JPS6416633U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6416633U JPS6416633U JP11253087U JP11253087U JPS6416633U JP S6416633 U JPS6416633 U JP S6416633U JP 11253087 U JP11253087 U JP 11253087U JP 11253087 U JP11253087 U JP 11253087U JP S6416633 U JPS6416633 U JP S6416633U
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- JP
- Japan
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- head
- thin film
- cvd
- substrate
- transport means
- Prior art date
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- Pending
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Description
第１図は本考案の一実施例としての半導体製造
装置の概略構成図、第２図ａ〜ｃは前記半導体製
造装置で薄膜を製造する各工程における断面図で
ある。第３図は従来例の半導体製造装置の概略構
成図、第４図ａ及びｂは従来例の半導体製造装置
で薄膜を製造する場合の断面図である。 １……搬送コンベア、３……第１ＣＶＤヘツド
、４……ヒータ、５……熱放射部、６……第２Ｃ
ＶＤヘツド、７……ヒータ、Ｂ……シリコン基板
、Ｃ……ＰＳＧ膜。
装置の概略構成図、第２図ａ〜ｃは前記半導体製
造装置で薄膜を製造する各工程における断面図で
ある。第３図は従来例の半導体製造装置の概略構
成図、第４図ａ及びｂは従来例の半導体製造装置
で薄膜を製造する場合の断面図である。 １……搬送コンベア、３……第１ＣＶＤヘツド
、４……ヒータ、５……熱放射部、６……第２Ｃ
ＶＤヘツド、７……ヒータ、Ｂ……シリコン基板
、Ｃ……ＰＳＧ膜。
Claims (1)
- 基板を載置して移動させる搬送手段が設けられ
、前記搬送手段の搬送経路に沿つて、反応ガスを
送り込み前記基板上に薄膜を成長させる第１ＣＶ
Ｄヘツドと、該第１ＣＶＤヘツドによつて形成さ
れた薄膜を熱処理するための加熱手段と、前記熱
処理された薄膜上にさらに薄膜を成長させる第２
ＣＶＤヘツドとが順に設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11253087U JPS6416633U (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11253087U JPS6416633U (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6416633U true JPS6416633U (ja) | 1989-01-27 |
Family
ID=31351551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11253087U Pending JPS6416633U (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6416633U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157928A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
-
1987
- 1987-07-21 JP JP11253087U patent/JPS6416633U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157928A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
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