JPH01153366U - - Google Patents
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- JPH01153366U JPH01153366U JP4974788U JP4974788U JPH01153366U JP H01153366 U JPH01153366 U JP H01153366U JP 4974788 U JP4974788 U JP 4974788U JP 4974788 U JP4974788 U JP 4974788U JP H01153366 U JPH01153366 U JP H01153366U
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- JP
- Japan
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- liquid phase
- substrate
- epitaxial growth
- growth apparatus
- reaction tube
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図は本考案の液相エピタキシヤル成長装置
の一実施例を示す反応炉の横断面図、第２図は反
応炉の長軸方向における降温戸温度分布、第３図
は従来の反応炉の横断面図、第４図は従来の反応
炉の長軸方向の温度分布を示す。 １：石英反応管、２：ボート、３：半導体原料
、４：ヒータ、５：均熱管、６：サンドブラスト
加工部。
の一実施例を示す反応炉の横断面図、第２図は反
応炉の長軸方向における降温戸温度分布、第３図
は従来の反応炉の横断面図、第４図は従来の反応
炉の長軸方向の温度分布を示す。 １：石英反応管、２：ボート、３：半導体原料
、４：ヒータ、５：均熱管、６：サンドブラスト
加工部。
Claims (1)
- 石英反応管内に基板と半導体を構成する元素の
溶液とを入れたボートを配し、前記基板と該溶液
とを接触させながら前記石英反応管の外側に配置
されているヒータの温度を抑制して前記基板に前
記半導体の単結晶を成長させる液相エピタキシヤ
ル成長装置において、前記石英管の外周部に、前
記ヒータより生ずる放射熱を調整して前記石英反
応管の温度分布を均一にするサンドブラスト加工
部が設けてあることを特徴とする液相エピタキシ
ヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4974788U JPH01153366U (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4974788U JPH01153366U (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153366U true JPH01153366U (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=31275830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4974788U Pending JPH01153366U (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01153366U (ja) |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP4974788U patent/JPH01153366U/ja active Pending
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