置は上記実施例のほかに、加
熱部26の底面上に石英ガラスやSiCコーティングカ
ーボン製のリングを置くことにより、ウェハWの表裏両
面の外周近くを除く大部分ないし全体が加熱部26の対
向する2面の内壁に対しそれぞれ間隔装置いて対向する
ようにし、第3図に示した実施例と同様に表裏両面全伝
導によらずに7輻射加熱するようにしてもよ(ゝ。
出管を置き、ガスの乱れをより確実に押えるようにして
もよい。さらにまた、加熱部26は必ずしも水平である
必要はなく、長手方向または幅方向を上下にして立てて
もよく、またウェハWの載置は上記実施例のほかに、加
熱部26の底面上に石英ガラスやSiCコーティングカ
ーボン製のリングを置くことにより、ウェハWの表裏両
面の外周近くを除く大部分ないし全体が加熱部26の対
向する2面の内壁に対しそれぞれ間隔装置いて対向する
ようにし、第3図に示した実施例と同様に表裏両面全伝
導によらずに7輻射加熱するようにしてもよ(ゝ。
次に、上記第1図および第2図に示した装置による実験
結果を示す。加熱部26のガス導入側の外形寸法を幅2
12鰭、高さ30m、長さ23oIIDIで缶壁の厚さ
6flとし、ガス排気側に向って底面が2゜高くなるよ
うにした。底面にはウェハW2載置するザグリを1つ設
け、この中に6インチのSi ウニ・・Wk1枚載置
した。赤外線う/プ34は、第2各 図において上下を各6本、左右を1本とし、加熱^ 部26の内壁の温度を熱電対で測定しつつ前記赤外線ラ
ンプ34の出力調整を行なって、1100℃に加熱した
。この結果、加熱部26の長手方向および幅方向のいず
れにおい℃もほぼ全体にわたって均一な温度分布が得ら
れた。
結果を示す。加熱部26のガス導入側の外形寸法を幅2
12鰭、高さ30m、長さ23oIIDIで缶壁の厚さ
6flとし、ガス排気側に向って底面が2゜高くなるよ
うにした。底面にはウェハW2載置するザグリを1つ設
け、この中に6インチのSi ウニ・・Wk1枚載置
した。赤外線う/プ34は、第2各 図において上下を各6本、左右を1本とし、加熱^ 部26の内壁の温度を熱電対で測定しつつ前記赤外線ラ
ンプ34の出力調整を行なって、1100℃に加熱した
。この結果、加熱部26の長手方向および幅方向のいず
れにおい℃もほぼ全体にわたって均一な温度分布が得ら
れた。
また、上記加熱状態において、第1配管19から5iH
2CI2 : H2が0.5 : 100 の反応ガ
ス全20t/minで供給すると共に、第2配管20か
らH2ガスklO6/minで供給して気相成長を行な
った結果、膜成長速度は約1μ/min、膜厚分布誤差
は約2%であり、スIJ 7プは肉眼検査はもちろん顕
微鏡検査でも見られなかった。
2CI2 : H2が0.5 : 100 の反応ガ
ス全20t/minで供給すると共に、第2配管20か
らH2ガスklO6/minで供給して気相成長を行な
った結果、膜成長速度は約1μ/min、膜厚分布誤差
は約2%であり、スIJ 7プは肉眼検査はもちろん顕
微鏡検査でも見られなかった。
さらにまた、反応容器11には、ウオールデボを全く生
じず、ガス導入管24の加熱部26寄りに若干ウオール
デポを生じた程度であった。
じず、ガス導入管24の加熱部26寄りに若干ウオール
デポを生じた程度であった。
以上述べたように本発明によれば、小型の装置で6イン
チウェハのような比較的大径のウェハに対し高品位の気
相成長を行なうことができ、装置の小形化により加熱エ
ネルギやガス使用量を低く押えてランニングコストを下
げることができる。
チウェハのような比較的大径のウェハに対し高品位の気
相成長を行なうことができ、装置の小形化により加熱エ
ネルギやガス使用量を低く押えてランニングコストを下
げることができる。
なお、加熱部を実質的に偏平な角筒状とすれば幅方向の
ガス流量の均一性を阻害することなく加熱部をより薄く
して加熱効率を高めることができる。
ガス流量の均一性を阻害することなく加熱部をより薄く
して加熱効率を高めることができる。
また、実質的に角筒状の場合は外周4面にそれぞれ対応
して輻射加熱手段を設けることによって加熱部の幅方向
の温度分布を均一化できる。さらにまた、ウェハは加熱
部に直接または間接のいずれによって載置してもよいが
、ウニ・・の表裏両面の外周近くを除く大部分ないし全
体が加熱部内壁に対して間隔を有するようにすれば、表
裏の温度差をより小さくできる。
して輻射加熱手段を設けることによって加熱部の幅方向
の温度分布を均一化できる。さらにまた、ウェハは加熱
部に直接または間接のいずれによって載置してもよいが
、ウニ・・の表裏両面の外周近くを除く大部分ないし全
体が加熱部内壁に対して間隔を有するようにすれば、表
裏の温度差をより小さくできる。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は第
1図のII−I線による横断面図、第3図ないし第5図
は本発明のそれぞれ異なる他の実施例を示す要部縦断面
図である。 10・・・・・・反応室、 11・・・・・・反応容器
、 14・・・・・・ガス供給部材、 23・・・・・
・整流板、 24・・・・・・ガス導入管、 25・・
・・・・ガス導入口、 26・・・・・・加熱部、28
・・・・・・排気口、 30 、31 、32 、33
・・・・・・輻射加熱手段、 34・・・・・・赤外線
ラング、 42・・・・・・支持部材、W・・・・・・
ウェハ。
1図のII−I線による横断面図、第3図ないし第5図
は本発明のそれぞれ異なる他の実施例を示す要部縦断面
図である。 10・・・・・・反応室、 11・・・・・・反応容器
、 14・・・・・・ガス供給部材、 23・・・・・
・整流板、 24・・・・・・ガス導入管、 25・・
・・・・ガス導入口、 26・・・・・・加熱部、28
・・・・・・排気口、 30 、31 、32 、33
・・・・・・輻射加熱手段、 34・・・・・・赤外線
ラング、 42・・・・・・支持部材、W・・・・・・
ウェハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、反応室の外壁を強制冷却するコールドウォール式の
気相成長装置において、反応室内に配置され一方をガス
導入側とし他方を排気側とする開口を有し内部にウエハ
を直接または間接的に載置する偏平な筒状の加熱部と、
同加熱部の全外周面を加熱するように前記反応室外に設
けられた輻射加熱手段とを備え、少なくとも前記加熱部
内に反応ガスを流すようにしたことを特徴とする気相成
長装置。 2、加熱部が偏平な角筒状であり、輻射加熱手段が前記
角筒状部の外周4面にそれぞれ対応して設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。 3、ウエハが加熱部の内壁上に直接載置されるようにな
っていることを特徴とする請求項1または2記載の気相
成長装置。 4、加熱部内にウェハの支持部材が設けられていること
を特徴とする請求項1または2記載の気相成長装置。 5、ウエハの表裏両面の外周近くを除く大部分ないし全
体が、加熱部の対向する2面の内壁に対しそれぞれ間隔
を置いて対向するようにウェハを加熱部内に載置するよ
うになっていることを特徴とする請求項1、2、3また
は4記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15770188A JPH027419A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15770188A JPH027419A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027419A true JPH027419A (ja) | 1990-01-11 |
JPH0532902B2 JPH0532902B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=15655489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15770188A Granted JPH027419A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027419A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1027759A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、減圧cvd装置、および薄膜装置の製造方法 |
US6215072B1 (en) * | 1993-10-21 | 2001-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing an oxide superconducting conductor |
US6313408B1 (en) * | 1993-05-07 | 2001-11-06 | Sumitomo Electric Indusstries, Inc | High TC superconducting cable conductor employing oxide superconductor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5130477A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-15 | Kokusai Electric Co Ltd | Kisoseichosochi |
JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
JPS5842225A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 外熱形の横型半導体気相成長装置 |
JPS5950093A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 拡散炉型減圧気相成長装置 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15770188A patent/JPH027419A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5130477A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-15 | Kokusai Electric Co Ltd | Kisoseichosochi |
JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
JPS5842225A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 外熱形の横型半導体気相成長装置 |
JPS5950093A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 拡散炉型減圧気相成長装置 |
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US6313408B1 (en) * | 1993-05-07 | 2001-11-06 | Sumitomo Electric Indusstries, Inc | High TC superconducting cable conductor employing oxide superconductor |
US6215072B1 (en) * | 1993-10-21 | 2001-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing an oxide superconducting conductor |
JPH1027759A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、減圧cvd装置、および薄膜装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0532902B2 (ja) | 1993-05-18 |
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