JPH04134839U - 気相成長用サセプタ - Google Patents
気相成長用サセプタInfo
- Publication number
- JPH04134839U JPH04134839U JP4218891U JP4218891U JPH04134839U JP H04134839 U JPH04134839 U JP H04134839U JP 4218891 U JP4218891 U JP 4218891U JP 4218891 U JP4218891 U JP 4218891U JP H04134839 U JPH04134839 U JP H04134839U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- recess
- wafers
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N azanium;2-(4-methyl-5-oxo-4-propan-2-yl-1h-imidazol-2-yl)quinoline-3-carboxylate Chemical compound N.N1C(=O)C(C(C)C)(C)N=C1C1=NC2=CC=CC=C2C=C1C(O)=O VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】気相成長用サセプターにおいてウェハーＯＦ部
分がサセプター凹部の部分的に接触することなく結晶欠
陥を低減出来ることを目的としたものである。 【構成】サセプターの凹部２にウェハーと同様なＯＦ４
を設けることでウェハー３を並べた際ウェハー３の端面
がサセプターの側面に点接触することなくウェハー内の
温度分布が均一化が図れまたウェハーを並べる際ＯＦに
合わせて乗せるだけで定位置に並べられるのでやり易く
なる。
分がサセプター凹部の部分的に接触することなく結晶欠
陥を低減出来ることを目的としたものである。 【構成】サセプターの凹部２にウェハーと同様なＯＦ４
を設けることでウェハー３を並べた際ウェハー３の端面
がサセプターの側面に点接触することなくウェハー内の
温度分布が均一化が図れまたウェハーを並べる際ＯＦに
合わせて乗せるだけで定位置に並べられるのでやり易く
なる。
Description
【０００１】
本考案は気相化学反応を利用した結晶成長方法において利用するサセプターに
関するものである。
【０００２】
半導体工業において、利用されている気相化学反応による結晶成長ではウェハ
ーを多数並べて載置したサセプターを反応炉内で反応ガスを流して結晶成長を行
う。図３（ａ）は従来のサセプターの平面図と（ｂ）Ａ−Ａ′及び（ｃ）はその
断面図で同図に示すように円板状の炭素芯材に炭化硅素を被覆したサセプター１
の表面にウェハー３を載置するための凹部２が設けられている。この凹部２の深
さは、ウェハー３の厚さとほぼ同じである。そしてこのサセプター１はウェハー
３の高周波誘導加熱時の加熱体及び支持体として機能を有する。
【０００３】
このようなサセプターを用いる気相成長においてはサセプター凹部２にウェハ
ー３を並べる際凹部中央に並べられれば理想的であるが凹部側面とウェハー外周
部との隙間に当り、それがＯＦ側３−１が凹部側面に当った場合はサセプターが
反応温度（１１００〜１２００℃）に達した時点でＯＦ側３−１の角度より熱伝
導でウェハー３が熱応力により反り結晶欠陥（スリップライン）６発生要因とな
っていた。
【０００４】
本考案は、これらの欠点を除くためウェハーを載置するための凹部にウェハー
と同様なＯＦ（オリエンテーションフラット）面５を有しウェハーを載置する際
に形状と同じように並べることで凹部側面に部分的に接触することなくウェハー
内の熱分布は均一的になり従来のような結晶欠陥（スリップライン）６の無い気
相成長用サセプターを提供するものである。
【０００５】
以下本考案を図面を用いて詳細に説明する。
【０００６】
図１は本考案のサセプターの一実施例を示す。
【０００７】
（ａ）図はサセプターの平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）図のＡ−Ａ′におけ
る断面の部分拡大図である。
【０００８】
（ｂ）図に依れば本考案のサセプター１は炭素芯材の全表面に炭化硅素を被覆
してその上面にウェハー３を載置する凹部２を備え更にこの凹部外周側にウェハ
ー３のＯＦと同じように一部切り込み“ＯＦ”加工部４を設けてある。この“Ｏ
Ｆ”加工部４に合わせてウェハー３を並べることで凹部外周に点接触側に触れな
くなる。
【０００９】
図２は本考案と同等の気相成長用サセプターの実施例２として説明する。
【００１０】
本考案の気相成長用サセプターを用いることでウェハー裏面異常成長防止用と
して次の様な形状をすることで解決する。
【００１１】
ウェハー３を載置する凹部２を備え更にこの凹部外周にそって凹部２′を深目
に備えていると同じに凹部２′に対してウェハー３の“ＯＦ”３−１と同じよう
にリング状にした状態に“ＯＦ”部５の加工を施し、ウェハーの直径よりウェハ
ーを載置する個所をウェハーの直径より小さ目にすることでウェハー外周部はサ
セプターに触れなくなりウェハー裏面が成長毎の異常成長防止が図れる。
【００１２】
以上の如く本考案のサセプターを用いることによりウェハー３が“ＯＦ”４に
対して少し動いてもサセプターに接触面が大きくなり熱応力によるウェハーの反
りを防ぐことが出来る。
【００１３】
そのためウェハーを並べる際は“ＯＦ”に対し容易になり歩留，生産能率の向
上が大である。
【図１】本考案の一実施例を示す断面図であり、（ａ）
図はサセプターの平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）図の
Ａ−Ａ′における断面図の部分拡大図である。
図はサセプターの平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）図の
Ａ−Ａ′における断面図の部分拡大図である。
【図２】本考案の他の実施例に対する説明図である。
【図３】従来の気相成長用サセプターの一例を示す図面
であり、（ａ）図はサセプター平面図、（ｂ），（ｃ）
は（ａ）図のＡ−Ａ′における断面図の部分拡大図であ
る。
であり、（ａ）図はサセプター平面図、（ｂ），（ｃ）
は（ａ）図のＡ−Ａ′における断面図の部分拡大図であ
る。
１ 炭素芯材に炭化硅素被覆サセプター
２ 一段凹部
２′ 外周二段凹部
３ ウェハー
３−１ ウェハーＯＦ
４ 凹部ＯＦ
５ 外周二段凹部ＯＦ
６ 結晶欠陥（スリップライン）
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハーを載置するための凹部を一段或
は二段有する凹部な皿状でその一部にウェハーと同様な
オリエンテーションフラット部を有することを特徴とす
る気相成長用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218891U JPH04134839U (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 気相成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218891U JPH04134839U (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 気相成長用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134839U true JPH04134839U (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=31922744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4218891U Pending JPH04134839U (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 気相成長用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134839U (ja) |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP4218891U patent/JPH04134839U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100504634B1 (ko) | 에피텍셜 성장 중 기판 웨이퍼의 두 표면 사이에 존재하는 온도 기울기를 최소화 또는 제거하기 위한 서셉터, 그를 포함한 화학 기상 증착 시스템 및 이를 위한 방법 | |
| CN206127420U (zh) | 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体 | |
| US6709267B1 (en) | Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss | |
| WO1998042897A9 (en) | Susceptor designs for silicon carbide thin films | |
| JPH04256311A (ja) | 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体 | |
| JPH0878347A (ja) | エピタキシャル成長装置のサセプタ | |
| JP2004533117A (ja) | 基板サポートアセンブリと基板処理用装置 | |
| JPH10167885A (ja) | 気相成長用サセプター | |
| JPH1087394A (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JPH0963966A (ja) | 気相成長装置 | |
| WO2020071308A1 (ja) | サセプタ | |
| JPH04134839U (ja) | 気相成長用サセプタ | |
| JPS61219130A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0758029A (ja) | サセプタ | |
| JPH07118465B2 (ja) | 縦型エピタキシャル装置用サセプター | |
| JPS6242416A (ja) | 半導体基板加熱用サセプタ | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JPH10195660A (ja) | 気相成長用縦型サセプター | |
| JPH04199614A (ja) | 縦型気相成長用サセプター | |
| JPH03291916A (ja) | サセプタ | |
| JPH0758035A (ja) | 半導体基板用熱処理治具 | |
| JPH0521871Y2 (ja) | ||
| JPS60170233A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2003338505A (ja) | シリコンウェーハの支持方法 | |
| JPS6188517A (ja) | ウエハ処理装置 |