JPH02101528U - - Google Patents

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JPH02101528U
JPH02101528U JP862689U JP862689U JPH02101528U JP H02101528 U JPH02101528 U JP H02101528U JP 862689 U JP862689 U JP 862689U JP 862689 U JP862689 U JP 862689U JP H02101528 U JPH02101528 U JP H02101528U
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cvd
susceptor
wafer
auxiliary heater
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の一実施例の構成を示す断
面図、第２図は従来装置の一例の構成を示す断面
図である。 １……ウエハ、２……サセプタ、３……ワーク
コイル、４……高周波電源、５……ノズル、６…
…反応室、７……（ステンレス）外側ベルジヤ、
８……（石英）内側ベルジヤ、９……補助ヒータ
、１０……冷却ガスノズル、１１……電力導入端
子、１２……補助ヒータ電源。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 内側ベルジヤ８によつて形成される反応室
    ６内のサセプタ２上にウエハ１を置き、高周波誘
    導加熱法によりウエハ１上にＣＶＤ膜を生成する
    方式のＣＶＤ装置において、内、外側ベルジヤ８
    ，７間のウエハ表面に対向する位置に、通電加熱
    される補助ヒータ９を配置してなるＣＶＤ装置。 (2) 補助ヒータ９の材質がカーボン、若しくは
    カーボンにＳｉＣをコートしたものである請求項
    第１項記載のＣＶＤ装置。 (3) 少なくともサセプタ２と補助ヒータ９には
    さまれた内側ベルジヤ８の部分に、パージガスを
    吹付け、内側ベルジヤ８が高温にならない様にし
    た請求項第１項，第２項のいずれかに記載のＣＶ
    Ｄ装置。 (4) パージガスが、Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ，Ｈｅ若
    しくは、これらの混合ガスである請求項第３項記
    載のＣＶＤ装置。
JP862689U 1989-01-27 1989-01-27 Pending JPH02101528U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354526A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Sukegawa Electric Co Ltd 板体加熱装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11354526A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Sukegawa Electric Co Ltd 板体加熱装置

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