JPS6092820U - 半導体気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１区は従来のシリコンエピタキシャル成長装置の構成
側図、第２図は第１図中のシリコン基板の炉内配置図、
第３図は第１図中のサセプタに座ぐりを設けた場合のシ
リコン基板のサセプタ上への載置図、第４図は本考案を
実施した縦形シリコンエピタキシャル成長装置の反応炉
の構造概要を示す断面図、第５図は本考案を実施した別
な反応炉の構造概要を示す断面図である。 １・・・・・・反応炉、２・・・・・・パージガス入口
、３・・・・・・ノズル、４・・・・・・ステンレス鋼
ベルジャ、５・・・・・・内部の石英ベルジャ、５ａ・
・・・・・５の外側、５ｂ・・・・・・５の内側鏡面、
６・・・・・・シリコン基板（ウェハ）、７・・・・・
・サブブタ、８・・・・・・ワークコイルカバー、９・
・・・・・ワークコイル、１０・・・・・・のぞき窓、
１１・・・・・・排気ポンプ、１２・・・・・・ガスク
ーラ、１３・・・・・・高周波発振機、１４・・・・・
・ガスシステム、１５・・・・・・プログラムコントロ
ーラ、１６・・・・・・オートプレッシャコントロール
バルフ、１７・・・・・・エアバルブミ１８・・・・・
・回転軸、１９．２０・・・・・・ガス入口、２１，２
２・・・・・・排気口、２３・・・・・・保持と高さ調
整治具、２４・・・・・・排気口、２５・・・・・・熱
反射円板。

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. （１）シリコン基板上に気相エビタシャル成長を行わせ
   る反応炉に、外部に設けたステンレス鋼製ベルジャと、
   その内部に設けられた熱反射装置と、この熱反射装置の
   内部であってシリコン基板を載置する加熱台と、この加
   熱台を誘導加熱する加熱コイルと、シリコン基板上に原
   料ガスを供給しかつ回転する反応ガス供給ノズルと、排
   気口とを具備し、気相成長中のシリコン基板中の温度差
   をな（すようにしたことを特徴とする半導体気相成長装
   置。
2. （２）上記熱反射装置が外面が不透明で内面を鏡面仕上
   げとし、かつ外部のステンレス鋼製ベルジャとの距離を
   加減できる石英製ベルジャで構成されたことを特徴とす
   る実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体気相成長
   装置。
3. （３）上記熱反射装置が反応ガス供給ノズルの上方にこ
   れに近接してシリコン基板にほぼ平行に設けむれた熱反
   射円板で構成されたことを特徴とする実用新案登録請求
   の範囲第１項記載の半導体気相成長装置。