JPH02114522A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPH02114522A JPH02114522A JP63267382A JP26738288A JPH02114522A JP H02114522 A JPH02114522 A JP H02114522A JP 63267382 A JP63267382 A JP 63267382A JP 26738288 A JP26738288 A JP 26738288A JP H02114522 A JPH02114522 A JP H02114522A
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- JP
- Japan
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- stage
- semiconductor wafer
- light source
- wafer
- source lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するウェハ処理装
置に関する。
置に関する。
従来、この種のウェハ処理装置は第６図に示すように構
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものは処理室２内に設けられ光
線を照射する光源ランプ、３はこの光源ランプ１からの
光線を拡散反射するプレート、４はこのプレート３の下
方に設けられかつ前記処理室ｚ内に収納され半導体ウエ
ノ＼５を保持するステージである。
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものは処理室２内に設けられ光
線を照射する光源ランプ、３はこの光源ランプ１からの
光線を拡散反射するプレート、４はこのプレート３の下
方に設けられかつ前記処理室ｚ内に収納され半導体ウエ
ノ＼５を保持するステージである。
このように構成されたウェハ処理装置においては、搬送
装置（図示せず）あるいは人手によって半導体ウェハ５
を第７図に矢印Ａで示す方向に搬送してステージ４上に
載置した後、光源ランプｌによって半導体ウェハ５の表
面に照射することによりウェハ処理が施される。この場
合、プレート３によって光源ランプ１からの光線が半導
体装置ハ５に均一に照射される。
装置（図示せず）あるいは人手によって半導体ウェハ５
を第７図に矢印Ａで示す方向に搬送してステージ４上に
載置した後、光源ランプｌによって半導体ウェハ５の表
面に照射することによりウェハ処理が施される。この場
合、プレート３によって光源ランプ１からの光線が半導
体装置ハ５に均一に照射される。
ところで、この種のウェハ処理装置においては、光源ラ
ンプ１から放たれる照射光がもつ熱エネルギーによって
半導体ウェハ５に熱ダメージが生じており、このため熱
ダメージの低減に光源ランプｌの光出力を抑制する必要
があった。この結果、ウェハ処理時間に多大の時間を費
やし、生産性が低下するという問題があった。
ンプ１から放たれる照射光がもつ熱エネルギーによって
半導体ウェハ５に熱ダメージが生じており、このため熱
ダメージの低減に光源ランプｌの光出力を抑制する必要
があった。この結果、ウェハ処理時間に多大の時間を費
やし、生産性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェ
ハ処理時間の短縮化を図ることができ、もって生産性を
向上させることができるウェハ処理装置を提供するもの
である。
ハ処理時間の短縮化を図ることができ、もって生産性を
向上させることができるウェハ処理装置を提供するもの
である。
本発明に係るウェハ処理装置は、半導体ウェハに光線を
照射する光源ランプと、この光源ランプの照射方向に設
けられ半導体ウェハを保持するステージとを備え、この
ステージに冷却媒体を流す通路を設けたものである。
照射する光源ランプと、この光源ランプの照射方向に設
けられ半導体ウェハを保持するステージとを備え、この
ステージに冷却媒体を流す通路を設けたものである。
また、本発明の別の発明に係ろウェハ処理装置は、半導
体ウェハに光線を照射する光源ランプと、この光源ラン
プの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持するステー
ジとを備え、このステージの上方に半導体ウェハに冷却
媒体を吹き付ける吹出口を設けたものである。
体ウェハに光線を照射する光源ランプと、この光源ラン
プの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持するステー
ジとを備え、このステージの上方に半導体ウェハに冷却
媒体を吹き付ける吹出口を設けたものである。
さらに、本発明の別の発明に係るウェハ処理装置は、半
導体ウェハに光線を照射する光源ランプと、この光源ラ
ンプの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持するステ
ージとを備え、このステージと光源ランプとの間に特定
波長の光線を透過するフィルタを設けたものである。
導体ウェハに光線を照射する光源ランプと、この光源ラ
ンプの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持するステ
ージとを備え、このステージと光源ランプとの間に特定
波長の光線を透過するフィルタを設けたものである。
本発明においては、ウェハ処理時に半導体ウェハに対す
る熱ダメージを低減するために光源ランプの光出力を抑
制することが不要になる。
る熱ダメージを低減するために光源ランプの光出力を抑
制することが不要になる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係るウェハ処理装置を示す断面図、第
２図および第３図は同じく本発明におけるウェハ処理装
置のステージを示す断面図で、同図以下において第６図
および第７図と同一の部材については同一の符号を付し
、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１で示
すものは半導体ウェハ５を゛保持するステージで、前記
プレート３の下方すなわち前記光源ランプ１の照射方向
に設けられ、かつ前記処理室２内に収納されている。
２図および第３図は同じく本発明におけるウェハ処理装
置のステージを示す断面図で、同図以下において第６図
および第７図と同一の部材については同一の符号を付し
、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１で示
すものは半導体ウェハ５を゛保持するステージで、前記
プレート３の下方すなわち前記光源ランプ１の照射方向
に設けられ、かつ前記処理室２内に収納されている。
このステージ１１には、上面に開口する吸気孔１２およ
びこの吸気孔１２に連通する通路１３が設けられている
。そして、このステージ１１は、前記通路１３が配管（
図示せず）を介して吸気装置（図示せず）に接続されて
おり、これにより半導体ウェハ５を真空吸着保持するよ
うに構成されている。１４は冷却媒体を流す通路として
の配管で、前記ステージ１１に設けられている。これに
より、半導体ウェハ５の処理温度が所定の温度に保持さ
れる。なお、第２図中矢印Ｂは吸気方向を示す。
びこの吸気孔１２に連通する通路１３が設けられている
。そして、このステージ１１は、前記通路１３が配管（
図示せず）を介して吸気装置（図示せず）に接続されて
おり、これにより半導体ウェハ５を真空吸着保持するよ
うに構成されている。１４は冷却媒体を流す通路として
の配管で、前記ステージ１１に設けられている。これに
より、半導体ウェハ５の処理温度が所定の温度に保持さ
れる。なお、第２図中矢印Ｂは吸気方向を示す。
このように構成されたウェハ処理装置においては、光源
ランプ１の光線照射時に第３図に矢印Ｃで示すように配
管１４内に冷却媒体を常時供給することにより、ステー
ジ１１上の半導体ウェハ５に対する温度を所定の温度に
保持することができる。
ランプ１の光線照射時に第３図に矢印Ｃで示すように配
管１４内に冷却媒体を常時供給することにより、ステー
ジ１１上の半導体ウェハ５に対する温度を所定の温度に
保持することができる。
すなわち、半導体ウェハ５は、配管１４内の冷却媒体に
よってステージ１１を介して間接的に冷却されるのであ
る。この場合、冷却媒体として冷却水を使用したが、空
気等の気体や油等の液体を使用してもよいことは勿論で
ある。
よってステージ１１を介して間接的に冷却されるのであ
る。この場合、冷却媒体として冷却水を使用したが、空
気等の気体や油等の液体を使用してもよいことは勿論で
ある。
したがって、本発明においては、半導体ウェハ５に対す
る熱ダメージを低減するために、光源ランプ１の光出力
を抑制することが不要になる。
る熱ダメージを低減するために、光源ランプ１の光出力
を抑制することが不要になる。
なお、本発明においては、半導体ウェハ５に対する雰囲
気温度を所定の温度に保持するに、配管１４内の冷却媒
体によりステージ１１を冷却して行うもの示したが、第
４図に矢印りで示すように半導体ウェハ５に冷却媒体を
処理室２内の上方中央部から直接吹き付けるものであっ
ても実施例と同様の効果を奏する。ここで、符号２１で
示すものは冷却媒体を処理室２内に供給する送風機、２
２はこの送風機２１によって冷却媒体が流れる配管、２
３は光源ランプ１とステージ１１との間に設けられ配管
２２内の冷却媒体を清浄化するフィルタ、２４は前記ス
テージ１１の上方に設けられ半導体ウェハ５に冷却媒体
を直接吹き付ける吹出口である。また、２５は排気ファ
ン、２６は排気管である。なお、図中符号Ｅは排気方向
を示す。
気温度を所定の温度に保持するに、配管１４内の冷却媒
体によりステージ１１を冷却して行うもの示したが、第
４図に矢印りで示すように半導体ウェハ５に冷却媒体を
処理室２内の上方中央部から直接吹き付けるものであっ
ても実施例と同様の効果を奏する。ここで、符号２１で
示すものは冷却媒体を処理室２内に供給する送風機、２
２はこの送風機２１によって冷却媒体が流れる配管、２
３は光源ランプ１とステージ１１との間に設けられ配管
２２内の冷却媒体を清浄化するフィルタ、２４は前記ス
テージ１１の上方に設けられ半導体ウェハ５に冷却媒体
を直接吹き付ける吹出口である。また、２５は排気ファ
ン、２６は排気管である。なお、図中符号Ｅは排気方向
を示す。
このように構成されたウェハ処理装置においては、送風
機２１によって吹出口２４から冷却媒体をステージ１１
上の半導体ウェハ５に供給して直接冷却することができ
る。この場合、冷却媒体を供給する吹出口２４の設定位
置は、前述した実施例に限定されるものでない。
機２１によって吹出口２４から冷却媒体をステージ１１
上の半導体ウェハ５に供給して直接冷却することができ
る。この場合、冷却媒体を供給する吹出口２４の設定位
置は、前述した実施例に限定されるものでない。
この他、第５図に示すように、ウェハ処理に必要な特定
波長をもつ光線が透過するプレート状のフィルタ３１を
処理室２内に設けてもよい。この場合、フィルタ３１に
よって熱エネルギーが遮断されるため、フィルタ３１の
下方に保持された半導体ウェハ５の温度を所定の温度に
保持することができる。
波長をもつ光線が透過するプレート状のフィルタ３１を
処理室２内に設けてもよい。この場合、フィルタ３１に
よって熱エネルギーが遮断されるため、フィルタ３１の
下方に保持された半導体ウェハ５の温度を所定の温度に
保持することができる。
以上説明したように本発明によれば、ステージ上の半導
体ウェハの温度を所定の温度に保持できるようにしたか
ら、ウェハ処理時に半導体ウェハに対する熱ダメージを
低減するに光源ランプの光出力を抑制する必要がなくな
る。したがって、ウェハ処理時間の短縮化を図ることが
できるから、生産性を確実に向上させることができる。
体ウェハの温度を所定の温度に保持できるようにしたか
ら、ウェハ処理時に半導体ウェハに対する熱ダメージを
低減するに光源ランプの光出力を抑制する必要がなくな
る。したがって、ウェハ処理時間の短縮化を図ることが
できるから、生産性を確実に向上させることができる。
第１図は本発明に係るウェハ処理装置を示す断面図、第
２図および第３図は同じく本発明におけるウェハ処理装
置のステージを示す断面図、第４図および第５図は本発
明の別の発明に係るウェハ処理装置を示す断面図、第６
図は従来のウェハ処理装置を示す断面図、第７図はその
ウェハ処理装置におけるステージを示す斜視図である。 ■・・・・光源ランプ、２・・・・処理室、３・・・・
プレート、５・・・・半導体ウェハ、１１・・・・ステ
ージ、１４・・・・配管、２４・・・・吹出口、３１・
・・・フィルタ。 代 理 人 大岩増雄 第１図 第４図 第２図 第 ５ 図
２図および第３図は同じく本発明におけるウェハ処理装
置のステージを示す断面図、第４図および第５図は本発
明の別の発明に係るウェハ処理装置を示す断面図、第６
図は従来のウェハ処理装置を示す断面図、第７図はその
ウェハ処理装置におけるステージを示す斜視図である。 ■・・・・光源ランプ、２・・・・処理室、３・・・・
プレート、５・・・・半導体ウェハ、１１・・・・ステ
ージ、１４・・・・配管、２４・・・・吹出口、３１・
・・・フィルタ。 代 理 人 大岩増雄 第１図 第４図 第２図 第 ５ 図
Claims (3)
- （１）半導体ウェハに光線を照射する光源ランプと、こ
の光源ランプの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持
するステージとを備え、このステージに冷却媒体を流す
通路を設けたことを特徴とするウェハ処理装置。 - （２）半導体ウェハに光線を照射する光源ランプと、こ
の光源ランプの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持
するステージとを備え、このステージの上方に半導体ウ
ェハに冷却媒体を吹き付ける吹出口を設けたことを特徴
とするウェハ処理装置。 - （３）半導体ウェハに光線を照射する光源ランプと、こ
の光源ランプの照射方向に設けられ半導体ウェハを保持
するステージとを備え、このステージと前記光源ランプ
との間に特定波長の光線を透過するフィルタを設けたこ
とを特徴とするウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267382A JPH02114522A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267382A JPH02114522A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114522A true JPH02114522A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17444068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63267382A Pending JPH02114522A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202930A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07265563A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-17 | Takashimaya Nippatsu Kogyo Kk | 座席カバー引込布の折り畳み装置 |
| JP4135552B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-08-20 | 株式会社デンソー | 車両事故状況記憶装置 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63267382A patent/JPH02114522A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07265563A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-17 | Takashimaya Nippatsu Kogyo Kk | 座席カバー引込布の折り畳み装置 |
| JP4135552B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-08-20 | 株式会社デンソー | 車両事故状況記憶装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202930A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
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