JPH0339835U - - Google Patents
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- JPH0339835U JPH0339835U JP10170589U JP10170589U JPH0339835U JP H0339835 U JPH0339835 U JP H0339835U JP 10170589 U JP10170589 U JP 10170589U JP 10170589 U JP10170589 U JP 10170589U JP H0339835 U JPH0339835 U JP H0339835U
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- Japan
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- susceptor
- thin film
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- Prior art date
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- Granted
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- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の実施例に係る薄膜気相成長装
置の概略縦断面図。第２図は第１図の装置のウエ
ハトレイとサセプタの接触部の拡大断面図。第３
図は高周波加熱を用いる従来例に係る薄膜気相成
長装置の概略縦断面図。 １……石英リアクタ、２……サセプタ、３……
ウエハ、４……高周波コイル、５……回転シヤフ
ト、６……熱電対、７……ヒータ、８……電極、
９……ウエハトレイ、１０……リフレクタ、１１
……冷却水ジヤケツト、１２……ポケツト、１３
……凹部、１４……周段部、１７……冷却水入口
、１８……冷却水出口。
置の概略縦断面図。第２図は第１図の装置のウエ
ハトレイとサセプタの接触部の拡大断面図。第３
図は高周波加熱を用いる従来例に係る薄膜気相成
長装置の概略縦断面図。 １……石英リアクタ、２……サセプタ、３……
ウエハ、４……高周波コイル、５……回転シヤフ
ト、６……熱電対、７……ヒータ、８……電極、
９……ウエハトレイ、１０……リフレクタ、１１
……冷却水ジヤケツト、１２……ポケツト、１３
……凹部、１４……周段部、１７……冷却水入口
、１８……冷却水出口。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 縦長とリアクタ１と、リアクタ１の中に設
けられウエハ３を保持するためのサセプタ２と、
サセプタ２を回転可能に支持する回転シヤフト５
とを含み、サセプタ２が上面の開口した筒状であ
つて、サセプタ２の内部に抵抗加熱ヒータ７が設
けられ、ウエハは周縁の下向きの周段部１４を有
するウエハトレイ９に載置され、ウエハトレイ９
がサセプタ２の上に置かれるようになつており、
ウエハトレイの厚みが中央と周縁とで異なるよう
にした事を特徴とする薄膜気相成長装置。 (2) ウエハトレイ９の下面中央に下向きのポケ
ツト１２を設け、熱電対６の先端をポケツト１２
に挿入してある事を特徴とする請求項１記載の薄
膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10170589U JPH0735382Y2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10170589U JPH0735382Y2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339835U true JPH0339835U (ja) | 1991-04-17 |
| JPH0735382Y2 JPH0735382Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31650641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10170589U Expired - Fee Related JPH0735382Y2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735382Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006043531A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Canon Anelva Corporation | 基板支持・搬送用トレイ |
| JP2007211336A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP10170589U patent/JPH0735382Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006043531A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Canon Anelva Corporation | 基板支持・搬送用トレイ |
| US7780440B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-08-24 | Canon Anelva Corporation | Substrate supporting/transferring tray |
| US8147242B2 (en) | 2004-10-19 | 2012-04-03 | Canon Anelva Corporation | Substrate supporting/transferring tray |
| JP2007211336A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0735382Y2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |