JPH02198134A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02198134A JPH02198134A JP1840689A JP1840689A JPH02198134A JP H02198134 A JPH02198134 A JP H02198134A JP 1840689 A JP1840689 A JP 1840689A JP 1840689 A JP1840689 A JP 1840689A JP H02198134 A JPH02198134 A JP H02198134A
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- Japan
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- reaction tube
- heat insulating
- flange
- heat insulator
- insulating material
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- Pending
Links
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
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Landscapes
- Thermal Insulation (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化学的気相成長又は酸化・拡散等に使用さ
れる半導体製造装置の反応管の炉口部分の断熱材の構造
に関するものである。
れる半導体製造装置の反応管の炉口部分の断熱材の構造
に関するものである。
第３図および第４図は従来の化学的気相成長（ＣＶＤ）
又は酸化・拡散等に用いられる半導体製造装置の反応管
の炉口部分を示した部分断面図であり、第３図は上記反
応管の炉口部分の断熱に石英ウールを使用したものを示
し、第４図はシリカ材を用いたリング状の断熱材（第５
図）を取り付けたものを示している。
又は酸化・拡散等に用いられる半導体製造装置の反応管
の炉口部分を示した部分断面図であり、第３図は上記反
応管の炉口部分の断熱に石英ウールを使用したものを示
し、第４図はシリカ材を用いたリング状の断熱材（第５
図）を取り付けたものを示している。
図において、１は化学的気相成長（ＣＶＤ）又は酸化・
拡散等に用いられる半導体製造装置の反応管、２は反応
管取付板、３はフランジ、４はヒーター ５は上記反応
管１の炉口部分に詰められた断熱用の石英ウール、６は
仕切板、７はシリカ材を用いたリング状断熱材である。
拡散等に用いられる半導体製造装置の反応管、２は反応
管取付板、３はフランジ、４はヒーター ５は上記反応
管１の炉口部分に詰められた断熱用の石英ウール、６は
仕切板、７はシリカ材を用いたリング状断熱材である。
なお第５図ｆａ）は上記リング状断熱材７の正面図、（
ｂ）は側面図を示したものである。
ｂ）は側面図を示したものである。
ここで第３図及び第４図に示した石英ウール５あるいは
シリカ材を用いたリング状断熱材は、上記反応管１の炉
口部分に設けられ、外気を遮断し、反応管炉口部分を保
温する役目を果す。
シリカ材を用いたリング状断熱材は、上記反応管１の炉
口部分に設けられ、外気を遮断し、反応管炉口部分を保
温する役目を果す。
従来の半導体製造装置の反応管の断熱材は以上のようで
あるため、例えば、第３図に示した石英ウール５を用い
ると、発塵、あるいはウールの詰め方により反応管炉口
の保温効果が異なるという問題があった。また第４図に
示したシリカ材を用いたリング状の断熱材７を用いると
、発塵はしにくいが、着脱の際フランジ３と反応管取付
板２をはずさなければならず、着脱作業が容易でないと
いう問題点があった。
あるため、例えば、第３図に示した石英ウール５を用い
ると、発塵、あるいはウールの詰め方により反応管炉口
の保温効果が異なるという問題があった。また第４図に
示したシリカ材を用いたリング状の断熱材７を用いると
、発塵はしにくいが、着脱の際フランジ３と反応管取付
板２をはずさなければならず、着脱作業が容易でないと
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シリカ材を用いた断熱材を用い、着脱が容易
なものを提供しようとするものである。
たもので、シリカ材を用いた断熱材を用い、着脱が容易
なものを提供しようとするものである。
この発明に係る半導体装置は、減圧下における化学的気
相成長又は酸化・拡散等に使用される反応管を備えた半
導体製造装置において、多分割された断熱材を上記反応
管の外周形状に沿わせて組み合わせることにより、上記
反応管の炉口部分を断熱したものである。
相成長又は酸化・拡散等に使用される反応管を備えた半
導体製造装置において、多分割された断熱材を上記反応
管の外周形状に沿わせて組み合わせることにより、上記
反応管の炉口部分を断熱したものである。
この発明による反応管の炉口部分を断熱する断熱材は、
反応管の外周形状に沿った形状で、かつ多分割できるの
で、保温効果も充分で、着脱も容易となる。
反応管の外周形状に沿った形状で、かつ多分割できるの
で、保温効果も充分で、着脱も容易となる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の反応管
の炉口部分を示す部分断面図、第２図（ａ）。
の炉口部分を示す部分断面図、第２図（ａ）。
（ｂ）は第１図の半導体製造装置に用いられる断熱材を
示す正面図及び側面図である。
示す正面図及び側面図である。
図において、１〜４．６は従来の半導体装置（第３図及
び第４図）と同様の構成部分であり、その説明を省略す
る。８はシリカ材を用いた多分割（本実施例では２分割
）された断熱材であって、その内側部分８ｂは上記反応
管１の外周形状に沿った形状となっている。なお８ａは
多分割された上記断熱材８を組み合わせる際の組立用フ
ランジであって、ボルト締めが可能な構造となっている
。
び第４図）と同様の構成部分であり、その説明を省略す
る。８はシリカ材を用いた多分割（本実施例では２分割
）された断熱材であって、その内側部分８ｂは上記反応
管１の外周形状に沿った形状となっている。なお８ａは
多分割された上記断熱材８を組み合わせる際の組立用フ
ランジであって、ボルト締めが可能な構造となっている
。
次に動作について説明すると、反応管１の炉口外周部に
ある反応管取付板２とフランジ３を取りはずさずに、仕
切り板６と反応管取付板２とフランジ３のすきまより、
シリカ材を用いた多分割された断熱材８を導入し、ヒー
ター４と反応管取付板２の間、あるいは反応管取付板２
とフランジ３の間で組み立てる。また、組立完了時には
、断熱材８の内側形状８ｂが反応管１の外周形状に沿っ
た形状となるので、完全な保温効果が得られる。
ある反応管取付板２とフランジ３を取りはずさずに、仕
切り板６と反応管取付板２とフランジ３のすきまより、
シリカ材を用いた多分割された断熱材８を導入し、ヒー
ター４と反応管取付板２の間、あるいは反応管取付板２
とフランジ３の間で組み立てる。また、組立完了時には
、断熱材８の内側形状８ｂが反応管１の外周形状に沿っ
た形状となるので、完全な保温効果が得られる。
上記実施例では、シリカ材を用いた２分割された断熱材
８を用いたが、組み立て後、取り付けようとする反応管
外周形状に沿った形状になるならば、何分側されていて
もよく、第１図に示すものに限るものではない。
８を用いたが、組み立て後、取り付けようとする反応管
外周形状に沿った形状になるならば、何分側されていて
もよく、第１図に示すものに限るものではない。
また、上記実施例では、断熱材としてシリカ材を用いた
が、断熱材として適する材質であれば、シリカ材に限る
ものではない。
が、断熱材として適する材質であれば、シリカ材に限る
ものではない。
以上のように、この発明によれば、反応管の炉口部分に
設置する断熱材を、その内側形状が反応管の外周形状に
沿った形状をなし、かつ、多分割できる構成としたので
、発塵が少ない材料を用いることができ、かつ、メンテ
ナンス時の着脱が容易であり、その上、反応管炉口の保
温効果が取付は方により変化しないという効果が得られ
る。
設置する断熱材を、その内側形状が反応管の外周形状に
沿った形状をなし、かつ、多分割できる構成としたので
、発塵が少ない材料を用いることができ、かつ、メンテ
ナンス時の着脱が容易であり、その上、反応管炉口の保
温効果が取付は方により変化しないという効果が得られ
る。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の反応管
の炉口部分を示す部分断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は上記半導体装置に用いられる断熱材を示す正面
図及び側面図、第３図及び第４図は従来の半導体装置の
反応管の炉口部分を示した部分断面図、第５図（ａ）、
（ｂ）は第４図の半導体製造装置に用いられる断熱材
を示す正面図及び側面図である。 図中、１は反応管、２は反応管取付板、３はフランジ、
４はヒーター、６は仕切り板、８は多分割できる断熱材
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の炉口部分を示す部分断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は上記半導体装置に用いられる断熱材を示す正面
図及び側面図、第３図及び第４図は従来の半導体装置の
反応管の炉口部分を示した部分断面図、第５図（ａ）、
（ｂ）は第４図の半導体製造装置に用いられる断熱材
を示す正面図及び側面図である。 図中、１は反応管、２は反応管取付板、３はフランジ、
４はヒーター、６は仕切り板、８は多分割できる断熱材
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 減圧下における化学的気相成長又は酸化・拡散等に使用
される反応管を備えた半導体製造装置において、多分割
された断熱材を上記反応管の外周形状に沿わせて組み合
わせることにより、上記反応管の炉口部分を断熱するこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1840689A JPH02198134A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1840689A JPH02198134A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198134A true JPH02198134A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11970789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1840689A Pending JPH02198134A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218348A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉装置 |
| JP2009231408A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉装置 |
| JP2009253179A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Koyo Thermo System Kk | 横型炉装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343422B2 (ja) * | 1980-05-24 | 1988-08-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | |
| JPS6437834A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Kyushu Nippon Electric | Device for manufacturing semiconductor device |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1840689A patent/JPH02198134A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343422B2 (ja) * | 1980-05-24 | 1988-08-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | |
| JPS6437834A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Kyushu Nippon Electric | Device for manufacturing semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218348A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉装置 |
| JP2009231408A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉装置 |
| JP2009253179A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Koyo Thermo System Kk | 横型炉装置 |
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