JPS59185828U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS59185828U
JPS59185828U JP8022283U JP8022283U JPS59185828U JP S59185828 U JPS59185828 U JP S59185828U JP 8022283 U JP8022283 U JP 8022283U JP 8022283 U JP8022283 U JP 8022283U JP S59185828 U JPS59185828 U JP S59185828U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
gas
semiconductor manufacturing
manufacturing equipment
gas introduction
Prior art date
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Pending
Application number
JP8022283U
Other languages
English (en)
Inventor
健 上條
紘 高野
古川　量三
小沢　晶
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Publication date
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Priority to JP8022283U priority Critical patent/JPS59185828U/ja
Publication of JPS59185828U publication Critical patent/JPS59185828U/ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の装置の構成を示した説明図である。第２
図は本考案の１実施例の装置の構成を示した説明図であ
る。 １：石英反応管、２・・・第１ガス導入管、３：第２ガ
ス導入管、４：電気炉、５：カーボンサセプタ、６：真
空ポンプ、７：高周波加熱装置、１１：石英反応管、１
２：第１ガス導入管、１３：第２ガス導入　　　　。 管、１４：カーボンパイプ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ガスの導入口と排出口を有する反応管内にサセプタを設
    は高周波加熱装置により該サセプタ上の基板をガス雰囲
    気中で加熱す乞ようにした気相成長装置において、前記
    導入口より導入するように第１ガス導入管と第２ガス導
    入管とを互に離してサセプタ近傍まで設けるとともに該
    第１ガス導入管には反応管内でサセプタ近傍までカーボ
    ンパイプを装着するように構成したことを特徴とする気
    相成長装置。
JP8022283U 1983-05-30 1983-05-30 半導体製造装置 Pending JPS59185828U (ja)

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JP8022283U JPS59185828U (ja) 1983-05-30 1983-05-30 半導体製造装置

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JPS59185828U true JPS59185828U (ja) 1984-12-10

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ID=30210215

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01133999A (ja) * 1987-11-18 1989-05-26 Tel Sagami Ltd 反応管
JPH03214724A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01133999A (ja) * 1987-11-18 1989-05-26 Tel Sagami Ltd 反応管
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