JPS60146335U - 気相反応成長装置 - Google Patents

気相反応成長装置

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JPS60146335U
JPS60146335U JP3429684U JP3429684U JPS60146335U JP S60146335 U JPS60146335 U JP S60146335U JP 3429684 U JP3429684 U JP 3429684U JP 3429684 U JP3429684 U JP 3429684U JP S60146335 U JPS60146335 U JP S60146335U
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JP
Japan
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vapor phase
reaction tube
phase reaction
growth equipment
outer periphery
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Pending
Application number
JP3429684U
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English (en)
Inventor
林 義宣
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の気相反応成長装置を説明する断面図、第
2図は本考案を説明する気相反応成長装置の断面図であ
る。 主な図番の説明、1は高周波コイル、2は反応管、3は
半導体ウェハ、4はウェハ載置台、5はガス導入口、6
はガス排気口、7は断熱材、8は熱反射膜である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体熱処理用反応管と該反応管内に設置された半導体
    ウェハと所定のガスを流入させるガス入口と前記反応管
    の外周に設置された高周波コイルとを具備する高周波誘
    導加熱型気相成長膜反応装置において、前記高周波コイ
    ルの外周に設置された断熱材と該断熱材の内面に設けた
    熱反射物質とを備え、前記半導体ウェハの温度分布およ
    び温度勾配を均一化できるよう構成したことを特徴とし
    た高周波誘導加熱型気相成長反応装置。
JP3429684U 1984-03-09 1984-03-09 気相反応成長装置 Pending JPS60146335U (ja)

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JPS60146335U true JPS60146335U (ja) 1985-09-28

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ID=30537531

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283883A (ja) * 1986-05-29 1987-12-09 イビデン株式会社 半導体製造設備用の断熱材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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