JPS6292636U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6292636U JPS6292636U JP18487185U JP18487185U JPS6292636U JP S6292636 U JPS6292636 U JP S6292636U JP 18487185 U JP18487185 U JP 18487185U JP 18487185 U JP18487185 U JP 18487185U JP S6292636 U JPS6292636 U JP S6292636U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- gas
- bell gear
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例を示す冷却装置回路
図とそれを適用した気相成長装置の概要断面図、
第2図は本考案の他の実施例を示す図、第3図お
よび第4図は従来の気相成長装置のそれぞれ異な
る例を示す概要断面図である。 1……基台、2,22,29,30……シール
部材、4……気密室(反応室)、5……サセプタ
、6……回転軸、7……基板、8……ノズル、9
……RFコイル、11……排気管、13,21…
…金属ベルジヤ、16,20……石英ベルジヤ、
17……供給口、23,24……冷却ガス流入ま
たは流出口、25……空間、32……ブロワー、
33,34,35……ダクト、36……冷却器、
37,38,47,50,51……切換弁、39
……絞り弁、40……H2ガス源、41,42,
43,44……配管、45……安全弁、46……
圧力計、48……酸素濃度検知装置、49……止
め弁、52……N2ガス源、54……シール部材
、56……H2ガスセンサ。
図とそれを適用した気相成長装置の概要断面図、
第2図は本考案の他の実施例を示す図、第3図お
よび第4図は従来の気相成長装置のそれぞれ異な
る例を示す概要断面図である。 1……基台、2,22,29,30……シール
部材、4……気密室(反応室)、5……サセプタ
、6……回転軸、7……基板、8……ノズル、9
……RFコイル、11……排気管、13,21…
…金属ベルジヤ、16,20……石英ベルジヤ、
17……供給口、23,24……冷却ガス流入ま
たは流出口、25……空間、32……ブロワー、
33,34,35……ダクト、36……冷却器、
37,38,47,50,51……切換弁、39
……絞り弁、40……H2ガス源、41,42,
43,44……配管、45……安全弁、46……
圧力計、48……酸素濃度検知装置、49……止
め弁、52……N2ガス源、54……シール部材
、56……H2ガスセンサ。
Claims (1)
- サセプタ上に載置した複数の基板の表面に半導
体物質の薄膜を気相成長させるための気密室を基
台と石英ベルジヤ等とによつて構成すると共に、
前記石英ベルジヤの外側に前記気密室に対して独
立し外気に対して気密の空間を形成する金属ベル
ジヤを被せてなる気相成長装置において、前記石
英ベルジヤと前記金属ベルジヤの間の前記空間に
対する冷却用H2ガスの供給手段と、吸熱・昇温
して前記空間から排気される前記冷却用H2ガス
の冷却器とを備え、前記冷却器の冷却用H2ガス
の出口を前記冷却用H2ガスの供給手段の吸入口
に接続する循環型冷却回路を設け、かつ前記循環
型冷却回路にH2ガス源から切換バルブを介して
冷却用H2ガスを補給する手段を設けたことを特
徴とする気相成長装置の冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18487185U JPS6292636U (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18487185U JPS6292636U (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6292636U true JPS6292636U (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=31132960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18487185U Pending JPS6292636U (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6292636U (ja) |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP18487185U patent/JPS6292636U/ja active Pending
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