JPH10135125A - ガス処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】パーティクルの付着や処理の不均一等が生じ
ず、良好なガス処理を行うことができるガス処理方法お
よび装置を提供すること。 【解決手段】処理室71内の被処理体Wの中央部に、被処
理体Wに対して垂直に処理ガスを供給してガス処理を実
施する工程と、ガス処理終了後、処理室71内に被処理体
Wに対して処理ガスよりも傾いた角度で置換ガスを供給
する工程と、処理ガスを供給する際および置換ガスを供
給する際に、処理室71内を排気する工程とによりガス処
理が終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の被処理体に対してアドヒージョン処
理のようなガス処理を施すガス処理方法および装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコン基板に代表される半導体ウエハに対し、処理液
例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト
膜を露光し、これを現像処理する一連の処理を施す工程
が存在する。

【０００３】このような塗布・現像を行う処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハをカセットから搬出
し、カセットへ搬入するカセット・ステーションと、ウ
エハを洗浄する洗浄ユニットと、ウエハの表面を疎水化
処理するアドヒージョンユニットと、ウエハを所定温度
に冷却する冷却ユニット、ウエハの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニットと、レジスト液塗布の前
後でウエハを加熱するプリベークまたはポストベークを
行うベーキングユニットと、ウエハの周縁部のレジスト
を除去するための周辺露光ユニットと、隣接する露光装
置との間でウエハの受渡しを行うためのウエハ受渡し台
と、露光処理済みのウエハを現像液に晒してレジストの
感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解せしめる
現像ユニットとを一体に集約化した構成を有しており、
これにより作業の向上を図っている。

【０００４】ところで、このような処理システムにおい
て実施されるアドヒージョン処理は、処理室内に水平に
配置された半導体ウエハにＨＭＤＳガス供給し、熱処理
を行うことにより、親水性の半導体ウエハの表面を疎水
性に変化させる処理であり、具体的には酸化膜基板下地
のＯＨ基結合を化学的に分離し、水分を除去することが
できる。

【０００５】この処理においては、まず半導体ウエハを
載置台上に載置し、処理室内を排気する。次に、処理室
内にＨＭＤＳガスを導入してＨＭＤＳを半導体ウエハに
塗布する。この処理が終了後、ＨＭＤＳ雰囲気が大気中
へ放出されないように、排気機構によりＨＭＤＳを強制
的に排出するとともに、処理室内へＮ２ガスのような置
換ガスを導入し、配管内および処理室内をパージする。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなアドヒージョン処理を行う場合に、置換ガスは比較
的大きな流量で供給するため、供給の仕方によっては、
パーティクルを生じさせるおそれがあり、被処理体であ
る半導体ウエハにパーティクルが付着してしまう可能性
がある。

【０００７】また、半導体ウエハは、載置台に載置され
た後、その周囲に配置された位置決め部材で位置決めさ
れているため、排気の仕方によっては、処理ガスである
ＨＭＤＳガスの流れが不均一になって均一処理をするこ
とができないおそれがある。

【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、パーティクルの付着や処理の不均一等が生じ
ず、良好なガス処理を行うことができるガス処理方法お
よび装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、処理室内の被処理体に対して処理ガス
を供給してガス処理を実施する工程と、ガス処理終了
後、前記処理室内に置換ガスを供給する工程と、前記処
理ガス供給する際および前記置換ガスを供給する際に、
前記処理室内を排気する工程と、を有し、前記処理ガス
と前記置換ガスとを互いに異なる流路を通って供給する
ことを特徴とするガス処理方法を提供する。

【００１０】第２発明は、処理室内の被処理体の中央部
に、被処理体に対して垂直に処理ガスを供給してガス処
理を実施する工程と、ガス処理終了後、前記処理室内に
前記被処理体に対して前記処理ガスよりも傾いた角度で
置換ガスを供給する工程と、前記処理ガスを供給する際
および前記置換ガスを供給する際に、前記処理室内を排
気する工程と、を有することを特徴とするガス処理方法
を提供する。第３発明は、上記いずれかの方法におい
て、前記排気が、前記被処理体よりも上方に設けられた
排出口からなされることを特徴とするガス処理方法を提
供する。

【００１１】第４発明は、処理室と、処理室内に被処理
体を水平に支持する被処理体支持機構と、前記処理室内
の被処理体に、それに対して垂直に処理ガスを供給する
処理ガス供給系と、前記処理ガス供給系よりも傾いた角
度で処理室内に置換ガスを供給する置換ガス供給系と、
処理室内を排気するための排気機構と、を具備すること
を特徴とするガス処理装置を提供する。

【００１２】第５発明は、第４発明の装置において、前
記排気機構が、前記処理室内に被処理体支持機構により
支持された被処理体よりも上方に設けられた排気口を有
することを特徴とするガス処理装置を提供する。

【００１３】第６発明は、処理室と、処理室内に被処理
体を水平に支持する被処理体支持機構と、前記処理室内
の被処理体に、処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内に置換ガスを供給する置換ガス供給系と、
処理室内を排気するための排気機構とを具備し、前記被
処理体支持機構は、基台と、前記被処理体の周囲に前記
被処理体の上方に突出して設けられ、前記被処理体を位
置決めする複数の位置決め部材と、を有し、前記排気機
構は、前記処理室内に被処理体支持機構により支持され
た被処理体よりも上方に設けられた排気口を有すること
を特徴とするガス処理装置を提供する。第７発明は、第
６発明の装置において、前記被処理体支持機構は、前記
基台と前記被処理体との間に間隙を形成するスペーサを
さらに有することを特徴とするガス処理装置を提供す
る。

【００１４】第１発明においては、処理ガスと置換ガス
とを互いに異なる流路を通って供給するので、置換ガス
の流路を被処理体に対して悪影響を及ぼさないように設
定することができる。

【００１５】第２発明および第４発明においては、被処
理体の中央部に、被処理体に対して垂直に処理ガスを供
給することで、被処理体の中央から周囲に向かって均一
に処理ガスを供給することができ、均一なガス処理が実
現される。また、置換ガスを処理ガスよりも傾いた角度
で供給することにより、置換ガスが被処理体に及ぼす衝
撃が少なくなり、パーティクル等の被処理体に対する悪
影響を回避することができる。

【００１６】第３発明および第５発明においては、ガス
の排気を被処理体よりも上方に設けられた排出口から行
うので、被処理体の支持機構等に妨げられることなく排
気を行うことができ、一層均一な処理を行うことができ
る。

【００１７】第６発明においては、被処理体支持機構
は、被処理体の周囲に前記被処理体の上方に突出して被
処理体を位置決めする複数の位置決め部材を有し、排気
機構は、処理室内に被処理体支持機構により支持された
被処理体よりも上方に設けられた排気口を有するので、
位置決め部材に妨げられることなく排気口を介して排気
することができる。したがって、処理ガスを均一に供給
することができ、均一な処理を実現することができる。

【００１８】第７発明においては、被処理体支持機構が
さらに、基台と被処理体との間に間隙を形成するスペー
サを有するので、被処理体裏面のパーティクル付着を有
効に防止することができ、被処理体に対する悪影響を回
避することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明のガス処理方法およ
び装置を半導体ウエハへのレジスト塗布・現像処理シス
テムのアドヒージョン処理ユニットに適用した実施形態
を添付図面に基いて詳細に説明する。図１は本実施の形
態に係るアドヒージョン処理ユニットが組み込まれたレ
ジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図２
は図１の正面図、図３は図１の背面図である。

【００２０】この処理システムは、カセットステーショ
ン１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーショ
ン２０と、処理ステーション２０と隣接して設けられる
露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すため
のインター・フェース部３０とを具備している。

【００２１】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハＷを複数枚例えば２５枚単位で
ウエハカセット１に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット１と処理ステーション
２０との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

【００２２】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセット載置台２上に図中Ｘ方
向に沿って複数（図では４個）の突起３が形成されてお
り、この突起３の位置にウエハカセット１がそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて一列に
載置可能となっている。ウエハカセット１においてはウ
エハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、
カセットステーション１０は、ウエハカセット載置台２
と処理ステーション２０との間に位置するウエハ搬送機
構４を有している。このウエハ搬送機構４は、カセット
配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム４ａ
を有しており、このアーム４ａによりいずれかのウエハ
カセット１に対して選択的にアクセス可能となってい
る。また、ウエハ搬送用アーム４ａは、θ方向に回転可
能に構成されており、後述する処理ステーション２０側
のグループＧ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）との間
でウエハＷを搬送することができる。

【００２３】上記処理ステーション２０は、半導体ウエ
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション２０は、
図１に示すように、中心部に垂直方向に移動可能な主ウ
エハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２
１のウエハ搬送空間２２の周りに全ての処理ユニットが
配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の
処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニット
が鉛直方向に沿って多段に配置されている。この態様に
おいては、５個の処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４および
Ｇ５がウエハ搬送路２２の周囲に配置されており、ウエ
ハ搬送路２２が略閉鎖された空間となっている。

【００２４】これらのうち、処理部Ｇ１，Ｇ２はシステ
ム正面（図１において手前）側に並列に配置され、処理
部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、処理部Ｇ４はインター・フェース部３０に隣接して
配置され、処理部Ｇ５は背部側に配置されている。

【００２５】この場合、図２に示すように、処理部Ｇ１
では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック（図示
せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理
ユニットが上下に配置されており、この態様において
は、ウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）およびレジストのパターンを現像する現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。処理部Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット
としてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。この
ようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置
する理由は、レジスト液の廃液が機構的にもメンテナン
スの上でも現像液の廃液よりも本質的に複雑であり、こ
のように塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段に配置すること
によりその複雑さが緩和されるからである。しかし、必
要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配
置することも可能である。

【００２６】処理部Ｇ３においては、図３に示すよう
に、ウエハＷを載置台２４（図１参照）に載置して所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハを
冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、本発明の対象
であるアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、ウエハを
アライメントするアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、
ウエハの出し入れを行うエクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）、ウエハにプリベーク処理を施すプリベーキング
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびウエハにポストベー
ク処理を施すポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）が下から順に例えば８段に重ねられている。処理部
Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリン
グユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリング
ユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＤＥ）お
よびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下か
ら順に例えば８段に重ねられている。

【００２７】上記のように処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョン
ユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間
の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろ
ん、これに限らず、その他の配置とすることも可能であ
る。

【００２８】主ウエハ搬送機構２１の背部側に位置する
処理部Ｇ５も基本的には処理部Ｇ３、Ｇ４と同様、オー
プン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有して
いる。この処理部Ｇ５は、案内レール６７に沿って主ウ
エハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっ
ている。したがって、処理部Ｇ５をスライドすることに
より空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に
対して背後からメンテナンス作業が容易に行うことがで
きる。

【００２９】上記インター・フェース部３０は、Ｘ方向
の長さは処理ステーション２０と同じ長さを有してい
る。図１、図２に示すように、このインター・フェース
部３０の正面部には、可搬性のピックアップカセット３
１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、
背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム３４が配設されている。このウエハ搬
送アーム３４は、Ｘ、Ｚ方向に移動して両カセット３
１，３２および周辺露光装置３３にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム３４は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション２０側の処理部
Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）およ
び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）に
もウエハＷを搬送可能となっている。

【００３０】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。

【００３１】次に、本実施の形態に係るアドヒージョン
処理ユニットについて説明する。図４は、アドヒージョ
ン処理ユニット（ＡＤ）を示す概略断面図である。この
アドヒージョン処理ユニットは、処理室７１を有し、そ
の中に被処理体としての半導体ウエハＷが水平に支持さ
れている。

【００３２】半導体ウエハＷを支持する支持機構７２
は、基台７３と、基台と前記被処理体との間に間隙を形
成するスペーサ７４と、半導体ウエハを位置決めする位
置決め部材７５とを備えており、いわゆるプロキシミテ
ィ方式が採用されている。図５に示すように、スペーサ
７４は、半導体ウエハＷの周囲に複数（図では４つ）設
けられており、各スペーサに対応するように複数の位置
決め部材７５が設けられている。これら位置決め部材７
５は、スペーサ７４を介在した状態で基台７２にねじ止
めされている。また、位置決め部材７５は、いわゆる落
とし込みにより半導体ウエハＷを保持するようになって
いる。なお、基台７２には加熱用のヒータ（図示せず）
が埋設されている。

【００３３】処理室７１の上部にはプレート７６が着脱
自在に設けられており、その上にはガス供給部７７およ
びガス排出部７８が設けられている。プレート７６内は
スペーサ７９により空間８０が形成されており、この空
間が排ガスの流路となる。また、スペーサ７６の底部の
外側には処理室７１に連続する孔８１が形成されてい
て、この孔８１を通って処理室７１からの排ガスが空間
８０に流れる。

【００３４】ガス供給部７７には、ガス供給配管８２が
接続されており、このガス供給配管８２には処理ガスと
してのＨＭＤＳガスおよびＮ₂ガスがバルブ８３により
選択的に通流され、これらのいずれかガス供給部７７に
供給される。ガス供給部７７内には配管８２に連続する
水平なガス流路８４が形成されており、このガス流路８
４の先端付近には、処理室７１まで垂直に延びる第１の
ガス供給孔８５と、第１のガス供給孔８５の両側に放射
状にすなわち傾いた状態で処理室７１まで延びる第２の
ガス供給孔８６とが連続している。このガス供給部７７
には、図示しない切り替え機構が設けられており、これ
によりＨＭＤＳガスが供給される場合にはガス供給孔８
５を通り、Ｎ₂ガスが供給される場合にはガス供給孔８
６を通るように流路が切り替えられる。

【００３５】ガス排出部７８にはガス排出路８７が形成
されており、この排出路８７には排気管８８が接続され
ている。そして、排気管８８にはエジェクター８９が接
続されている。前記排出口８７はプレート７６の空間８
０に接続されている。したがって、処理室７１内のガス
は、排気ポンプ８９により、孔８１、空間８０および排
出口８７を通って排気管８８から排気される。

【００３６】上記ガス供給配管８２には、上述したよう
にＨＭＤＳガスとＮ₂ガスが通流されるが、ＨＭＤＳ
は、図６に示すような装置によりガス化されて供給され
る。この装置は、液体のＨＭＤＳ９１を貯留するジャー
９０を有しており、このジャー９０にはＨＭＤＳ供給管
９２が底部近傍まで挿入され、この供給管９２から液体
状のＨＭＤＳが供給される。また、ジャー９０内の液面
より上方位置に下端が位置するように、Ｎ₂ガス供給管
９３がジャー９０に挿入されている。さらに、Ｎ２ガス
供給管より上方に下端が位置するように、ＨＭＤＳガス
供給管９４がジャー９０に挿入されている。なお、参照
符号９５はオーバーフローを排出するためオーバーフロ
ー配管である。また、ジャー９０の上部は蓋９６により
密閉されている。

【００３７】このような状態でＮ₂ガスを液体のＨＭＤ
Ｓにブローすることにより、溶剤であるＨＭＤＳが揮発
し、そのガス状のＨＭＤＳがＨＭＤＳガス供給管９４を
通って供給される。

【００３８】次に、このように構成された装置を含む処
理システムの動作について説明する。まず、カセットス
テーション１０において、ウエハ搬送機構４のウエハ搬
送用アーム４ａがカセット載置台２上の未処理のウエハ
Ｗを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセ
ット１から１枚のウエハＷを取り出す。

【００３９】ウエハ搬送用アーム４ａは、カセット１よ
りウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の処
理部Ｇ３内に配置されているアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）まで移動し、その中のウエハ載置台２４上にウ
エハＷを載せる。そして、そのウエハＷに対して、オリ
フラ合せおよびセンタリングが実行される。その後、主
ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送体がアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置
台２４からウエハＷを受け取る。

【００４０】処理ステーション２０において、主ウエハ
搬送機構２１は、ウエハＷを最初に処理部Ｇ３に属する
本発明に係るアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬
入する。

【００４１】ここでは、まず、プレート７６をセットし
た状態で、処理室７１内をエジェクター８９により排気
する。その後、図７の（ａ）に示すように、配管８２を
ＨＭＤＳ側にし、図６の装置により発生したＨＭＤＳガ
スを導入する。この場合に、ＨＭＤＳガスは、ガス流路
８４からガス供給孔８５を通って、処理室７１内の半導
体ウエハＷの中央に垂直に供給される。そして、半導体
ウエハＷの中央から外側に向かって流れ、さらに上方に
向かい、孔８１、空間８０、排気口８７を通って排気管
８８から排気される。

【００４２】このように半導体ウエハＷの中央から外側
に向けて処理ガスであるＨＭＤＳガスが供給され、上方
に排気されるので、極めて均一な疎水化処理を実施する
ことができる。このような排気は、従来下側からなされ
ることが多かったが、その場合には排気流路に位置決め
部材７５が存在するため、処理ガスであるＨＭＤＳガス
の流れが乱れるおそれがある。これに対して、このよう
に上側へ排気することによりガス流の乱れが発生するこ
となく均一に処理することが可能となる。

【００４３】このような処理が終了した後、図７の
（ｂ）に示すように、ＨＭＤＳガスの雰囲気が大気中へ
放出されないように、エジェクター８９で強制的に排気
すると同時に、配管８２をＮ₂ガス側に切り替え、置換
ガスであるＮ₂ガスを導入する。この場合に、Ｎ２ガス
は、ガス流路８４からガス供給孔８６を通って、処理室
７１内の半導体ウエハＷに対して垂直から多少傾いた斜
めの角度で供給される。そして、半導体ウエハＷの外側
に向かって流れ、これによりＨＭＤＳガスが追い出され
る。追い出されたＨＭＤＳガスと置換ガスであるＮ２ガ
スは、処理室７１の外側部分から上方に向かい、孔８
１、空間８０、排気口８７を通って排気管８８から排気
される。

【００４４】この場合に、速やかにＨＭＤＳを追い出す
ためには、置換ガスであるＮ₂ガスは比較的大流量で流
す必要がある。その場合に、ＨＭＤＳの流路と同じよう
にガス供給孔８５を通って供給すると、Ｎ₂ガスは半導
体ウエハＷに垂直に衝突し、この際にパーティクルを発
生させるおそれがある。これに対して、これとは異なる
ガス供給孔８６を通って供給する場合には、半導体ウエ
ハＷに対して垂直から多少傾いた斜めの角度となるの
で、半導体ウエハＷに当たった際の衝撃も小さく、パー
ティクルの発生を防止することができる。

【００４５】このようにしてアドヒージョン処理が終了
した半導体ウエハは、クーリングユニット（ＣＯＬ）内
で冷却された後、塗布ユニット（ＣＯＴ）にて、スピン
コートによりレジスト塗布が実施される。その後、プリ
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）内でプリベーク
が実施され、クーリングユニットで冷却された後、周辺
露光装置３３による周辺露光が実施される。その後、半
導体ウエハＷは隣接する露光装置に搬送され、全面露光
が実施される。

【００４６】露光処理が終了すると、インター・フェー
ス部３０のウエハ搬送アーム３４がウエハＷを受け取
り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０の処理
ユニットグループＧ４に属するエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）へ搬入する。そして、主ウエハ搬送機構２
１がウエハＷを受け取り、現像ユニット（ＤＥＶ）に搬
入し現像処理を行う。現像工程が終了すると、ポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によりポストベーク
が実施される。その後クーリングユニット（ＣＯＬ）に
より冷却され、さらにエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）の載置台に載置される。そしてカセットステーショ
ン１０のアーム４ａがウエハＷを受け取り、カセット載
置台２上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定の
ウエハ収容溝に入れる。これにより一連の処理が完了す
る。

【００４７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、ガス処理としてアドヒージョン処理の場合に
ついて示したが、これに限るものではない。また、この
ように本発明はアドヒージョン処理に限らず他のガス処
理にも適用可能なことから、被処理体も半導体ウエハに
限らず、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォトマ
スク、プリント基板等種々のもの適用可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パーティクルの付着や処理の不均一等が生じず、良好な
ガス処理を行うことができるガス処理方法および装置が
提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス処理装置の一実施形態としてのア
ドヒージョン処理ユニットが適用されたレジスト液塗布
・現像処理システムを示す平面図。

【図２】図１のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す側面図。

【図３】図１のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す背面図。

【図４】本発明の一実施形態に係るアドヒージョン処理
ユニットを示す概略断面図。

【図５】図４のユニットに用いられる半導体ウエハ支持
機構を説明するための図。

【図６】図４のユニットに用いられるＨＭＤＳガス生成
装置を示す断面図。

【図７】図４のユニットの作用を説明するための図。

【符号の説明】

７１……処理室 ７２……半導体ウエハ支持機構 ７３……基台 ７４……スペーサ ７５……位置決め部材 ７６……プレート ７７……ガス供給部 ７８……ガス排出部 ８２……ガス供給配管 ８４……ガス流路 ８５、８６……ガス供給孔 ８７……ガス排出口 ８８……ガス排出管 ８９……エジェクター

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内の被処理体に対して処理ガスを
   供給してガス処理を実施する工程と、 ガス処理終了後、前記処理室内に置換ガスを供給する工
   程と、 前記処理ガス供給する際および前記置換ガスを供給する
   際に、前記処理室内を排気する工程と、を有し、 前記処理ガスと前記置換ガスとを互いに異なる流路を通
   って供給することを特徴とするガス処理方法。
2. 【請求項２】 処理室内の被処理体の中央部に、被処理
   体に対して垂直に処理ガスを供給してガス処理を実施す
   る工程と、 ガス処理終了後、前記処理室内に前記被処理体に対して
   前記処理ガスよりも傾いた角度で置換ガスを供給する工
   程と、 前記処理ガスを供給する際および前記置換ガスを供給す
   る際に、前記処理室内を排気する工程と、を有すること
   を特徴とする特徴とするガス処理方法。
3. 【請求項３】 前記排気は、前記被処理体よりも上方に
   設けられた排出口からなされることを特徴とする請求項
   １または請求項２に記載のガス処理方法。
4. 【請求項４】 処理室と、 処理室内に被処理体を水平に支持する被処理体支持機構
   と、 前記処理室内の被処理体に、それに対して垂直に処理ガ
   スを供給する処理ガス供給系と、 前記処理ガス供給系よりも傾いた角度で処理室内に置換
   ガスを供給する置換ガス供給系と、 処理室内を排気するための排気機構と、を具備すること
   を特徴とするガス処理装置。
5. 【請求項５】 前記排気機構は、前記処理室内に被処理
   体支持機構により支持された被処理体よりも上方に設け
   られた排気口を有することを特徴とする請求項４に記載
   のガス処理装置。
6. 【請求項６】 処理室と、 処理室内に被処理体を水平に支持する被処理体支持機構
   と、 前記処理室内の被処理体に、処理ガスを供給する処理ガ
   ス供給系と、 前記処理室内に置換ガスを供給する置換ガス供給系と、 処理室内を排気するための排気機構とを具備し、 前記被処理体支持機構は、基台と、前記被処理体の周囲
   に前記被処理体の上方に突出して設けられ、前記被処理
   体を位置決めする複数の位置決め部材と、を有し、 前記排気機構は、前記処理室内に被処理体支持機構によ
   り支持された被処理体よりも上方に設けられた排気口を
   有することを特徴とするガス処理装置。
7. 【請求項７】 前記被処理体支持機構は、前記基台と前
   記被処理体との間に間隙を形成するスペーサをさらに有
   することを特徴とする請求項６に記載のガス処理装置。